光掩膜版保护膜的去除系统及方法技术方案

本发明专利技术提供一种光掩膜版保护膜的去除系统及方法，光掩膜版保护膜的去除系统包括：气罩，底部设有凹槽，顶部设有与所述凹槽相连通的通孔；抽真空装置；吸气管路，一端经由所述通孔与所述凹槽相连通，另一端与所述抽真空装置相连接。本发明专利技术的光掩膜版保护膜的去除系统可以在去除光掩膜版上的保护膜时先采用真空抽气的方式去除保护膜层，然后再去除环形边框，这样在保护膜去除的过程中就不会有保护膜层掉落在光掩膜版上，不会对光掩膜版造成污染，从而提升良率，节约成本。

Removal system and method of protective film of photomask

【技术实现步骤摘要】
光掩膜版保护膜的去除系统及方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种光掩膜版保护膜的去除系统及方法。
技术介绍
现有技术中，为了防止对光掩膜版的图形区域造成污染，光掩膜版的表面都会设置保护膜(Pellice)用于对所述光掩膜版进行保护，所述保护膜包括环形边框及覆盖于所述环形边框上的保护膜层。在所述光掩膜版使用的过程中，需要定期对所述光掩膜版进行维护清洗，此时，需要去除位于所述光掩膜版上的所述保护膜；现有的方法一般为将表面设有所述保护膜的所述光掩膜版加热后或未进行加热直接整体拆除所述保护膜(即将所述环形边框及所述保护膜层一起拆除)，然后，采用上述方式拆除所述保护膜的过程中，所述保护膜层容易破裂掉落在所述光掩膜版的图形区域而污染所述光掩膜版，从而造成所述光掩膜版的报废。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种光掩膜版保护膜的去除系统及方法，用于解决现有技术中的拆除保护模时保护膜层容易掉落在光掩膜版的图形区域而污染光掩膜版，从而造成光掩膜版报废的问题。为实现上述目的及其他相关本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光掩膜版保护膜的去除系统，其特征在于，所述光掩膜版保护膜的去除系统用于去除光掩膜版的保护膜，所述光掩膜版保护膜的去除系统包括：/n气罩，底部设有凹槽，顶部设有与所述凹槽相连通的通孔；/n抽真空装置；/n吸气管路，一端经由所述通孔与所述凹槽相连通，另一端与所述抽真空装置相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种光掩膜版保护膜的去除系统，其特征在于，所述光掩膜版保护膜的去除系统用于去除光掩膜版的保护膜，所述光掩膜版保护膜的去除系统包括：
气罩，底部设有凹槽，顶部设有与所述凹槽相连通的通孔；
抽真空装置；
吸气管路，一端经由所述通孔与所述凹槽相连通，另一端与所述抽真空装置相连接。


2.根据权利要求1所述的光掩膜版保护膜的去除系统，其特征在于，所述抽真空装置包括真空泵。


3.根据权利要求1所述的光掩膜版保护膜的去除系统，其特征在于，所述光掩膜版保护膜的去除系统还包括开关阀，所述开关阀位于所述吸气管路上。


4.根据权利要求3所述的光掩膜版保护膜的去除系统，其特征在于，所述开关阀位于所述吸气管路与所述气罩的连接处。


5.根据权利要求1所述的光掩膜版保护膜的去除系统，其特征在于，所述凹槽的形状与所述保护膜的形状相同，且所述凹槽的尺寸大于所述保护膜的尺寸。


6.根据权利要求5所述的光掩膜版保护膜的去除系统，其特征在于，所述气罩的形状与所述光掩膜版的形状相同，且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高丁山，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37