光罩处理方法及微影装置制造方法及图纸

本揭示揭露一种光罩处理方法及微影装置。根据本揭示的一些实施方式，一种光罩处理方法包含判断颗粒是否在光罩的接触表面上。若颗粒在接触表面，则光罩被清洁以由光罩的接触表面移除颗粒。在清洁光罩之后，光罩被设置于吸盘上，其中光罩的接触表面在光罩设置于吸盘上时接触吸盘。微影制程利用设置于吸盘上的光罩被执行。

The treatment method of the mask and the micro shadow device

【技术实现步骤摘要】
光罩处理方法及微影装置
本揭示有关于一种光罩处理方法及微影装置。
技术介绍
在半导体集成电路(IC)行业，IC材料和设计的技术进步已经产生了一代又一代的集成电路，每一代的电路都比上一代更小、更复杂。在集成电路的发展过程中，功能密度(即，每个芯片区域的互连元件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可以使用制造过程产生最小的组件(或线))减少。这种按比例缩小的流程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供好处。这种按比例缩小也增加了集成电路加工和制造的复杂性。微影技术形成图形化的抗蚀层，用于各种图案化工艺，例如蚀刻或离子注入等。这种微影技术所能图案化的最小特征尺寸受投射辐射源波长的限制。微影机已经从使用波长365纳米的紫外光发展到使用深紫外(DUV)光，包括248纳米的氟化氪激光(KrF激光)和193纳米的氟化氩激光(ArF激光)，以及使用波长为13.5纳米的极紫外光(EUV)，以提高每一步的分辨率。
技术实现思路
根据本揭示的一些实施方式，一种光罩处理方法包含：判断颗粒是否在光罩的接触表面上；若颗粒在接触表面，则清洁光罩以由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光罩处理方法，其特征在于，包含：/n判断一颗粒是否在一光罩的一接触表面上；/n若该颗粒在该接触表面，则清洁该光罩以由该光罩的该接触表面移除该颗粒；/n在清洁该光罩之后将该光罩设置于一吸盘上，其中该光罩的该接触表面在该光罩设置于该吸盘上时接触该吸盘；以及/n利用设置于该吸盘上的该光罩执行一微影制程。/n

【技术特征摘要】
20180814 US 62/718,962;20181211 US 16/216,8591.一种光罩处理方法，其特征在于，包含：
判断一颗粒是否在一光罩的一接触表面上；
若该颗粒在该接触表面，则清洁该光罩以由该光罩的该接触表面移除该颗粒；
在清洁该光罩之后将该光罩设置于一吸盘上，其中该光罩的该接触表面在该光罩设置于该吸盘上时接触该吸盘；以及
利用设置于该吸盘上的该光罩执行一微影制程。


2.根据权利要求1所述的光罩处理方法，其特征在于，其中该光罩具有一图案化区域和一非图案化区域，并且该光罩的该接触表面在该非图案化区域内。


3.根据权利要求1所述的光罩处理方法，其特征在于，其中该光罩具有多个非图案化区域和位于所述多个非图案化区域之间的一图案化区域，并且该光罩的该接触表面在所述多个非图案化区域内。


4.一种光罩处理方法，其特征在于，包含：
判断一颗粒是否在一光罩的一接触表面上；
若该颗粒在该接触表面上，则测定该颗粒的一高度；
判断该颗粒的该高度是否小于一预定高度；
若该颗粒的该高度小于该预定高度，则将该光罩设置于一吸盘上，其中该光罩的该接触表面在该光罩设置于该吸盘上时接触该吸盘；以及
利用设置于该吸盘上的该光罩执行一微影制程。
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【专利技术属性】
技术研发人员：廖主玮，廖啟宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71