【技术实现步骤摘要】
金属掩模版、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示制作
,具体的,本专利技术涉及金属掩模版、显示面板和显示装置。
技术介绍
现阶段的有源矩阵有机发光二极体(AMOLED)薄膜封装技术中,采用金属掩模版(Mask)对封装无机层进行图案化。参考图1,由于金属掩模版100在重力作用下会出现下垂现象,造成其中心区A和边缘区B与衬底200之间的间隙(Gap)值G不同,从而导致不同位置处的封装无机层的膜厚度不均匀,特别是参考图2,造成膜厚度在10%~90%的厚度渐变区(Shadow)C的不均匀性范围越长。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人的下列发现而完成的:本专利技术人在研究过程中发现,可以在金属掩模版的周边区引入特定的半刻蚀结构设计,可以有效改善金属掩模版的下垂量,从而提高不同位置处的封装无机层的厚度均匀性,缩小厚度渐变区的范围,进而使显示面板的制作良品率更高。在本专利技术的第一方面,本专利技术提出了一种金属掩模版。根据本专利技术的实施例,所述金属掩模版包括开口区和周边区,所述 ...
【技术保护点】
1.一种金属掩模版,其特征在于,包括开口区和周边区,所述周边区环绕所述开口区设置,且所述周边区设置有第一半刻槽,并且,所述第一半刻槽环绕所述开口区设置。/n
【技术特征摘要】
1.一种金属掩模版,其特征在于,包括开口区和周边区,所述周边区环绕所述开口区设置,且所述周边区设置有第一半刻槽,并且,所述第一半刻槽环绕所述开口区设置。
2.根据权利要求1所述的金属掩模版,其特征在于,所述第一半刻槽到所述金属掩模版的边缘在第一方向上的最小距离为零,所述第一半刻槽到所述金属掩模版的边缘在第二方向上的距离大于零,且所述第一方向与所述第二方向交叉设置。
3.根据权利要求2所述的金属掩模版,其特征在于,所述第一半刻槽在所述第一方向或所述第二方向上的宽度为6~30mm。
4.根据权利要求1所述的金属掩模版,其特征在于,所述第一半刻槽的深度为所述周边区的厚度的50%~60%。
5.根据权利要求2所述的金属掩模版,其特征在于,所述第一半刻槽在所述第一方向或所述第二方向上的截面形状...
【专利技术属性】
技术研发人员:王世龙,蒋志亮,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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