【技术实现步骤摘要】
高分辨率Micro-OLED的制备方法以及显示模组
本专利技术涉及OLED显示器制造领域,尤其涉及一种高分辨率Micro-OLED的制备方法以及具有该高分辨率Micro-OLED的显示模组。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)显示器与CTR(CathodeRayTube,阴极射线管)显示器、TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,薄膜晶体管液晶显示器)相比具有更轻和更薄的外观设计、更宽的可视视角、更快的响应速度以及更低的功耗等特点,因此OLED显示器已逐渐作为下一代显示设备而备受人们的关注。实现全彩OLED的显示方法包括:RGB三色排列发光法、蓝光和光转换层法。蓝光和光转换层法因其成本低、工艺简单而被广泛使用。然而,现有技术中的光转换层不能完全吸收所有的蓝光激发光源,从而导致每个红/绿子像素在发出红/绿光的同时还伴有一定比例的蓝光,进而致使色域降低。鉴于上述问题,有必要提供一种新的高分辨率Micro ...
【技术保护点】
1.一种高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/nS1:提供一衬底基板,在所述衬底基板上制备发光像素层;/nS2:在所述发光像素层上制备薄膜封装层,以对所述发光像素层进行封装;/nS3:在所述薄膜封装层上制备黑色矩阵层以及将一种颜色转换成另一种颜色的光转换层,所述光转换层包括色变层;/nS4:对所述黑色矩阵层、光转换层进行盖板封装,以获得高分辨率Micro-OLED。/n
【技术特征摘要】
1.一种高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:提供一衬底基板,在所述衬底基板上制备发光像素层;
S2:在所述发光像素层上制备薄膜封装层,以对所述发光像素层进行封装;
S3:在所述薄膜封装层上制备黑色矩阵层以及将一种颜色转换成另一种颜色的光转换层,所述光转换层包括色变层;
S4:对所述黑色矩阵层、光转换层进行盖板封装,以获得高分辨率Micro-OLED。
2.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于:所述色变层包括量子点层、纳米金属层以及位于所述量子点层和纳米金属层之间的阻隔层。
3.如权利要求2所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于,所述色变层的制备方法包括如下步骤:
S31:在所述薄膜封装层上制备色变层;
S32:采用纳米压印技术,将透明的石英压印模板压在所述薄膜封装层上,并施加一定的压力;
S33:利用紫外光进行固化;
S34:将石英压印模板与所述薄膜封装层分离。
4.如权利要求3所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于,所述色变层的制备方法还包括:
S35:采用等离子体清洗技术,清洗留在所述薄膜封装层上的量子点残留物。
5.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于,所述步骤S4还包括如下步骤:
S41:采用原子...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜晓松,杨小龙,周文斌,张峰,孙剑,高裕弟,
申请(专利权)人:昆山梦显电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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