【技术实现步骤摘要】
一种建立OPC模型的方法以及光学邻近修正方法
本专利技术涉及半导体
,具体而言涉及一种建立OPC模型的方法以及光学邻近修正方法。
技术介绍
当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限,即特征尺寸接近或小于光刻光源时,硅片上制造出的版图会出现明显的畸变,该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应,提出了分辨率增强技术。光学邻近修正(OpticalProximityCorrection,简称OPC)是目前在半导体先进制造技术中广泛采用的一种解析增强技术,光学邻近修正技术是在找到图形失真量与图形本身特性的关系基础上,运用物理和数学相结合的模型来拟合这一关系,随后基于该模型对涉及版图所有各种图形进行全面的修改,以保证在曝光之后的半导体衬底上形成符合设计要求的图形。光学邻近校正(OPC)将计算出的偏差(bias)添加到主图形,以最大化晶圆上图案的保真度。而基于模型的OPC操作依赖于精确的OPC模型,通常该模型通过优化模型形式的拟合系数来构建,并且好的构建模型应该对图形上的所有测量点(Gauge)具有小的均方根(RMS ...
【技术保护点】
1.一种建立OPC模型的方法,其特征在于,包括:/n提供位于掩模版上的光掩膜图形和初始的OPC模型,其中,所述光掩膜图形包括主图形和位于主图形外侧的次分辨率辅助图形,所述初始的OPC模型依据光学透镜系统参数建立;/n通过所述主图形与高斯函数之间的卷积来描述主图形负载效应,以获得主图形负载函数;/n通过所述次分辨率辅助图形与高斯函数之间的卷积来描述所述次分辨率辅助图形负载效应,以获得次分辨率辅助图形负载函数;/n在所述初始的OPC模型中加入所述主图形负载函数和所述次分辨率辅助图形负载函数,以获得最终的OPC模型。/n
【技术特征摘要】
1.一种建立OPC模型的方法,其特征在于,包括:
提供位于掩模版上的光掩膜图形和初始的OPC模型,其中,所述光掩膜图形包括主图形和位于主图形外侧的次分辨率辅助图形,所述初始的OPC模型依据光学透镜系统参数建立;
通过所述主图形与高斯函数之间的卷积来描述主图形负载效应,以获得主图形负载函数;
通过所述次分辨率辅助图形与高斯函数之间的卷积来描述所述次分辨率辅助图形负载效应,以获得次分辨率辅助图形负载函数;
在所述初始的OPC模型中加入所述主图形负载函数和所述次分辨率辅助图形负载函数,以获得最终的OPC模型。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述初始的OPC模型是光强度分布的函数,其中,初始的OPC模型包括背景光强度分布函数、光强梯度函数、光强曲率函数、光碱分布函数、光酸分布函数。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述初始的OPC模型的方程式为:
其中,T为光阻的印刷阈值,用于确定主图形轮廓的几何形状,c0至c15表示方程式中每一项的系数,为卷积运算符号,I为背景光强度分布函数,为光强梯度函数,为光强曲率函数,I-b为光碱分布函数,I+b为光酸分布函数,Gs3至Gs15为半峰宽不同的...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜杳隽,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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