【技术实现步骤摘要】
光罩、产生光罩的方法及产生集成电路的方法
本揭示涉及一种具有凹陷区域的光罩,一种用于产生光罩的方法,及一种用于产生集成电路的方法。
技术介绍
在集成电路制造中,在光微影制程期间使用光罩将图案成像至光阻剂层上。对增大集成电路中的晶体管密度的持续驱动需要增大光罩上的主要特征的密度。随着光罩的主要特征的尺寸变得愈来愈小,光学临近效应使成像至光阻剂层上的图案变形。
技术实现思路
本揭示案的一些实施例提供一种光罩,包含一种光罩、一半透明基板、及至少一个主要特征。该半透明基板具有自该半透明基板的一第一表面凹陷的一凹陷区域。该至少一个主要特征安置在该半透明基板上,且自该半透明基板的该第一表面突出。本揭示案的一些实施例提供一种于产生一光罩的方法,包括:在一半透明基板上形成至少一个主要特征;在该半透明基板上形成一光阻剂层;图案化该光阻剂层以曝光该半透明基板的一部分;蚀刻该半透明基板的该已曝光部分以在该半透明基板上形成一凹陷区域;以及自该半透明基板移除该经图案化的光阻剂层。本揭示案的一些实施例提供一种用于产生 ...
【技术保护点】
1.一种光罩,其特征在于,包括:/n一半透明基板,该半透明基板具有自该半透明基板的一第一表面凹陷的一凹陷区域;以及/n至少一个主要特征,该至少一个主要特征安置在该半透明基板上,且自该半透明基板的该第一表面突出。/n
【技术特征摘要】
20180814 US 62/718,952;20190413 US 16/383,5951.一种光罩,其特征在于,包括:
一半透明基板,该半透明基板具有自该半透明基板的一第一表面凹陷的一凹陷区域;以及
至少一个主要特征,该至少一个主要特征安置在该半透明基板上,且自该半透明基板的该第一表面突出。
2.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,该凹陷区域经配置以衍射辐射而不使一图案成像。
3.根据权利要求2所述的光罩,其特征在于,该凹陷区域的一宽度小于该至少一个主要特征的一宽度的五分之一。
4.根据权利要求2所述的光罩,其特征在于,该凹陷区域的一深度小于该至少一个主要特征的一高度的三分之一。
5.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,进一步包括安置在该凹陷区域中的一不透明填充物。
6.一种用于产生一光罩的方法,其特征在于,包括:
在一半透明基板上形成至少一个主要特征;
在该半透明基板上形成一光阻剂层;
图案化该光阻剂层以曝光该半透明基板的一部分;
蚀刻该半透明基板的该已曝光部分以在该半透明基板...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈禹佑,廖啟宏,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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