【技术实现步骤摘要】
确定合适的OPC修正程序的方法及装置、掩膜版及优化方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种确定合适的OPC修正程序的方法及装置、掩膜版及优化方法。
技术介绍
在半导体制造领域中，当技术节点降低到0.13μm以下时，以模型为基础的OPC运行对光刻准确性起重要作用。不同的OPC修正程序会得到不同的掩膜版结果。在光的干涉及衍射影响下，虽然掩膜版结果不同，但是可以得到效果相同的光刻结果。在OPC修正程序的研发过程中，会经常性对程序进行改变，在模型的作用下，某些参数的变化，例如运行分段参数和反馈参数等，可能会导致OPC修正后的掩膜版结果发生全局性的变化，若通过硅片数据一一判定将浪费大量的时间，大大提高研发成本。本专利技术中提出了一个快速评价OPC修正程序的参数改变导致掩膜版变化对硅片数据影响以及快速确定出合适的OPC修正程序的方法，即应用工艺窗口模型的模拟结果，快速得出变化后的OPC修正程序是否会对曝光结果造成影响。
技术实现思路
本专利技术提供了一种确定合适的OPC修正程序的方法，以高效的实现OP...
【技术保护点】
1.一种确定合适的OPC修正程序的方法，其特征在于，包括：/n步骤S1：收集工艺窗口内的OPC测试图形数据，并根据收集的所述OPC测试图形数据建立工艺窗口OPC模型；/n步骤S2：在一OPC修正程序上进行相应变化，以得到变化后的OPC修正程序，并利用变化前和变化后的OPC修正程序分别对同一电路版图文件进行OPC修正，得到相应的两个OPC修正结果；/n步骤S3：比较所述两个OPC修正结果，以得到所述两个OPC修正结果相应的差异位置；/n步骤S4：利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述差异位置进行检查，以得到所述差异位置对应的评判数据；/n步骤S5：判断所述评判...
【技术特征摘要】
1.一种确定合适的OPC修正程序的方法，其特征在于，包括：
步骤S1：收集工艺窗口内的OPC测试图形数据，并根据收集的所述OPC测试图形数据建立工艺窗口OPC模型；
步骤S2：在一OPC修正程序上进行相应变化，以得到变化后的OPC修正程序，并利用变化前和变化后的OPC修正程序分别对同一电路版图文件进行OPC修正，得到相应的两个OPC修正结果；
步骤S3：比较所述两个OPC修正结果，以得到所述两个OPC修正结果相应的差异位置；
步骤S4：利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述差异位置进行检查，以得到所述差异位置对应的评判数据；
步骤S5：判断所述评判数据是否满足要求，若是，则变化后的OPC修正程序通过，若否，则返回步骤S2，继续在所述OPC修正程序上进行相应变化，直至变化后的OPC修正程序对应的评判数据满足要求。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S1中，收集工艺窗口内多个能量及焦深条件的OPC测试图形数据，以建立与工艺窗口内的能量和焦深条件相关的工艺窗口OPC模型。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S3中，还进一步将所有的差异位置进行分类，以得到重点检查区域；在所述步骤S4中，利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述重点检查区域进行检查，以得到各个所述重点检查区域的评判标数据。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在步骤S3中，根据各个差异位置的差异值的范围，将所有的差异位置分成以下四类：第一类为差异值小于2dbu；第二类为差异位置的差异值介于2dbu～5dbu之间；第三类为差异位置的差异值介于5dbu～10dbu之间及第四类为差异位置的差异值大于10dbu，所述重点检查区域为第四类。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述评判数据包括工艺带宽波动值。
6.一种确定合适的OPC修正程序的装置，其特征在于，包括：
工艺窗口OPC模型生成模块，其被配置为收集工艺窗口内的OPC测试图形数据...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴瑕玉，印嘉妮，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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