一种利用化学气相沉积法一步制成石墨烯粉末的方法技术

本发明专利技术涉及纳米材料的制备技术，一种利用化学气相沉积法一步制成石墨烯粉末的方法，包括以下步骤：步骤1：将载具、盖板、铜箔分别用丙酮、酒精、去离子水清洗，干燥后备用；步骤2：将铜箔放入载具中，载具上方放置盖板；步骤3：将步骤2中的载具置于化学气相沉积炉中石英管中间区域；步骤4：开启真空泵；步骤5：开启加热系统，使炉腔体升温至1000~1200℃；步骤6：通入碳源至石英管内，使石英管内压强为1KPa～10KPa；步骤7：反应1～3小时后，停止通入碳源；步骤8：至室温后取出载具，载具表面即得石墨烯粉末；本发明专利技术制备石墨烯粉末不需要使用任何基底，工艺步骤简单、快速、有效，且没有溶液污染。

One step preparation of graphene powder by chemical vapor deposition

【技术实现步骤摘要】
一种利用化学气相沉积法一步制成石墨烯粉末的方法
本专利技术涉及纳米材料的制备技术，特别涉及一种利用化学气相沉积法一步制成石墨烯粉末的方法。
技术介绍
石墨烯是一种由sp2杂化的碳原子组成的二维碳材料，碳原子在二维平面内呈六边形周期性排列，形成类似蜂窝状的结构；石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性，在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景，被认为是一种未来革命性的材料；石墨烯常见的生产方法有机械剥离法、氧化还原法、SiC外延生长法、化学气相沉积法（CVD）等；现阶段，石墨烯粉体材料的制备技术通常是液相法，将石墨原料经过插层、热膨胀、电化学等使其层间距变大，然后通过超声或外加剪切力的作用下得到石墨烯粉体，这种方法虽然可以得到大量的石墨烯粉体，但容易造成溶液污染，而且制备过程造成石墨烯结构破坏，一般质量较差；而CVD技术是一种制备高质量石墨烯薄膜的方法，但很少有人利用CVD直接生长出石墨烯粉末；史刘嵘等人用氯化钠作为基底，通入碳源，得到氯化钠-石墨烯复合粉体，再将其分离得到石墨烯粉末，但工艺过程复杂繁琐。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用化学气相沉积法一步制成石墨烯粉末的方法，其特征在于包括以下步骤：/n步骤1： 将载具、盖板、铜箔分别用丙酮、酒精、去离子水清洗，干燥后备用；/n步骤2：将铜箔放入载具中，载具上方放置盖板；/n步骤3：将步骤2中放有铜箔和盖板的载具置于化学气相沉积炉中石英管中间区域，关闭石英管两端阀门后开启冷却循环水；/n步骤4：开启真空泵，通入流量为20sccm的氢气净化干燥化学气相沉积炉；/n步骤5：开启加热系统，使化学气相沉积炉的腔体在氢气状态下升温至1000~1200℃；/n步骤6：通入碳源至石英管内，并调节碳源气体流量，使石英管内压强为1KPa～10KPa；/n步骤7：维持步骤6到1～3小...

【技术特征摘要】
1.一种利用化学气相沉积法一步制成石墨烯粉末的方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1：将载具、盖板、铜箔分别用丙酮、酒精、去离子水清洗，干燥后备用；
步骤2：将铜箔放入载具中，载具上方放置盖板；
步骤3：将步骤2中放有铜箔和盖板的载具置于化学气相沉积炉中石英管中间区域，关闭石英管两端阀门后开启冷却循环水；
步骤4：开启真空泵，通入流量为20sccm的氢气净化干燥化学气相沉积炉；
步骤5：开启加热系统，使化学气相沉积炉的腔体在氢气状态下升温至1000~1200℃；
步骤6：通入碳源至石英管内，并调节碳源气体流量，使石英管内压强为1KPa～10KPa；
步骤7：维持步骤6到1～3小时后，停止通入碳源，保持氢气状态下使化学气相沉积炉的腔体温度冷却至100℃以下，关闭氢气，同时关闭化学气相沉积炉电源、真空泵电源和循环水系统；
步骤8：化学气相沉积炉的腔体冷却至室温后取出载具，载具表面即得石墨烯粉末。


2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡金明，张文卿，叶乾旭，蔡晓明，
申请(专利权)人：广东墨睿科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44