一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法，包括，步骤一：将密封容器内部物质完全抽取，使得密封容器内部处于超高真空状态，步骤二：将密封容器内部放置过渡金属基底，步骤三：将碳氢化合物输送至到密封容器中，使得碳氢化合物输送至过渡金属基底表面，步骤四：接着对密封容器加热，加热温度为30‑180℃，步骤五：密制容易加热过程中，容器内部通过加热使吸附气体催化脱氢从而利得石墨烯；本发明专利技术可有效的提高了石墨烯的制备效率，通过金属催化使得石墨烯可在密封容器内持续、均匀、大面积的生长，极大的减少了特征环境的需求，降低了制备时的繁琐、步骤，同时可通过通过化学腐蚀去掉金属基底，节省了人力物力。

Preparation of graphene by metal catalytic epitaxy

【技术实现步骤摘要】
一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法
本专利技术属于石墨烯
，具体涉及一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法。
技术介绍
石墨烯是一种由碳原子以sp²杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料，石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性，在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景，被认为是一种未来革命性的材料。现有的石墨烯在制备时较为复杂繁琐，需要较多的繁琐步骤，且需要较为独特的制作环境，才可制备出，且制备的石墨烯面积较小，且不够均匀，难以整体收集使用，给工作员、研发人员增加了工作难度，浪费了人力物力，极大的增加了经济成本的问题，为此我们提出一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的石墨烯在制备时较为复杂繁琐，需要较多的繁琐步骤，且需要较为独特的制作环境，才可制备出，且制备的石墨烯面积较小，且不够均匀，难以整体收集使用等问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法，包括，步骤一：将密封容器内部物质完全抽取，使得密封容器内部处于超高真空状态；步骤二：将密封容器内部放置过渡金属基底；步骤三：将碳氢化合物输送至到密封容器中，使得碳氢化合物输送至过渡金属基底表面；步骤四：接着对密封容器加热，加热温度为30-180℃；步骤五：密制容易加热过程中，容器内部通过加热使吸附气体催化脱氢从而利得石墨烯；步骤六：将容器打开，将长满于石墨烯的金属基底上取出；步骤七：通过化学腐蚀去掉金属基底，得到石墨烯。进一步的，所述密封容器通过超高真空泵处于超高真空状态。进一步的，所述步骤二中过渡金属为：Pt、Ir、Ru、Cu。进一步的，所述步骤四中加热温度为50-160℃。进一步的，所述化学腐蚀为原油脱盐脱水、加缓蚀剂、加中和剂。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术可有效的提高了石墨烯的制备效率，通过金属催化使得石墨烯可在密封容器内持续、均匀、大面积的生长，极大的减少了特征环境的需求，降低了制备时的繁琐、步骤，同时可通过通过化学腐蚀去掉金属基底，使得石墨烯还具备易于转移的特点，节省了人力物力，降低了经济成本和工作难度，提高制备效率。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，本专利技术提供一种技术方案：一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法，包括，步骤一：将密封容器内部物质完全抽取，使得密封容器内部处于超高真空状态；步骤二：将密封容器内部放置过渡金属基底；步骤三：将碳氢化合物输送至到密封容器中，使得碳氢化合物输送至过渡金属基底表面；步骤四：接着对密封容器加热，加热温度为30-180℃；步骤五：密制容易加热过程中，容器内部通过加热使吸附气体催化脱氢从而利得石墨烯；步骤六：将容器打开，将长满于石墨烯的金属基底上取出；步骤七：通过化学腐蚀去掉金属基底，得到石墨烯，本专利技术可有效的提高了石墨烯的制备效率，通过金属催化使得石墨烯可在密封容器内持续、均匀、大面积的生长，极大的减少了特征环境的需求，降低了制备时的繁琐、步骤，同时可通过通过化学腐蚀去掉金属基底，使得石墨烯还具备易于转移的特点，节省了人力物力，降低了经济成本和工作难度，提高制备效率。本实施例中，密封容器通过超高真空泵处于超高真空状态。本实施例中，步骤二中过渡金属为：Pt、Ir、Ru、Cu。本实施例中，步骤四中加热温度为50-160℃。本实施例中，化学腐蚀为原油脱盐脱水、加缓蚀剂、加中和剂。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法，包括，/n步骤一：将密封容器内部物质完全抽取，使得密封容器内部处于超高真空状态；/n步骤二：将密封容器内部放置过渡金属基底；/n步骤三：将碳氢化合物输送至到密封容器中，使得碳氢化合物输送至过渡金属基底表面；/n步骤四：接着对密封容器加热，加热温度为30-180℃；/n步骤五：密制容易加热过程中，容器内部通过加热使吸附气体催化脱氢从而利得石墨烯；/n步骤六：将容器打开，将长满于石墨烯的金属基底上取出；/n步骤七：通过化学腐蚀去掉金属基底，得到石墨烯。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法，包括，
步骤一：将密封容器内部物质完全抽取，使得密封容器内部处于超高真空状态；
步骤二：将密封容器内部放置过渡金属基底；
步骤三：将碳氢化合物输送至到密封容器中，使得碳氢化合物输送至过渡金属基底表面；
步骤四：接着对密封容器加热，加热温度为30-180℃；
步骤五：密制容易加热过程中，容器内部通过加热使吸附气体催化脱氢从而利得石墨烯；
步骤六：将容器打开，将长满于石墨烯的金属基底上取出；
步骤七：通过化学腐蚀去掉金属基底，得到石墨烯。


...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕妍，
申请(专利权)人：滕妍，
类型：发明
国别省市：上海;31