MOS管驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种MOS管驱动电路，该MOS管驱动电路与MOS管连接，该MOS管驱动电路包括：驱动功率电源、电平转换模块及推挽模块；驱动功率电源分别与电平转换模块及推挽模块连接，为电平转换模块提供待转换电压，为推挽模块提供工作电压；电平转换模块对驱动功率电源提供的待转换电压进行转换，并向推挽模块输出门电压；推挽模块接收门电压，并结合驱动功率电源提供的工作电压对MOS管的栅极推挽输出控制电压。本发明专利技术的MOS管驱动电路实现了低压电池侧高边应用中对MOS管的开通和关断的控制，避免了使用结构复杂、成本高的隔离型驱动芯片，精简了驱动电路的结构，并降低了驱动电路的成本。

MOS driving circuit

【技术实现步骤摘要】
MOS管驱动电路
本专利技术涉及MOS管驱动
，尤其是涉及一种MOS管驱动电路。
技术介绍
随着汽车电子的发展，对汽车电子可靠性，安全性要求越来越高，因此通常在低压电池侧要求加入防止低压电池侧内短路的保护电路，这必然会引入功率MOS管作为故障发生时的切断产品与低压电池侧连接的安全开关，如图1所示。传统的开关管设计中通常选用P沟通增强型MOS管，其驱动电源通常使用低压侧电池电压，这种做法的优点是设计简单，成本较低，但是其缺点也比较明显：1)、P沟通增强型MOS管可供选择的类型较少，在元器件选型时会面临诸多限制；2)、P沟通增强型MOS管导通电阻相较N沟通增强型MOS管导通电阻较大，会带来较大的热损耗；3)、驱动电源使用低压电池侧电压，由于电池电压波动范围较大，通常为6V－16V，在低电压时，会导致P沟道增强型MOS管的导通电阻进一步增大，进一步增加热损耗为了解决上述所列的问题，合理的方案是使用N沟道增强型MOS管，这样可以有效地拓宽元器件选型的范围，同时由于N沟道增强型MOS管的导通电阻相对较低，等效的可以降本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS管驱动电路，与MOS管连接，其特征在于，所述MOS管驱动电路包括：驱动功率电源、电平转换模块及推挽模块；/n所述驱动功率电源分别与所述电平转换模块及推挽模块连接，为所述电平转换模块提供待转换电压，同时为所述推挽模块提供工作电压；/n所述电平转换模块对所述待转换电压进行转换，并向所述推挽模块输出门电压；/n所述推挽模块接收所述门电压，并结合所述工作电压对所述MOS管的栅极推挽输出控制电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOS管驱动电路，与MOS管连接，其特征在于，所述MOS管驱动电路包括：驱动功率电源、电平转换模块及推挽模块；
所述驱动功率电源分别与所述电平转换模块及推挽模块连接，为所述电平转换模块提供待转换电压，同时为所述推挽模块提供工作电压；
所述电平转换模块对所述待转换电压进行转换，并向所述推挽模块输出门电压；
所述推挽模块接收所述门电压，并结合所述工作电压对所述MOS管的栅极推挽输出控制电压。


2.如权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述驱动功率电源为单独的辅助电源。


3.如权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述电平转换模块包括负反馈恒流源单元及电压输出单元，所述电压输出单元的输入端与所述驱动功率电源连接，所述电压输出单元的输出端与所述推挽模块的输入端连接，所述电压输出单元的控制端与所述负反馈恒流源单元连接，通过所述负反馈恒流源单元的驱动信号调节控制所述电压输出单元中输出端的门电压。


4.如权利要求3所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述负反馈恒流源单元包括驱动信号电源、第一三极管及第一电阻，所述驱动信号电源施加在所述第一三极管上，所述驱动信号电源的一端与所述第一三极管的控制端连接，所述驱动信号电源的另一端接地；且所述第一三极管的输出端在串联所述第一电阻后与所述驱动信号电源的接地端连接。


5.如权利要求4所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述负反馈恒流源单元还包括第二电阻，所述第二电阻串联在所述驱动信号电源的非接地端与所述第一三极管的控制端之间。


6.如权利要求4所述的MOS管驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘卫星，陶洋洋，任重远，王小昆，黄俊，
申请(专利权)人：联合汽车电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31