【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器本申请要求于2018年8月3日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0090641号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种能够具有提高的可靠性的多层陶瓷电容器。
技术介绍
通常，诸如电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等的使用陶瓷材料的电子组件包括利用陶瓷材料形成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体中的内电极以及位于陶瓷主体的表面上并连接到内电极的外电极。近来，随着电子产品已经变得小型化和多功能化，多层陶瓷电容器也趋于小型化和多功能化。因此，已经需要具有小尺寸和高电容的多层陶瓷电容器。同时实现多层陶瓷电容器的小型化并增大多层陶瓷电容器的电容的一种方式为通过减小介电层和电极层的厚度来增加堆叠在多层陶瓷电容器中的介电层和电极层的数量。目前，介电层的厚度为约0.6μm，并且正不断地开发对于进一步减小介电层的厚度的技术。在这种情况下，确保介电层的耐受电压特性并减小因电介质的绝缘电阻的劣化而导致的缺陷率已经变得重要。为了解决这...
【技术保护点】
1.一种多层陶瓷电容器，包括：/n陶瓷主体，包括彼此面对的第一内电极和第二内电极，且介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及/n第一外电极和第二外电极，位于所述陶瓷主体的外表面上，并分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极，/n其中，所述介电层包括介电晶粒，所述介电晶粒包括基本上不含镝的第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，并且/n其中，相邻的两个介电晶粒的相应的第一区域的边界之间的最短距离为“L”，距沿所述两个介电晶粒之间的所述最短距离的中点±0.2L内的材料的第三区域中的点处，镝的第一浓度小于所述第二区域中的镝的第二浓度。/n
【技术特征摘要】
20180803 KR 10-2018-00906411.一种多层陶瓷电容器，包括：
陶瓷主体，包括彼此面对的第一内电极和第二内电极，且介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及
第一外电极和第二外电极，位于所述陶瓷主体的外表面上，并分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极，
其中，所述介电层包括介电晶粒，所述介电晶粒包括基本上不含镝的第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，并且
其中，相邻的两个介电晶粒的相应的第一区域的边界之间的最短距离为“L”，距沿所述两个介电晶粒之间的所述最短距离的中点±0.2L内的材料的第三区域中的点处，镝的第一浓度小于所述第二区域中的镝的第二浓度。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第三区域中的镝的所述第一浓度为所述第二区域中的镝的所述第二浓度的50％或更小。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层中的一者或更多者的第一厚度为0.4μm或更小，所述第一内电极和所述第二内电极中的一者或更多者的第二厚度为0.4μm或更小。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒包括镁。
5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒包括钛酸钡作为基体材料主要成分，并且基于100mol的基体材料主要成分，包括含量为超过0mol并且为1.0mol或更少的镁。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒包括铝。
7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒包括钛酸钡作为基体材料主要成分，并且基于100mol的基体材料主要成分，包括含量为超过0mol并且为4.0mol或更少的铝。
8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒具有核-壳结构，且所述第一区域为所述核-壳结构的核。
9.一种多层陶瓷电容器，包括：
陶瓷主体，包括彼此面对的第一内电极和第二内电极，且介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，
其中，所述介电层包括具有核-壳结构的介电晶粒，
其中，每个所述介电晶粒包括：第一区域，位于所述核-壳结构的核中，基本上不含镝；以及第二区域，位于所述第一区域外部并基本上包围所述第一区域，并且
其中，相邻的两个介电晶粒的相应的所述第一区域的边界之间的最短距离为“L”，距沿所述两个介电晶粒之间的所述最短距离的中点±0.2L内的材料的第三区域中的点处，镝的第一浓度小于所述第二区域中的镝的第二浓度。
10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第三区域中的镝的所述第一浓度为所述第二区域中的镝的所述第二浓度的50％或更小。
11.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层中的一者或更多者的第一厚度为0.4μm或更小，所述第一内电极和所述第二内电极中的一者或更多者的第二厚度为0.4μm或更小。
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【专利技术属性】
技术研发人员：权亨纯，车炅津，赵志弘，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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