光阻去除装置、清洗液及光阻去除方法制造方法及图纸

本申请提供的一种光阻去除装置、清洗液及光阻去除方法，所述光阻去除装置包括容器、第一供给部和第二供给部，所述容器包括容纳腔，所述第一供给部用于向所述容纳腔提供臭氧，所述第二供给部用于向所述容纳腔提供硫酸，所述容纳腔用于容纳所述臭氧和所述硫酸在所述容纳腔中混合形成的清洗液。本申请的光阻去除装置解决了现有技术的清洗液导致的光阻去除的时间及质量受到影响的问题。

Photoresist removal device, cleaning solution and photoresist removal method

【技术实现步骤摘要】
光阻去除装置、清洗液及光阻去除方法
本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种光阻去除装置、清洗液及光阻去除方法。
技术介绍
在半导体制造工业中，将光阻从半导体器件上移除的工艺通常采用硫酸/过氧化氢混合物(sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture,SPM)清洗液处理光阻，以去除半导体器件上的光阻。然而，由于过氧化氢与硫酸混合时剧烈放热，促使过氧化氢挥发分解，影响清洗液的清洗能力，进而影响光阻去除的时间及质量。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术实施例提供了一种光阻去除装置、清洗液及光阻去除方法，解决了现有技术的清洗液导致的光阻去除的时间及质量受到影响的问题。本申请提供的一种光阻去除装置，包括容器、第一供给部和第二供给部，所述容器包括容纳腔，所述第一供给部用于向所述容纳腔提供臭氧，所述第二供给部用于向所述容纳腔提供硫酸，所述容纳腔用于容纳所述臭氧和所述硫酸在所述容纳腔中混合形成的清洗液。其中，所述第一供给部包括第一供给源和第一供给管道，所述第一供给管道与所述第一供给源连通，以使所述第一供给源中的所述臭氧通过所述第一供给管道进入所述容纳腔中。其中，所述容器包括底壁，所述底壁为围成所述容纳腔的部分腔壁，所述第一供给管道远离所述第一供给源的一端与所述底壁连接，所述第一供给管道与所述容纳腔连通。其中，所述光阻去除装置还包括加热组件，所述加热组件用于加热所述容纳腔中的所述清洗液。其中，所述加热组件包括加热件和循环管道，所述循环管道包括进液口和出液口，所述加热件位于所述进液口和所述出液口之间并设于所述循环管道内或设于所述循环管道上，所述进液口和所述出液口间隔设于所述底壁上并与所述容纳腔连通，所述容纳腔中的所述清洗液经所述进液口进入所述循环管道，通过所述加热件加热后从所述出液口进入所述容纳腔。其中，所述第一供给管道远离所述第一供给源的一端与所述循环管道连通，以使所述臭氧从通过所述循环管道进入所述容纳腔中。其中，所述第一供给管道远离所述第一供给源的一端连接于所述进液口和所述加热件之间。其中，所述第一供给管道上设有流量阀，所述流量阀用于控制所述臭氧的流量。其中，所述容纳腔包括内容纳腔和外容纳腔，所述外容纳腔围绕所述内容纳腔设置，所述底壁包括中间部分和围绕所述中间部分的边缘部分，所述中间部分为形成所述内容纳腔的部分腔壁，所述边缘部分为形成所述外容纳腔的部分腔壁，所述进液口与所述外容纳腔连通，所述出液口与所述内容纳腔连通。其中，所述容器包括内周壁和外周壁，所述内周壁与所述中间部分形成所述内容纳腔，所述内周壁、所述边缘部分和所述外周壁形成外容纳腔，所述外周壁远离所述底壁的表面凸出所述内周壁远离所述底壁的表面。其中，所述光阻去除装置包括控制器，所述控制器用于控制所述第一供给部向所述容纳腔提供的所述臭氧的量，及控制所述第二供给部向所述容纳腔提供的所述硫酸的量。其中，所述光阻去除装置包括检测装置，所述检测装置设于所述容纳腔中，所述检测装置用于检测所述清洗液中所述硫酸和所述臭氧的浓度，所述检测装置和所述控制器电连接，所述检测装置根据检测到的所述清洗液中所述硫酸和所述臭氧的浓度控制所述控制器调节所述硫酸和所述臭氧加入所述容纳腔的量。其中，所述第二供给部包括第二供给源和第二供给管道，所述第二供给管道与所述第二供给源连通，以使所述第二供给源中的所述硫酸通过所述第二供给管道进入所述容纳腔。其中，所述容器具有开口，所述开口与所述容纳腔连通，所述第二供给部远离所述第二供给源的一端设于所述开口上方，所述硫酸通过所述开口进入所述容纳腔。其中，所述光阻去除装置还包括第三供给部，所述第三供给部用于向所述容纳腔中提供稀释液，以调节所述清洗液的浓度。本申请还提供一种清洗液，所述清洗液包括硫酸和臭氧。其中，所述硫酸和所述臭氧的浓度的比例为1:5。本申请还提供一种光阻去除方法，包括：提供半导体器件，其中，所述半导体器件上设有待去除的光阻；将所述半导体器件放于上述的光阻去除装置的所述容纳腔中。本申请实施例的光阻去除装置通过所述硫酸和所述臭氧在所述容纳腔中混合形成清洗液，所述硫酸和所述臭氧在混合时不会产生反应，保证了所述清洗液的浓度及稳定，从而通过所述清洗液能快速去除光阻，具有很好的光阻去除效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的一种光阻去除装置的结构示意图。图2是图1中的所述光阻去除装置的部分结构示意图。图3是图1提供的所述光阻去除装置的另一种结构示意图。图4是图3提供的所述光阻去除装置的部分示意图。图5是图1提供的所述光阻去除装置的另一种结构示意图。图6是图1提供的所述光阻去除装置的另一种结构示意图。图7是本申请实施例提供的一种光阻去除方法的流程示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本专利技术的具体实施方式。虽然附图中显示了本专利技术的示例性实施方式，但应当理解的是，还可以采用不同于在此描述的其他方式来实施本专利技术，因此，本专利技术不受下面这些实施方式的限制。请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种光阻去除装置100的结构示意图。所述光阻去除装置100包括容器10、第一供给部20和第二供给部30，所述容器10包括容纳腔11，所述第一供给部20用于向所述容纳腔11提供臭氧，所述第二供给部30用于向所述容纳腔11提供硫酸，所述容纳腔11用于容纳所述臭氧和所述硫酸在所述容纳腔11中混合形成的清洗液40。当所述光阻去除装置100需要将半导体器件上的光阻去除时，先通过所述第二供给部30向所述容纳腔11中提供硫酸，然后通过所述第一供给部20向所述容纳腔11中提供臭氧，臭氧和硫酸混合形成清洗液40，然后将需要去除光阻的半导体器件放入容纳腔11中浸泡，从而将半导体器件上的光阻剥离下来。本申请实施例的光阻去除装置100通过所述硫酸和所述臭氧在所述容纳腔11中混合形成清洗液40，所述硫酸和所述臭氧在混合时不会产生反应，即，硫酸和臭氧在混合过程中不会产生水等使硫酸浓度稀释的物质，保证了所述清洗液40的浓度及稳定的同时有效延长硫酸的使用次数，减少换硫酸的次数，降低化学品用量，降低成本。通过所述清洗液40能快速去除光阻，具有很好的光阻去除效果，同时所述清洗液40的浓度也能很好的控制，可根据不同浓度需求对不同半导体器件进行清洗，不会出现由于清洗液40浓度控制不稳定而导致半岛器器件的损坏。所述容器10包括底壁12、内周壁13和外周壁14，所述底壁12、所述内周壁13和所述外周壁14共同围成容纳腔11。所述容器10具有开口15，所述开口15与所述容纳腔11连通。所述容纳腔11包括内容本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光阻去除装置，其特征在于，包括容器、第一供给部、和第二供给部，所述容器包括容纳腔，所述第一供给部用于向所述容纳腔提供臭氧，所述第二供给部用于向所述容纳腔提供硫酸，所述容纳腔用于容纳所述臭氧和所述硫酸在所述容纳腔中混合形成的清洗液。/n

【技术特征摘要】
1.一种光阻去除装置，其特征在于，包括容器、第一供给部、和第二供给部，所述容器包括容纳腔，所述第一供给部用于向所述容纳腔提供臭氧，所述第二供给部用于向所述容纳腔提供硫酸，所述容纳腔用于容纳所述臭氧和所述硫酸在所述容纳腔中混合形成的清洗液。


2.如权利要求1所述的光阻去除装置，其特征在于，所述第一供给部包括第一供给源和第一供给管道，所述第一供给管道与所述第一供给源连通，以使所述第一供给源中的所述臭氧通过所述第一供给管道进入所述容纳腔中。


3.如权利要求2所述的光阻去除装置，其特征在于，所述容器包括底壁，所述底壁为围成所述容纳腔的部分腔壁，所述第一供给管道远离所述第一供给源的一端与所述底壁连接，所述第一供给管道与所述容纳腔连通。


4.如权利要求2所述的光阻去除装置，其特征在于，所述光阻去除装置还包括加热组件，所述加热组件用于加热所述容纳腔中的所述清洗液。


5.如权利要求4所述的光阻去除装置，其特征在于，所述加热组件包括加热件和循环管道，所述循环管道包括进液口和出液口，所述加热件位于所述进液口和所述出液口之间并设于所述循环管道内或设于所述循环管道上，所述进液口和所述出液口间隔设于所述底壁上并与所述容纳腔连通，所述容纳腔中的所述清洗液经所述进液口进入所述循环管道，通过所述加热件加热后从所述出液口进入所述容纳腔。


6.如权利要求5所述的光阻去除装置，其特征在于，所述第一供给管道远离所述第一供给源的一端与所述循环管道连通，以使所述臭氧从通过所述循环管道进入所述容纳腔中。


7.如权利要求6所述的光阻去除装置，其特征在于，所述第一供给管道远离所述第一供给源的一端连接于所述进液口和所述加热件之间。


8.如权利要求7所述的光阻去除装置，其特征在于，所述第一供给管道上设有流量阀，所述流量阀用于控制所述臭氧的流量。


9.如权利要求8所述的光阻去除装置，其特征在于，所述容纳腔包括内容纳腔和外容纳腔，所述外容纳腔围绕所述内容纳腔设置，所述底壁包括中间部分和围绕所述中间部分的边缘部分，所述中间部分为形成所述内容纳腔的部分腔壁，所述边缘部分为形成所...

【专利技术属性】
技术研发人员：白靖宇，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42