【技术实现步骤摘要】
光阻去除装置、清洗液及光阻去除方法
本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种光阻去除装置、清洗液及光阻去除方法。
技术介绍
在半导体制造工业中，将光阻从半导体器件上移除的工艺通常采用硫酸/过氧化氢混合物(sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture,SPM)清洗液处理光阻，以去除半导体器件上的光阻。然而，由于过氧化氢与硫酸混合时剧烈放热，促使过氧化氢挥发分解，影响清洗液的清洗能力，进而影响光阻去除的时间及质量。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术实施例提供了一种光阻去除装置、清洗液及光阻去除方法，解决了现有技术的清洗液导致的光阻去除的时间及质量受到影响的问题。本申请提供的一种光阻去除装置，包括容器、第一供给部和第二供给部，所述容器包括容纳腔，所述第一供给部用于向所述容纳腔提供臭氧，所述第二供给部用于向所述容纳腔提供硫酸，所述容纳腔用于容纳所述臭氧和所述硫酸在所述容纳腔中混合形成的清洗液。其中，所述第一供给部包括第一供给源和第一供给管道，所述第一供给管道与所述...
【技术保护点】
1.一种光阻去除装置，其特征在于，包括容器、第一供给部、和第二供给部，所述容器包括容纳腔，所述第一供给部用于向所述容纳腔提供臭氧，所述第二供给部用于向所述容纳腔提供硫酸，所述容纳腔用于容纳所述臭氧和所述硫酸在所述容纳腔中混合形成的清洗液。/n
【技术特征摘要】
1.一种光阻去除装置，其特征在于，包括容器、第一供给部、和第二供给部，所述容器包括容纳腔，所述第一供给部用于向所述容纳腔提供臭氧，所述第二供给部用于向所述容纳腔提供硫酸，所述容纳腔用于容纳所述臭氧和所述硫酸在所述容纳腔中混合形成的清洗液。
2.如权利要求1所述的光阻去除装置，其特征在于，所述第一供给部包括第一供给源和第一供给管道，所述第一供给管道与所述第一供给源连通，以使所述第一供给源中的所述臭氧通过所述第一供给管道进入所述容纳腔中。
3.如权利要求2所述的光阻去除装置，其特征在于，所述容器包括底壁，所述底壁为围成所述容纳腔的部分腔壁，所述第一供给管道远离所述第一供给源的一端与所述底壁连接，所述第一供给管道与所述容纳腔连通。
4.如权利要求2所述的光阻去除装置，其特征在于，所述光阻去除装置还包括加热组件，所述加热组件用于加热所述容纳腔中的所述清洗液。
5.如权利要求4所述的光阻去除装置，其特征在于，所述加热组件包括加热件和循环管道，所述循环管道包括进液口和出液口，所述加热件位于所述进液口和所述出液口之间并设于所述循环管道内或设于所述循环管道上，所述进液口和所述出液口间隔设于所述底壁上并与所述容纳腔连通，所述容纳腔中的所述清洗液经所述进液口进入所述循环管道，通过所述加热件加热后从所述出液口进入所述容纳腔。
6.如权利要求5所述的光阻去除装置，其特征在于，所述第一供给管道远离所述第一供给源的一端与所述循环管道连通，以使所述臭氧从通过所述循环管道进入所述容纳腔中。
7.如权利要求6所述的光阻去除装置，其特征在于，所述第一供给管道远离所述第一供给源的一端连接于所述进液口和所述加热件之间。
8.如权利要求7所述的光阻去除装置，其特征在于，所述第一供给管道上设有流量阀，所述流量阀用于控制所述臭氧的流量。
9.如权利要求8所述的光阻去除装置，其特征在于，所述容纳腔包括内容纳腔和外容纳腔，所述外容纳腔围绕所述内容纳腔设置，所述底壁包括中间部分和围绕所述中间部分的边缘部分，所述中间部分为形成所述内容纳腔的部分腔壁，所述边缘部分为形成所...
【专利技术属性】
技术研发人员：白靖宇，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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