具有无源电构件的半导体封装及其制造方法技术

一种能够双侧冷却的半导体封装，其包括：上导电元件，其具有向外露出的金属表面；下承载衬底，其具有上导电层、下导电层以及布置在所述上导电层与下导电层之间的电绝缘层，其中，所述下导电层具有向外露出的表面；第一导电间距保持件，其布置在上导电元件与上导电层之间；至少一个功率半导体芯片，其布置在上导电元件与上导电层之间；第二导电间距保持件，其布置在上导电元件与功率半导体芯片之间；无源电构件，其与下承载衬底的上导电层电连接。

【技术实现步骤摘要】
具有无源电构件的半导体封装及其制造方法
本专利技术涉及一种具有双侧冷却结构和无源电构件的半导体封装。本专利技术还涉及一种用于具有双侧冷却结构的半导体封装的制造方法。
技术介绍
(例如在机动车的电驱动中)对高电流电路性能的要求越来越高，因此需要进一步开发和改善在这些电路中使用的半导体封装。这些电路例如可以具有逆变器，该逆变器将电池电压转换为用于驱动电机的交流电压。这种逆变器可以通过半导体封装中的合适的电路来实现，其中，对于逆变器的性能来说决定性的是，在半导体封装中实现充分的冷却、尽可能低的阻抗、尽可能低的漏感等。通过改善半导体封装或通过改善用于制造这种半导体封装的经改善的方法，可以进一步提高这种逆变器的性能。
技术实现思路
通过独立权利要求的特征解决本专利技术所基于的任务。本专利技术的有利的构型和扩展在从属权利要求中说明。具体示例涉及一种具有双侧冷却结构的半导体封装，该半导体封装包括：上导电元件，其具有向外露出的金属表面；下承载衬底，其具有上导电层、下导电层以及布置在上导电层与下导电层之间的电绝缘层，其中，该下导电层具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种能够双侧冷却的半导体封装(100，200，300)，所述半导体封装(100，200，300)包括：/n上导电元件(110)，所述上导电元件具有向外露出的金属表面(111)，/n下承载衬底(120)，所述下承载衬底具有上导电层(121)、下导电层(123)和电绝缘层(122)，其中，所述下导电层具有向外露出的表面(124)，所述电绝缘层布置在所述上导电层与所述下导电层(121，123)之间，/n第一导电间距保持件(130)，所述第一导电间距保持件布置在所述上导电元件(110)与所述上导电层(121)之间，/n至少一个功率半导体芯片(140)，所述至少一个功率半导体芯片布置在所述上导电元件...

【技术特征摘要】
20180725 DE 102018212443.41.一种能够双侧冷却的半导体封装(100，200，300)，所述半导体封装(100，200，300)包括：
上导电元件(110)，所述上导电元件具有向外露出的金属表面(111)，
下承载衬底(120)，所述下承载衬底具有上导电层(121)、下导电层(123)和电绝缘层(122)，其中，所述下导电层具有向外露出的表面(124)，所述电绝缘层布置在所述上导电层与所述下导电层(121，123)之间，
第一导电间距保持件(130)，所述第一导电间距保持件布置在所述上导电元件(110)与所述上导电层(121)之间，
至少一个功率半导体芯片(140)，所述至少一个功率半导体芯片布置在所述上导电元件(110)与所述上导电层(121)之间，
第二导电间距保持件(150)，所述第二导电间距保持件布置在所述上导电元件(110)与所述功率半导体芯片(140)之间，
电容器(350)，所述电容器与所述下承载衬底(120)的上导电层(121)电连接，
其中，所述电容器(350)布置在所述上导电层(121)的如下区域(310)上：所述区域构造用于施加正供电电压或负供电电压。


2.根据权利要求1所述的半导体封装(100，200，300)，其中，所述上导电元件(110)具有上承载衬底(160)，所述上承载衬底(160)具有上导电层(161)、下导电层(163)和电绝缘层(162)，所述电绝缘层布置在所述上导电层与所述下导电层(161，163)之间，其中，所述上导电层(161)相应于所述向外露出的金属表面(111)。


3.根据以上权利要求中任一项所述的半导体封装(100，200，300)，其中，所述电容器布置在所述下承载衬底的电绝缘层上方。


4.根据以上权利要求中任一项所述的半导体封装(100，200，300)，其中，所述电容器(350)沿着所述下承载衬底(120)的外边沿区域(310)布置。


5.根据权利要求1所述的半导体封装(100，200，300)，其中，所述电容器(350)是缓冲电容器，所述缓冲电容器布置在所述下承载衬底(120)与所述上导电元件(110)之间。


6.根据权利要求5所述的半导体封装(100，200，300)，其中，所述缓冲电容器与所述下承载衬底(120)的上导电层(121)并且与所述上导电元件(110)电连接。


7.根据权利要求6所述的半导体封装(100，200，300)，其中，所述缓冲电容器垂直地布置在所述半导体封装(100，200，300)中，使得所述缓冲电容器的第一输入端/输出端指向所述上导电元件(110)，并且所述缓冲电容器的相对置的第二输入端/输出端指向所述下承载衬底(120)。


8.一种能够双侧冷却的半导体封装(100，200，300)，所述半导体封装(100，200，300)包括：
上导电元件(110)，所述上导电元件具有向外露出的金属表面(111)，
下承载衬底(120)，所述下承载衬底具有上导电层(121)、下导电层(123)和电绝缘层(122)，其中，所述下导电层具有向外露出的表面(124)，所述电绝缘层布置在所述上导电层与所述下导电层(121，123)之间，
第一导电间距保持件(130)，所述第一导电间距保持件布置在所述上导电元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·赫格尔，O·哈泽，T·基斯特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE