引线框、附树脂的引线框及光半导体装置以及引线框的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够将镀覆表面的光泽度维持在1.6以上，且防止镀覆表面的不均等外观上的缺陷，而且使贵金属的镀覆厚度变薄而削减成本的引线框。本发明专利技术是用于光半导体装置的引线框，具备：芯片焊垫部30，搭载光半导体元件；以及引线部40，可与光半导体元件电连接；且在构成芯片焊垫部30及所述引线部40的至少一部分或整个面的任一者的引线框基材的表面，积层有光泽度2.0以上且3.5以下的光泽镀镍层11、21与最表层由光泽度1.6以上的镀银层12、22所构成的镀贵金属层。

Lead frame, resin attached lead frame, optical semiconductor device and manufacturing method of lead frame

【技术实现步骤摘要】
引线框、附树脂的引线框及光半导体装置以及引线框的制造方法
本专利技术涉及一种引线框、附树脂的引线框及光半导体装置以及引线框的制造方法。
技术介绍
搭载有光半导体元件的光半导体装置用于普通照明或电视、手机、OA设备(OfficeAutomationEquipment，办公自动化设备)等的显示器等各种设备。在这些光半导体装置中，为了响应薄型化或低成本化等要求，开发出使用引线框搭载光半导体元件并进行树脂密封的封装。一般来说，在使用引线框的光半导体装置中，引线框具有搭载光半导体元件的芯片焊垫部，以及在芯片焊垫部的周边隔开间隔而配置的引线部，且对构成芯片焊垫部及引线部的整个面或一部分的引线框基材的最表面实施贵金属镀覆。在芯片焊垫部搭载光半导体元件，使用接合线等将光半导体元件与引线部接合。搭载有光半导体元件的芯片焊垫部及引线部的周围被由反射光的树脂所构成的反光树脂部所包围。在被反光树脂部所包围的包含光半导体元件及接合线等的空间区域形成有填充透明树脂而成的密封树脂部。在光半导体装置中，重要的是通过反光树脂部及被反光树脂部所包围的引线框的面使从光半导体元件发出的朝向横向及下方向的光效率佳地反射并向特定方向出射。因此，于构成上形成有由透明树脂所构成的密封树脂部的芯片焊垫部或引线部的引线框基材的最表面，通过实施光的反射率较高的贵金属镀覆而使从光半导体元件发出的朝向下方向的光反射。另外，对于镀贵金属层中的最表层的镀覆层一般使用光反射率较高的镀银。在这种用于光半导体装置的引线框中，由镀银层形成镀贵金属层中的最表层的镀覆层的镀覆构造例如在以下的专利文献1、2中揭示。例如，在以下的专利文献1中，记载有如下引线框，即，在构成芯片焊垫部或引线部的引线框基材的表面具有将镀镍层、金冲击镀覆层、镀银层依序积层(laminate)而成的镀覆构造，形成有具有反射率为92％以上且光泽度为1.40以上的反射特性的镀覆表面。另外，在以下的专利文献2中，记载有如下引线框，即，为了防止因硫化腐蚀所造成的镀银层的劣化，而在引线框基材的表面具有光泽镀镍层、镀钯层、镀银层的三层、或光泽镀镍层、镀钯层、镀金层、镀银层的四层的镀覆构造，且最表层的镀银层具有1.60以上的光泽度。现有技术文献专利文献【专利文献1】日本专利特开2012-209367号公报【专利文献2】日本专利特开2014-179492号公报
技术实现思路
专利技术欲解决之课题如上所述，对光半导体装置用的引线框的镀覆表面要求使来自光半导体元件的光效率佳地反射，近年来，如专利文献2中记载的引线框，要求使镀覆表面的光泽度成为1.6以上。且说，光半导体装置用的引线框的镀覆表面如果使光泽度变高，那么会成为接近于镜面的淡黑色。因此，在使光泽度提高为1.6以上的光半导体装置用的引线框中，与无须使光泽度提高为1.6以上的普通IC(integratedcircuit，集成电路)用引线框相比，容易发现镀覆表面的外观上的表面异常，其一部分被检测为引线框产品的缺陷的情况正在增多。尤其是在用于LED(LightEmittingDiode，发光二极管)等光半导体装置的引线框中，容易发现被认为是材料原因的镀覆表面的不均等。该镀覆表面的不均等虽并未对引线框的功能带来问题，但外观上被判断为不良，因此导致引线框产品的生产性恶化。另外，现有，用于提高镀覆表面的光泽度的贵金属的价格较高，为了削减成本，理想的是贵金属的镀覆厚度尽量变薄。本专利技术是鉴于所述课题而完成的，其目的在于提供一种能够将镀覆表面的光泽度维持在1.6以上，且防止镀覆表面的不均等外观上的缺陷，而且使用于提高镀覆表面的光泽度的贵金属的镀覆厚度变薄而削减成本的引线框、附树脂的引线框及光半导体装置以及引线框的制造方法。用以解决课题的手段为了达成所述目的，本专利技术的引线框是用于光半导体装置的引线框，其具备：芯片焊垫部，搭载光半导体元件；以及引线部，可与所述光半导体元件电连接；且在构成所述芯片焊垫部及所述引线部的至少一部分或整个面的任一者的引线框基材的表面，积层有光泽度2.0以上且3.5以下的光泽镀镍层与最表层由光泽度1.6以上的镀银层所构成的镀贵金属层。另外，在本专利技术的引线框中，优选所述光泽镀镍层的表面粗糙度为Ra0.02μm以上且0.05μm以下。另外，在本专利技术的引线框中，优选所述光泽镀镍层的镀覆厚度为0.5μm以上且3.0μm以下。另外，在本专利技术的引线框中，优选所述镀银层的镀覆厚度为0.3μm以上且2.5μm以下。另外，在本专利技术的引线框中，优选所述光泽镀镍层的结晶定向性是平面指数(111)比平面指数(200)更优越。另外，在本专利技术的引线框中，优选所述镀银层的表面的反射率(460nm)为90％以上。另外，在本专利技术的引线框中，优选在所述光泽镀镍层与所述镀银层之间形成有镀金层。另外，在本专利技术的引线框中，优选在所述光泽镀镍层与所述镀金层之间形成有镀钯层。另外，本专利技术的附树脂的引线框的特征在于具备本专利技术的任一引线框，及包围所述芯片焊垫部与所述引线部的周围的反光树脂部。另外，本专利技术的光半导体装置的特征在于具备：本专利技术的附树脂的引线框；光半导体元件，搭载在所述芯片焊垫部；连接体，将所述光半导体元件与引线部电连接；以及密封树脂部，由所述反光树脂部所包围，且由填充包含所述光半导体元件及所述连接体的区域的透明树脂形成。本专利技术的引线框的制造方法是用于光半导体装置的引线框的制造方法，其特征在于：在引线框基材中对应于搭载光半导体元件的芯片焊垫部及可与所述光半导体元件电连接的引线部的部位的至少一部分或整个面的任一者的表面，积层光泽度2.0以上且3.5以下的光泽镀镍层与最表层由光泽度1.6以上的镀银层所构成的镀贵金属层。另外，在本专利技术的引线框的制造方法中，优选在所述引线框基材中对应于所述芯片焊垫部及所述引线部的部位的至少一部分或整个面的任一者的表面，积层光泽度2.0以上且3.5以下的光泽镀镍层与最表层由光泽度1.6以上的镀银层所构成的镀贵金属层之后，形成所述芯片焊垫部及所述引线部。另外，在本专利技术的引线框的制造方法中，优选于在所述引线框基材形成所述芯片焊垫部及所述引线部之后，在构成所述芯片焊垫部及所述引线部的至少一部分或整个面的任一者的所述引线框基材的表面，积层光泽度2.0以上且3.5以下的光泽镀镍层与最表层由光泽度1.6以上的镀银层所构成的镀贵金属层。另外，在本专利技术的引线框的制造方法中，优选以表面粗糙度为Ra0.02μm以上且0.05μm以下的方式形成所述光泽镀镍层。另外，在本专利技术的引线框的制造方法中，优选将形成所述光泽镀镍层时的镀浴设为加入有包含硫的光泽剂的胺基磺酸浴，且将电流密度设为3～10A/dm2。专利技术效果根据本专利技术，获得一种能够将镀覆表面的光泽度维持在1.6以上，且防止镀覆表面的不均等外观上的缺陷，而且使用于提高镀覆表面的光泽度的贵金属的镀覆厚度变薄而削减成本的引线框、附树脂的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框，用于光半导体装置，其特征在于具备：/n芯片焊垫部，搭载光半导体元件；以及/n引线部，可与所述光半导体元件电连接；且/n在构成所述芯片焊垫部及所述引线部的至少一部分或整个面的任一者的引线框基材的表面，积层有光泽度2.0以上且3.5以下的光泽镀镍层与最表层由光泽度1.6以上的镀银层所构成的镀贵金属层。/n

【技术特征摘要】
20180726 JP 2018-1407831.一种引线框，用于光半导体装置，其特征在于具备：
芯片焊垫部，搭载光半导体元件；以及
引线部，可与所述光半导体元件电连接；且
在构成所述芯片焊垫部及所述引线部的至少一部分或整个面的任一者的引线框基材的表面，积层有光泽度2.0以上且3.5以下的光泽镀镍层与最表层由光泽度1.6以上的镀银层所构成的镀贵金属层。


2.如权利要求1所述的引线框，其特征在于：所述光泽镀镍层的表面粗糙度为Ra0.02μm以上且0.05μm以下。


3.如权利要求1或2所述的引线框，其特征在于：所述光泽镀镍层的镀覆厚度为0.5μm以上且3.0μm以下。


4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的引线框，其特征在于：所述镀银层的镀覆厚度为0.3μm以上且2.5μm以下。


5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的引线框，其特征在于：所述光泽镀镍层的结晶定向性是平面指数(111)比平面指数(200)更优越。


6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的引线框，其特征在于：所述镀银层的表面的反射率(460nm)为90％以上。


7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的引线框，其特征在于：在所述光泽镀镍层与所述镀银层之间形成有镀金层。


8.如权利要求7所述的引线框，其特征在于：在所述光泽镀镍层与所述镀金层之间形成有镀钯层。


9.一种附树脂的引线框，其特征在于：具备如权利要求1至8中任一权利要求所述的引线框，及包围所述芯片焊垫部与所述引线部的周围的反光树脂部。


10.一种光半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：木户口俊一，
申请(专利权)人：大口电材株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP