一种提高近紫外全光谱的LED封装体和LED灯具制造技术

本实用新型专利技术提供一种提高近紫外全光谱的LED封装体和LED灯具，提高近紫外全光谱的LED封装体包括封装支架、紫光LED芯片和荧光胶层，所述紫光LED芯片为正装型或倒装型的紫光LED芯片，所述紫光LED芯片固晶于封装支架上，并与之形成电连接；所述荧光胶层设有多层，并依次层叠于所述紫光LED芯片的发光表面，且最下层荧光胶层至最上层荧光胶层所激发的出射光波长逐步变短。采用紫光LED芯片，以补齐紫光光谱，使出射光谱更饱满；同时，波长较长的光线先被激发出，然后经短波的荧光胶层射出，长波的光不易被短波的荧光胶层所吸收，进而能够完整的出射，保证整体的光效，能够有效提高近紫外全光谱光效。

A LED package and lamp for improving near UV full spectrum

【技术实现步骤摘要】
一种提高近紫外全光谱的LED封装体和LED灯具
本技术涉及LED封装领域，具体涉及一种能够有效提高近紫外全光谱光效的提高近紫外全光谱的LED封装体以及具有该LED封装体的LED灯具。
技术介绍
之前的LED灯多为红蓝组合、全蓝、全红三种形式，用来照明或覆盖植物以提供植物进行光合作用所需的波长范围。近年，全光谱LED灯开始流行，能够更好的模拟太阳光，即通过补充青色和浅蓝色等颜色来接近太阳可见光光谱，封装后的成品显色指数也有很大的提高。虽然称之为全光谱，但却少了一些偏紫色的光谱。另外，现有技术中，多种荧光粉的掺杂使得一种荧光粉激发的光容易又被另一种荧光粉再次吸收，尤其是短波的光容易被其他荧光粉吸收而激发出波长较长的光，如现有技术中在蓝光LED芯片上所使用普通的YAG黄粉和氮化物红粉，被YAG黄粉激发的发射光谱部分容易被氮化物红粉吸收再发射，由YAG黄粉所激发的黄光量会被再次吸收转化而造成黄光出光量不足，同时蓝光LED芯片发出的蓝光得不到合理的吸收而造成蓝光出光量较多，而导致出光光效降低等问题。
技术实现思路
因此，本技术提供一种能够有效提高近紫外全光谱的LED封装体以及具有该LED封装体的LED灯具。为实现上述目的，本技术提供的技术方案如下：一种提高近紫外全光谱的LED封装体，包括封装支架、紫光LED芯片和荧光胶层，所述紫光LED芯片为正装型或倒装型的紫光LED芯片，所述紫光LED芯片固晶于封装支架上，并与之形成电连接；所述荧光胶层设有多层，并依次层叠于所述紫光LED芯片的发光表面，且最下层荧光胶层至最上层荧光胶层所激发的出射光波长逐步变短。进一步的，所述紫光LED芯片的主波段为390-400nm。进一步的，所述荧光胶层设有三层，分别是由下而上依次层叠的红粉荧光胶层、黄绿粉荧光胶层和蓝粉荧光胶层。进一步的，还包括透明胶层，所述透明胶层覆盖所述紫光LED芯片表面；所述荧光胶层设置于透明胶层上。进一步的，所述透明胶层为透明硅胶层或环氧树脂层。进一步的，所述封装支架为具有碗杯结构的封装支架，所述紫光LED芯片和荧光胶层均设置于封装支架的碗杯结构内。一种LED灯具，至少包括上述所述的提高近紫外全光谱的LED封装体。通过本技术提供的技术方案，具有如下有益效果：采用紫光LED芯片，以补齐紫光光谱，使出射光谱更饱满；同时，荧光胶层设置为层叠的多层结构，且最下层荧光胶层至最上层荧光胶层所激发的出射光波长逐步变短，即波长较长的光线先被激发出，然后经短波的荧光胶层射出，长波的光不易被短波的荧光胶层所吸收，进而能够完整的出射，保证整体的光效，能够有效提高近紫外全光谱光效。附图说明图1所示为实施例一中提高近紫外全光谱的LED封装体的结构示意图；图2所示为实施例二中提高近紫外全光谱的LED封装体的结构示意图。具体实施方式为进一步说明各实施例，本技术提供有附图。这些附图为本技术揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本技术的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。参照图1所示，本实施例还提供一种提高近紫外全光谱的LED封装体，包括封装支架10、荧光胶层和紫光LED芯片20，所述紫光LED芯片20为正装型或倒装型的紫光LED芯片20，所述紫光LED芯片20固晶于封装支架10上，并与之形成电连接；所述荧光胶层设有多层，并依次层叠于所述紫光LED芯片20的发光表面，且最下层荧光胶层至最上层荧光胶层所激发的出射光波长逐步变短。采用紫光LED芯片20，以补齐紫光光谱，使出射光谱更饱满；同时，荧光胶层设置为层叠的多层结构，且最下层荧光胶层至最上层荧光胶层所激发的出射光波长逐步变短，即波长较长的光线先被激发出，然后经短波的荧光胶层射出，长波的光不易被短波的荧光胶层所吸收，进而能够完整的出射，保证整体的光效，能够有效提高近紫外全光谱光效。具体的，该紫光LED芯片20的固晶方式和与封装支架的电连接结构均为现有技术，所述紫光LED芯片20为正装型或倒装型的紫光LED芯片20，如正装型LED芯片通过常规的锡膏或银胶固晶于封装支架上，然后再通过金属线分别焊接于封装支架的正极和负极上，最终形成电连接；倒装型LED芯片进行固定后，紫光LED芯片20的电极直接电连接于封装支架的电极上，均方便封装。具体的，荧光胶层的层叠制备方式如下：在紫光LED芯片20的发光表面先涂覆第一层荧光胶层，即最下层荧光胶层，待涂覆第一层荧光胶层硬化至满足支撑作用后，再在最下层荧光胶层表面涂覆第二层荧光胶层，然后待涂覆第二层荧光胶层硬化至满足支撑作用后，再在第二层荧光胶层表面涂覆第三层荧光胶层，以此类推。使荧光胶层硬化至满足支撑作用的方法可采用烘烤后自然风干硬化，优先采用烘烤，效率快。又或者是，荧光胶层直接采用已经制备成膜的荧光粉膜片替代，可直接进行层叠制备。进一步的，本实施例中，紫光LED芯片20的主波段为390-400nm；采用该主波段的紫光LED芯片20，为现有紫光LED芯片20的主要产品，技术成熟且易取得。当然的，在其他实施例中，也可以采用其他主波段的紫光LED芯片20，如主波段为375-390nm的紫光LED芯片20等。进一步的，本实施例中，荧光胶层设有三层，分别是由下而上依次层叠的红粉荧光胶层41、黄绿粉荧光胶层42和蓝粉荧光胶层43。紫光LED芯片20发出的紫光照射至红粉荧光胶层41，部分被红粉荧光胶层41的红粉吸收，并激发出红光，并经黄绿粉荧光胶层42和蓝粉荧光胶层43射出，红光波长最长，不易被黄绿粉荧光胶层42和蓝粉荧光胶层43所吸收，能够很好的保证红光的出光量。未被红粉荧光胶层41吸收的紫光再照射至黄绿粉荧光胶层42，部分被黄绿粉荧光胶层42的黄绿粉所吸收，并激发出黄绿光，并经蓝粉荧光胶层43射出，黄绿光波长较长，也不易被蓝粉荧光胶层43所吸收，以保证黄绿光的出光量。未被红粉荧光胶层41和黄绿粉荧光胶层42吸收的紫光再照射至蓝粉荧光胶层43，部分被蓝粉吸收而激发出蓝光，蓝光直接射出。出射的红光、黄绿光、蓝光和紫光进行混合形成白光，使得白光光谱较为饱和，光效好。同时，本实施例中采用黄粉和绿粉进行混合的黄绿粉荧光胶层42，黄光波长短，且与绿光波长接近，通常情况下黄粉和绿粉进行按比例掺杂，其损耗程度小，可忽略。当然的，在其他实施例中，黄绿粉荧光胶层42中的黄粉和绿粉可分别，分别制成黄粉荧光胶层和绿粉荧光胶层，进行分别层叠，黄粉荧光胶层在下层，绿粉荧光胶层在上层，即本方案的荧光胶层的由下而上的层叠结构为：红粉荧光胶层/黄粉荧光胶层/绿粉荧光胶层/蓝粉荧光胶层。进一步的，本实施例中，还包括透明胶层30，所述透明胶层30覆盖所述紫光LED芯片20表面；所述荧光胶层设置于透明胶层30上。先在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高近紫外全光谱的LED封装体，其特征在于：包括封装支架、紫光LED芯片和荧光胶层，所述紫光LED芯片为正装型或倒装型的紫光LED芯片，所述紫光LED芯片固晶于封装支架上，并与之形成电连接；所述荧光胶层设有多层，并依次层叠于所述紫光LED芯片的发光表面，且最下层荧光胶层至最上层荧光胶层所激发的出射光波长逐步变短。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高近紫外全光谱的LED封装体，其特征在于：包括封装支架、紫光LED芯片和荧光胶层，所述紫光LED芯片为正装型或倒装型的紫光LED芯片，所述紫光LED芯片固晶于封装支架上，并与之形成电连接；所述荧光胶层设有多层，并依次层叠于所述紫光LED芯片的发光表面，且最下层荧光胶层至最上层荧光胶层所激发的出射光波长逐步变短。


2.根据权利要求1所述的提高近紫外全光谱的LED封装体，其特征在于：所述紫光LED芯片的主波段为390-400nm。


3.根据权利要求1所述的提高近紫外全光谱的LED封装体，其特征在于：所述荧光胶层设有三层，分别是由下而上依次层叠的红粉荧光胶层、黄绿粉荧光胶层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：温小斌，傅志煌，曾健，
申请(专利权)人：厦门多彩光电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35