一种测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种测试方法及装置，待测样品可以包括衬底以及衬底上的待测膜层，去除待测膜层的部分厚度，可以得到待测膜层的检测层，利用X射线光电子能谱分析XPS设备可以获取检测层的元素分布数据，这样可以对待测膜层的内部元素分布进行检测，而X射线会激发检测层的电子，而不会对检测层的元素分布造成破坏，检测结果准确。

A test method and device

【技术实现步骤摘要】
一种测试方法及装置
本专利技术涉及测试领域，特别涉及一种测试方法及装置。
技术介绍
在半导体器件的制备工艺中，需要在衬底上形成各种膜层，在衬底上形成膜层的方式有多种，不同成膜方式可能导致不同的膜层元素成分，而膜层的不同元素成分分布可能导致该膜层具有不同的电学性能，因此对形成的膜层进行化学成分分布的测试显得尤为重要。举例来说，在3DNAND存储器中，电荷捕获层(chargetraplayer)和隧穿(tunnel)层的元素成分主要为Si、N和O，而电荷捕获层和隧穿层的元素成分分布与器件存储性能的优劣有很强的相关性，因此对电荷捕获层和隧穿层的元素成分进行表征对3DNAND存储器的设计有重大意义。目前使用透射电子显微镜(TransmissionElectronMicroscope，TEM)可以得到电子能量损失谱(electronenergylossspectroscopy，EELS)，从而对其成分进行分析，然而这种测试方式会在测试过程中对样品造成了一定损伤，得到的测试结果往往不够准确。
技术实现思路
<br>有鉴于此，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试方法，其特征在于，包括：/n提供待测样品，所述待测样品包括衬底以及所述衬底上的待测膜层；/n去除所述待测膜层的部分厚度，得到所述待测膜层的检测层；/n利用X射线光电子能谱分析XPS设备获取所述检测层的元素分布数据。/n

【技术特征摘要】
1.一种测试方法，其特征在于，包括：
提供待测样品，所述待测样品包括衬底以及所述衬底上的待测膜层；
去除所述待测膜层的部分厚度，得到所述待测膜层的检测层；
利用X射线光电子能谱分析XPS设备获取所述检测层的元素分布数据。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述待测膜层的部分厚度，包括：
利用氩离子束去除所述待测膜层的部分厚度。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述XPS设备包括X射线发生装置以及电子探测装置，则所述利用X射线光电子能谱分析XPS设备获取所述检测层的元素分布数据，包括：
利用所述X射线发生装置向所述检测层发射X射线；
利用所述电子探测装置获取所述检测层被X射线激发的电子；
根据所述电子探测装置获取的电子的能量状态和数量，确定所述检测层的元素分布数据。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依次多次执行去除所述待测膜层的部分厚度得到所述待测膜层的检测层，以及利用X射线光电子能谱分析设备获取所述检测层的元素成分分布的步骤，以获得多个检测层以及获取多个检测层的元素分布数据。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：
利用所述多个检测层的元素分布数据，确定所述待测膜层的元素分布数据。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述利用多个所述检测层的元素分布数据，确...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙兵，周阳，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42