用于处理电子元器件检测废水的方法技术

本发明专利技术涉及用于处理电子元器件检测废水的方法，向待处理的电子元器件检测废水中加入调碱药剂，搅拌5‑15min，获得pH值为8‑12的第一废水；向第一废水中加入混凝药剂和絮凝药剂，反应，获得带有絮体的第二废水；对向第二废水进行泥水分离处理，获得第三废水和底泥向第三废水中加入消泡剂，搅拌10‑30min，获得第四废水；对S4获得的第四废水用吸附材料进行吸附处理，获得出水。本发明专利技术的方法处理量大、处理速度快、污染物去除效果好，出水可回用。

A method for the treatment of waste water from the detection of electronic components

【技术实现步骤摘要】
用于处理电子元器件检测废水的方法
本专利技术涉及用于处理电子元器件检测废水的方法，尤其涉及用于处理电子陶瓷元器件检测废水的方法，属于水处理领域。
技术介绍
我国是世界电子陶瓷元器件的生产大国之一。近年来，由于通信、计算机、电子仪表、家用电器和数字电路技术的普及发展，我国电子陶瓷元器件的市场需求日益增长。电子陶瓷产品的合格率是电子陶瓷生产商很关注的问题。目前，一般地，电子陶瓷生产商采用墨水浸泡，再用洗涤剂清洗检测裂缝的方法，采用此种方法不可避免会出现大量废水，该废水SS含量高、色度高，还含有表面活性剂。随着国家对电子陶瓷行业污染物排放标准要求越来越严格，如未达标排放势必会造成电子陶瓷生产商日常生产的停滞。目前，电子陶瓷生产商处理该废水主要是通过物理沉淀和压滤处理，该处理速度慢、处理量小，对废水中的色度和表面活性剂去除效果差，出水难以回用，浪费水资源。因此，亟待专利技术一种处理量大、处理速度快、污染物去除效果好，出水可回用的方法。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供用于处理电子元器件检测废水的方法，以提升废水处理速度、处理效果。为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案如下：用于处理电子元器件检测废水的方法，包括如下步骤：S1、向待处理的电子元器件检测废水中加入调碱药剂，搅拌5-15min，获得pH值为8-12的第一废水；S2、向S1获得的第一废水中加入混凝药剂和絮凝药剂，反应，可选地，反应5-20min，优选地，反应10-15min，获得带有絮体的第二废水；S3、对向S2获得的第二废水进行泥水分离处理，获得第三废水和底泥；S4、向S3获得的第三废水中加入消泡剂，搅拌10-30min，优选地，搅拌10-20min，获得第四废水；S5、对S4获得的第四废水用吸附材料进行吸附处理，获得出水；其中，所述吸附材料包括活性炭、离子树脂中的至少一种。进一步地，S1中，所述调碱药剂为氧化钙、氢氧化钠、碳酸钠、碳酸氢钠中的一种或几种。可选地，S1中，搅拌时间为5min-10min。可选地，S1中，搅拌8-12min。进一步地，S1中，搅拌速率为60～80rpm。进一步地，S2中，所述混凝药剂包括聚合氯化铝；所述絮凝药剂包括聚丙烯酰胺。进一步地，S2中，预先将混凝药剂配置成质量浓度为5-10％的溶液A，再按(0.5-2)：1000的质量比将溶液A与第一废水混合。可选地，预先絮凝药剂配置成质量浓度为0.1％的溶液B，再按(0.2-1)：1000的质量比将溶液B与第二废水混合。优选地，S2中，先向第一废水中加入混凝药剂，以50～80rpm的速率搅拌5min-8min；再向第一废水中加入絮凝药剂，以50～80rpm的速率搅拌3min-5min，获得带有絮体的第二废水。进一步地，S3中，通过沉淀池进行泥水分离处理，其中，所述沉淀池为斜板沉淀池或斜管沉淀池。具体地，将带有絮体的第二废水直接输入沉淀池。第二废水中的絮体沉淀至池底获得底泥，上清液溢流出，获得第三废水。进一步地，S3之后，对底泥进行压滤脱水，获得干化底泥和压滤液，将压滤液返回作为第三废水。干化底泥可填埋或者焚烧处置。进一步地，S4中，所述消泡剂为聚醚类消泡剂。进一步地，S4中，预先将消泡剂配置成质量浓度为5-10％的溶液C，再按(0.5-1)：1000的质量比将溶液C与第三废水混合。进一步地，S4中，搅拌速率为100～120rpm，搅拌时间为10min-15min。进一步地，S5中，吸附处理时，第四废水在吸附材料中的停留时间为5-10min。进一步地，S5之后，用稀酸对吸附材料进行洗脱处理。如此，吸附材料吸附饱和时，可进行洗脱处理后，再次使用。可选地，所述稀酸包括硫酸、盐酸中的至少一种。可选地，进行洗脱处理时，稀酸在吸附材料中停留10-20min。可选地，出水达标排放或回用。进一步地，所述待处理的电子元器件检测废水中，表面活性剂浓度为4-6mg/L，SS浓度为400-600mg/L，色度为350-450倍，pH值为3.5-5。本专利技术的方法尤其适用于含有阴离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂的废水的处理。本专利技术通过加入氧化钙、氢氧化钠等调碱药剂控制废水pH在8-12之间，使得废水中形成金属螯合物、盐沉淀微粒，消除废水色度，再加入混凝药剂和絮凝药剂，使水中悬浮微粒和集聚变大，形成絮团，从而加快粒子的聚沉。同时，废水中部分表面活性剂也被集聚，降低了后续处理负荷。可选地，通过沉淀池快速完成泥水分离，泥水分离后的底泥通过压滤脱水干化，干化后的底泥可填埋或者焚烧处置。通过添加消泡剂降低表面活性剂的表面张力，使吸附材料实现更高效的吸附。本专利技术通过调碱消色联合絮凝沉淀和消泡吸附处理技术，通过技术的联合使用，解决了单独工艺只能解决一种污染物的问题。调碱形成金属螯合物、盐沉淀能加重絮体的重量，使絮体在反应过程中不因表面活性剂产生的泡沫上浮，通过沉淀池快速沉淀分离，从而提高处理效率。本专利技术提出的调碱消色联合絮凝沉淀和消泡吸附处理技术，合理优化加药量、反应时间，吸附材料反复脱洗使用，能有效降低废水处理成本、提高处理效果和减少处理时间。整个过程可通过现有工业污水处理设备完成，容易实现工业化，满足处理量需求。本专利技术提出的调碱消色联合絮凝沉淀和消泡吸附处理技术，处理后出水能达到国家中水回用标准，可有效的节约水资源。附图说明图1是本专利技术第一种实施方式的用于处理电子元器件检测废水的方法的流程简图。具体实施方式以下将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。用于处理电子元器件检测废水的方法，包括以下步骤：步骤1：药剂配置调碱药剂：按质量浓度10％-20％配置溶液，含钙化合物搅拌成乳浊液即可，含钠化合物搅拌至完成溶解水中。备用。混凝药剂：按质量浓度5％-10％配置溶液，搅拌至无块状物。备用。絮凝药剂：按质量浓度0.1％配置溶液，搅拌至药剂完全溶解且形成稠状物质。备用。消泡剂：按质量浓度5％-10％配置溶液，搅拌至完全溶解水中。备用。稀酸：按质量比为(0.5-1)：10配置稀酸溶液。搅拌混合均匀，待溶液冷却。备用。步骤2：调碱消色按调碱药剂溶液质量比(0.5-1)：1000向待处理废水加入调碱药剂溶液，再搅拌，搅拌速率为60～80rpm，搅拌时间为5min-10min。控制废水pH在8-12之间。生成沉淀，消除废水色度。步骤3：絮凝沉淀按混凝药剂溶液质量比(0.5-2)：1000加入到步骤2中调碱消色后的废水中，搅拌，搅拌速率为50～80rpm，搅拌时间为5min-8min。待形成细小絮体后，在加入絮凝药剂溶液，溶液按质量比(0.2-1)：1000加入。搅拌，搅拌速率为50～本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于处理电子元器件检测废水的方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、向待处理的电子元器件检测废水中加入调碱药剂，搅拌5-15min，获得pH值为8-12的第一废水；/nS2、向S1获得的第一废水中加入混凝药剂和絮凝药剂，反应，获得带有絮体的第二废水；/nS3、对向S2获得的第二废水进行泥水分离处理，获得第三废水和底泥；/nS4、向S3获得的第三废水中加入消泡剂，搅拌10-30min，获得第四废水；/nS5、对S4获得的第四废水用吸附材料进行吸附处理，获得出水；/n其中，所述吸附材料包括活性炭、离子树脂中的至少一种。/n

【技术特征摘要】
1.用于处理电子元器件检测废水的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、向待处理的电子元器件检测废水中加入调碱药剂，搅拌5-15min，获得pH值为8-12的第一废水；
S2、向S1获得的第一废水中加入混凝药剂和絮凝药剂，反应，获得带有絮体的第二废水；
S3、对向S2获得的第二废水进行泥水分离处理，获得第三废水和底泥；
S4、向S3获得的第三废水中加入消泡剂，搅拌10-30min，获得第四废水；
S5、对S4获得的第四废水用吸附材料进行吸附处理，获得出水；
其中，所述吸附材料包括活性炭、离子树脂中的至少一种。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调碱药剂为氧化钙、氢氧化钠、碳酸钠、碳酸氢钠中的一种或几种；所述混凝药剂包括聚合氯化铝；所述絮凝药剂包括聚丙烯酰胺。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，S2中，预先将混凝药剂配置成质量浓度为5-10%的溶液A，再按（0.5-2）：1000的质量比将溶液A与第一废水混合；预先絮凝药剂配置成质量浓度为0.1%的溶液B，再按（0.2-1）：1000的质量比将溶液B与第二废水混合。


4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘东斌，言海燕，王喜，徐德良，陈亚利，曹文娟，刘烨煊，
申请(专利权)人：中铁环境科技工程有限公司，中铁高新工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43