一种电流传感器封装结构制造技术

技术编号:23273118 阅读:21 留言:0更新日期:2020-02-08 12:10
本实用新型专利技术涉及一种电流传感器封装结构,包括磁传感器芯片和塑封料,所述磁传感器芯片两侧的边缘处皆设置有连接点,且连接点位置处的磁传感器芯片底部皆设置有第一触点,两个所述第一触点下方的塑封料内部分别设置有第一引线架和第二引线架,且第一引线架和第二引线架一端的顶部设置有第二触点,所述第一触点与第二触点外侧和凹槽内部皆涂覆有镍导电漆屏蔽层,所述第一引线架与第二引线架的另一端皆连接有引线片,所述磁传感器芯片上方的塑封料内部设置有第一导热硅胶绝缘片,所述磁传感器芯片下方的中间位置处设置有连接槽,且连接槽的顶部设置有第二导热硅胶绝缘片,本实用新型专利技术绝缘性好,方便对磁场进行屏蔽,同时便于散热。

A packaging structure of current sensor

【技术实现步骤摘要】
一种电流传感器封装结构
本技术涉及电流传感器
,具体为一种电流传感器封装结构。
技术介绍
电流传感器的基本原理是利用电磁感应现象,通过一颗磁传感器芯片来检测流过导线的电流大小,现有的霍尔电流传感器的制造,多数采用的是倒装芯片技术,其引线框架包括一段弧形导线,待测电流通常是在弧形导线上流过,当所述弧形导线中通过电流时,弧形导线能够在圆弧的中心处形成一耦合磁场的增强区域,而磁传感器芯片就倒装设置于弧形导线上方,磁传感器芯片通过感应该区域的磁场强度来检测通过导线的电流大小。现有技术的缺陷在于,被检测的电流通常会是大电流,而磁传感器芯片与弧形导线之间仅仅靠塑封料进行绝缘,由于塑封料绝缘性能有限,弧形导线与磁传感器芯片接触点位置处容易发生漏电,为了防止弧形导线与磁传感器芯片之间的高压漏电,同时在使用的过程中磁传感器芯片容易产生大量的热量,无法将热量进行散出,从而在一定的程度上减少了磁传感器芯片的使用寿命。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种电流传感器封装结构,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种电流传感器封装结构,包括磁传感器芯片和塑封料,所述塑封料内部的中间位置处设置有磁传感器芯片,所述磁传感器芯片两侧的边缘处皆设置有连接点,且连接点位置处的磁传感器芯片底部皆设置有第一触点,并在第一触点位置处的塑封料内部设置有凹槽,两个所述第一触点下方的塑封料内部分别设置有第一引线架和第二引线架,且第一引线架和第二引线架一端的顶部设置有第二触点,所述第一触点与第二触点皆位于凹槽的内部并相互焊接,所述第一触点与第二触点外侧和凹槽内部皆涂覆有镍导电漆屏蔽层,所述第一引线架与第二引线架的另一端皆连接有引线片,且引线片的另一端分别延伸至塑封料的外侧,所述塑封料外侧的引线片外侧皆设置有防护座,所述磁传感器芯片上方的塑封料内部设置有第一导热硅胶绝缘片,且第一导热硅胶绝缘片的一侧延伸至塑封料的顶部,所述磁传感器芯片下方的中间位置处设置有连接槽,且连接槽的顶部设置有第二导热硅胶绝缘片,所述第二导热硅胶绝缘片的另一侧与磁传感器芯片的底部相接触。优选的,所述塑封料两侧的引线片的数量均为大于零的偶数。优选的,所述防护座侧面的形状呈“U”型。优选的,所述第一导热硅胶绝缘片和第二导热硅胶绝缘片位置处的塑封料上对应设置有与第一导热硅胶绝缘片和第二导热硅胶绝缘片相适配的通孔。与现有技术相比,本技术的有益效果是:一、本技术的电流传感器封装结构,通过在连接点位置处的磁传感器芯片底部皆设置第一触点,并在第一触点位置处的塑封料内部设置凹槽,两个第一触点下方的塑封料内部分别设置第一引线架和第二引线架,且第一引线架和第二引线架一端的顶部设置第二触点,并在第一触点与第二触点皆位于凹槽的内部并相互焊接,并在第一触点与第二触点外侧和凹槽内部皆涂覆镍导电漆屏蔽层,利用在第一触点与第二触点的外侧和凹槽的内侧皆涂覆镍导电漆屏蔽层,根据镍导电漆屏蔽层的性质,具有很好的抗静电与屏蔽效果,从而使第一触点与第二触点接触点产生的磁场进行屏蔽,防止电磁的干扰,从而使电流只能随第一触点进入磁传感器芯片的内部依次导向,从而提高了检测的效果,同时增加了对磁传感器芯片的防护。二、本技术的电流传感器封装结构,通过在磁传感器芯片上方的塑封料内部设置第一导热硅胶绝缘片,且第一导热硅胶绝缘片的一侧延伸至塑封料的顶部,并在磁传感器芯片下方的中间位置处设置连接槽,且连接槽的顶部设置第二导热硅胶绝缘片,并在第二导热硅胶绝缘片的另一侧与磁传感器芯片的底部相接触,通过第一导热硅胶绝缘片与磁传感器芯片顶部接触,同时通过第二导热硅胶绝缘片与磁传感器芯片的底部相接触,利用第一导热硅胶绝缘片与第二导热硅胶绝缘片材料的导热绝缘性质,对磁传感器芯片进行散热,进一步提升磁传感器芯片的使用寿命,同时利用导热硅胶绝缘片高弹力的性质,从而对电流传感器在运输过程中进行减震,防止磁传感器芯片发生碰撞。附图说明图1为本技术的俯视结构示意图;图2为本技术的整体侧视结构示意图;图3为图2中A处放大结构示意图。图中:1-磁传感器芯片,2-连接点,3-防护座,4-引线片,5-第一引线架,6-塑封料,7-第二引线架,8-第一导热硅胶绝缘片,9-连接槽,10-第二导热硅胶绝缘片,11-第一触点,12-凹槽,13-第二触点,14-镍导电漆屏蔽层。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。如图1-3所示的一种电流传感器封装结构,包括磁传感器芯片1和塑封料6,塑封料6内部的中间位置处设置有磁传感器芯片1,磁传感器芯片1两侧的边缘处皆设置有连接点2,且连接点2位置处的磁传感器芯片1底部皆设置有第一触点11,并在第一触点11位置处的塑封料6内部设置有凹槽12,两个第一触点11下方的塑封料6内部分别设置有第一引线架5和第二引线架7,且第一引线架5和第二引线架7一端的顶部设置有第二触点13,第一触点11与第二触点13皆位于凹槽12的内部并相互焊接,第一触点11与第二触点13外侧和凹槽12内部皆涂覆有镍导电漆屏蔽层14,第一引线架5与第二引线架7的另一端皆连接有引线片4,且引线片4的另一端分别延伸至塑封料6的外侧,塑封料6外侧的引线片4外侧皆设置有防护座3,磁传感器芯片1上方的塑封料6内部设置有第一导热硅胶绝缘片8,且第一导热硅胶绝缘片8的一侧延伸至塑封料6的顶部,磁传感器芯片1下方的中间位置处设置有连接槽9,且连接槽9的顶部设置有第二导热硅胶绝缘片10,第二导热硅胶绝缘片10的另一侧与磁传感器芯片1的底部相接触。在本技术中,塑封料6两侧的引线片4的数量均为大于零的偶数。在本技术中,防护座3侧面的形状呈“U”型。在本技术中,第一导热硅胶绝缘片8和第二导热硅胶绝缘片10位置处的塑封料6上对应设置有与第一导热硅胶绝缘片8和第二导热硅胶绝缘片10相适配的通孔。本技术的工作原理为:首先将磁传感器芯片1底部的第一触点11与第一引线架5和第二引线架7上的第二触点13进行焊接,然后在将凹槽12先涂覆于第一触点11与第二触点13的外侧对其进行包裹,同时在塑封料6内部的凹槽12内涂覆一层镍导电漆屏蔽层14,然后在将磁传感器芯片1与第一引线架5和第二引线架7位于塑封料6的内部,随后在对电流传感器的使用过程中,电流从第二引线架7端部的引线片4通过第二引线架7经过磁传感器芯片1后随第一引线架5和引线片4将电流导出,从而对电流进行检测,在对电流的检测过程中,现有的都是通过触点直接与磁传感器芯片1进行接触,从而在使用的过程中容易产生磁场,从而在对电流的检测过程中,电流随磁场的产生,电流会随本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电流传感器封装结构,包括磁传感器芯片(1)和塑封料(6),其特征在于:所述塑封料(6)内部的中间位置处设置有磁传感器芯片(1),所述磁传感器芯片(1)两侧的边缘处皆设置有连接点(2),且连接点(2)位置处的磁传感器芯片(1)底部皆设置有第一触点(11),并在第一触点(11)位置处的塑封料(6)内部设置有凹槽(12),两个所述第一触点(11)下方的塑封料(6)内部分别设置有第一引线架(5)和第二引线架(7),且第一引线架(5)和第二引线架(7)一端的顶部设置有第二触点(13),所述第一触点(11)与第二触点(13)皆位于凹槽(12)的内部并相互焊接,所述第一触点(11)与第二触点(13)外侧和凹槽(12)内部皆涂覆有镍导电漆屏蔽层(14),所述第一引线架(5)与第二引线架(7)的另一端皆连接有引线片(4),且引线片(4)的另一端分别延伸至塑封料(6)的外侧,所述塑封料(6)外侧的引线片(4)外侧皆设置有防护座(3),所述磁传感器芯片(1)上方的塑封料(6)内部设置有第一导热硅胶绝缘片(8),且第一导热硅胶绝缘片(8)的一侧延伸至塑封料(6)的顶部,所述磁传感器芯片(1)下方的中间位置处设置有连接槽(9),且连接槽(9)的顶部设置有第二导热硅胶绝缘片(10),所述第二导热硅胶绝缘片(10)的另一侧与磁传感器芯片(1)的底部相接触。/n...

【技术特征摘要】
1.一种电流传感器封装结构,包括磁传感器芯片(1)和塑封料(6),其特征在于:所述塑封料(6)内部的中间位置处设置有磁传感器芯片(1),所述磁传感器芯片(1)两侧的边缘处皆设置有连接点(2),且连接点(2)位置处的磁传感器芯片(1)底部皆设置有第一触点(11),并在第一触点(11)位置处的塑封料(6)内部设置有凹槽(12),两个所述第一触点(11)下方的塑封料(6)内部分别设置有第一引线架(5)和第二引线架(7),且第一引线架(5)和第二引线架(7)一端的顶部设置有第二触点(13),所述第一触点(11)与第二触点(13)皆位于凹槽(12)的内部并相互焊接,所述第一触点(11)与第二触点(13)外侧和凹槽(12)内部皆涂覆有镍导电漆屏蔽层(14),所述第一引线架(5)与第二引线架(7)的另一端皆连接有引线片(4),且引线片(4)的另一端分别延伸至塑封料(6)的外侧,所述塑封料(6)外侧的引线片(4)外侧皆设置有防护...

【专利技术属性】
技术研发人员:高田启明
申请(专利权)人:田村电子深圳有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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