波导型锗基光电探测器制造技术

本实用新型专利技术提供一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，波导型锗基光电探测器包括：锗基光电探测器；硅波导结构，连接于所述锗基光电探测器的第一端；硅波导分布式布拉格反射镜，连接于所述锗基光电探测器的第二端。与传统波导型探测器相比，本实用新型专利技术通过在锗光电探测器后端引入硅波导分布式布拉格反射镜结构，使光线经反射再次进入锗光电探测器，可实现更高效的光吸收效率，从而可以有效减小探测器的长度，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备。

Waveguide germanium photodetector

【技术实现步骤摘要】
波导型锗基光电探测器
本发属于半导体制造及光通信领域，特别是涉及一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器及其制备方法。
技术介绍
光电探测器是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种器件。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。硅基锗光电探测器，因其与CMOS工艺兼容，且便于集成，在光通信、光互联和光传感等领域有着广泛的引用。相较于面入射型探测器，波导型探测器能避免光探测器速率和量子效率间相互制约的问题，且可以与波导光路集成，更容易实现高速高响应度，是实现高速光通信和光互联芯片的核心器件之一。受限于锗材料在C、L通信波段相对较低的吸收系数，为了实现高的响应度，探测器必须足够长，这使得探测器的电容和暗电流难以进一步优化。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器及其制备方法，用于解决现有技术中波导型锗光电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于，包括：/n锗基光电探测器；/n硅波导结构，连接于所述锗基光电探测器的第一端；/n硅波导分布式布拉格反射镜，连接于所述锗基光电探测器的第二端。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于，包括：
锗基光电探测器；
硅波导结构，连接于所述锗基光电探测器的第一端；
硅波导分布式布拉格反射镜，连接于所述锗基光电探测器的第二端。


2.根据权利要求1所述的硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于：所述硅波导分布式布拉格反射镜通过变化硅波导的宽度尺寸或/及高度尺寸实现。


3.根据权利要求1所述的硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于：所述硅波导结构的入射光通过直接耦合或消逝波耦合方式进入所述锗基光电探测器。


4.根据权利要求1所述的硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于：所述硅波导分布式布拉格反射...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪巍，方青，涂芝娟，曾友宏，蔡艳，余明斌，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31