【技术实现步骤摘要】
一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器
本技术涉及光电传感
，具体涉及一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器。
技术介绍
基于PN结（或PIN结、或异质结）的光电探测器利用形成的内建电场收集半导体层受光激发而产生的光生载流子。然而，选定的半导体对能量低于其带隙的电磁波段是透明的，所以利用该半导体构筑的探测器无法实现对能量低于其带隙的波段探测。不同于基于半导体光吸收的光电器件，热电子光电探测器可以突破半导体带隙限制，金属薄膜光吸收产生的热电子（空穴）可通过界面电荷转移直接进入半导体导带（价带）而产生宏观电流。在典型的半导体材料中，二氧化钛由于环保、廉价、耐光降解在基于半导体光响应的紫外光电探测系统中获得了广泛应用。然而，二氧化钛的宽带隙属性（3.2eV）从本质上限制了它在可见和近红外波段的应用。利用金属和半导体接触，金属吸收光子后产生热电子，然后克服肖特基势垒转移到半导体中，可实现在可见到近红外波段的光电探测。然而，由于缺少有效的光电管理策略，目前的热电子器件的光电响应度相当低。提高热电子器件性能的一...
【技术保护点】
1.一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器，其特征在于，包含二氧化硅基底、布拉格反射器和金属薄膜；/n所述布拉格反射器和所述金属薄膜依次设于所述二氧化硅基底上；/n所述布拉格反射器包含多对高折射率薄膜层和低折射率薄膜层，所述高折射率薄膜层和所述低折射率薄膜层由上至下交替设置，所述布拉格反射器顶层为高折射率薄膜层，且该层的材料为二氧化钛；/n所述金属薄膜的顶部一侧设有顶部导电电极，位于所述布拉格反射器顶层的所述高折射率薄膜层的底部设有栅状底部导电电极。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器，其特征在于，包含二氧化硅基底、布拉格反射器和金属薄膜；
所述布拉格反射器和所述金属薄膜依次设于所述二氧化硅基底上；
所述布拉格反射器包含多对高折射率薄膜层和低折射率薄膜层，所述高折射率薄膜层和所述低折射率薄膜层由上至下交替设置，所述布拉格反射器顶层为高折射率薄膜层，且该层的材料为二氧化钛；
所述金属薄膜的顶部一侧设有顶部导电电极，位于所述布拉格反射器顶层的所述高折射率薄膜层的底部设有栅状底部导电电极。
2.根据权利要求1所述的基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器，其特征在于，所述金属薄膜为金、银、钛、铂、锡、钯、镍、铬中的一种或其金属氮化物。
3.根据权利要求2所述的基于塔姆等离子的平面...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘鉴辉，刘慧敏，俞童，吴绍龙，张程，李孝峰，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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