【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】缺陷检测装置、缺陷检测方法、晶片、半导体芯片、裸片接合机、半导体制造方法、以及半导体装置制造方法
本专利技术涉及晶片(wafer)、检测在被从该晶片切断而单片化的芯片等工件的表面形成的裂纹的缺陷检测装置、缺陷检测方法、裸片接合机(diebonder)、接合方法,并进一步涉及晶片、半导体芯片(semiconductorchip)、半导体制造方法、以及半导体装置制造方法。
技术介绍
作为检测产生于芯片(半导体芯片)的裂纹的检测装置,以往有各种提案(专利文献1~专利文献3)。在专利文献1中,通过摄像单元对半导体表面的图像进行摄像,通过检测单元求取从该摄像单元输出的多个彩色信号的相关系数,由这些相关系数来检测半导体表面的缺陷。因此,能够检测变色、污损等缺陷。在专利文献2中,从形成有将主面侧密封的树脂层的晶片的背面侧,使光轴与所述晶片的主面交叉地照射红外光线,一面接受该反射光一面进行摄像,由此检测在晶片内部产生的裂纹。即,从通过切割而单片化的晶片的背面侧照射红外光线,从而能够使红外光线透过晶片,一面接受在产生于晶片内部的裂纹的界面漫反射的红外光线的反射光一面对其进行成像,从而能够使产生于晶片内部的裂纹显像化。在专利文献3中,通过检测来自半导体芯片的弹性波来检测半导体芯片的变形以及裂纹的产生。在先技术文献专利文献专利文献1:JP特开平6-82377号公报专利文献2:JP特开2008-45965号公报专利文献3:JP特开2015-170746号公报专利 ...
【技术保护点】
1.一种缺陷检测装置,检测在作为半导体产品或者半导体产品的一部分的工件中至少具有倾斜面部的缺陷,/n所述缺陷检测装置的特征在于,/n具备检查机构,该检查机构具有:/n对所述工件照射明视野照明光的照明单元;和/n构成观察光学系统且观察由所述照明单元照射的所述工件的观察部位的摄像装置,/n所述检查机构观察从光轴方向上自合焦位置散焦的非合焦位置射出的来自所述工件的反射光,与由来自合焦位置的反射光形成的观察图像上的缺陷相比,更强调由来自所述非合焦位置的反射光形成的观察图像上的缺陷。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170607 JP 2017-1128701.一种缺陷检测装置,检测在作为半导体产品或者半导体产品的一部分的工件中至少具有倾斜面部的缺陷,
所述缺陷检测装置的特征在于,
具备检查机构,该检查机构具有:
对所述工件照射明视野照明光的照明单元;和
构成观察光学系统且观察由所述照明单元照射的所述工件的观察部位的摄像装置,
所述检查机构观察从光轴方向上自合焦位置散焦的非合焦位置射出的来自所述工件的反射光,与由来自合焦位置的反射光形成的观察图像上的缺陷相比,更强调由来自所述非合焦位置的反射光形成的观察图像上的缺陷。
2.根据权利要求1所述缺陷检测装置,其特征在于,
从合焦位置和非合焦位置的至少包含非合焦位置的两个不同的位置射出反射光。
3.根据权利要求2所述缺陷检测装置,其特征在于,
所述检查机构以所述合焦位置为边界,基于分别从接近于所述摄像装置的一侧的非合焦位置和与所述摄像装置分离的一侧的非合焦位置射出的反射光来进行检查。
4.根据权利要求1~3中任一项所述缺陷检测装置,其特征在于,
通过将所述工件配置在非合焦位置,从而使来自工件的反射光从光轴方向上自合焦位置偏离的非合焦位置射出。
5.根据权利要求1~4中任一项所述缺陷检测装置,其特征在于,
所述检查机构具备使来自工件的反射光从光轴方向上自合焦位置偏离的非合焦位置射出的散焦单元,所述散焦单元是以下的任一种单元:使工件和光学系统在光轴方向上相对移动的单元、变更光学系统的单元、使用合焦位置不同的多个光学系统以及受光元件的单元、变更照明或者观察波长的单元。
6.根据权利要求1~5中任一项所述缺陷检测装置,其特征在于,
在从观察光学系统中的合焦位置散焦100μm以上的位置进行检查。
7.根据权利要求1~6中任一项所述缺陷检测装置,其特征在于,
具备根据散焦量和分离幅宽来检测面部的倾斜角度以及缺陷幅宽的检测部。
8.根据权利要求1~7中任一项所述缺陷检测装置,其特征在于,
所述工件可以由多层构造构成,且是从检查对象的层反射或者散射而入射到摄像装置的光的强度比来自其他层的强度大的波长。
9.根据权利要求8所述缺陷检测装置,其特征在于,
所述工件具备:
浓淡层,具有来源于半导体制造工序的浓淡图案;以及
被覆层,覆盖该浓淡层的浓淡图案,
从所述照明单元照射的照明光是至少与从浓淡层反射而入射到所述摄像装置的光相比从所述被覆层反射或者散射而入射到摄像装置的光的强度大的波长且降低了所述浓淡层的浓淡图案的影响的光。
10.根据权利要求1~9中任一项所述缺陷检测装置,其特征在于,
所述被覆层是有机物层。
11.根据权利要求1~10中任一项所述缺陷检测装置,其特征在于,
所述照明单元的照明光当中被观察的波长是450nm以下或者1000nm以上。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的缺陷检测装置,其特征在于,
所述缺陷检测装置具有载置工件的工作台,该工作台的工件的载置部由通过吸引来吸引并保持工件的多孔质材料...
【专利技术属性】
技术研发人员:田井悠,永元信裕,下川义和,清水洋儿,上林笃正,
申请(专利权)人:佳能机械株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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