【技术实现步骤摘要】
一种红外传感器及其制备方法
本专利技术属于柔性电子器件领域和光电探测器领域，具体涉及一种红外传感器的研制及制备方法。
技术介绍
光通信技术为信息化技术中的重中之重，光通信技术具有保密性高、防干扰、传输距离远等优点。光电探测器是光通信系统中最基本的器件之一，然而，现在的光电探测器，无论是一维材料、二维材料亦或是有机材料，均存在暗电流较大，使得器件的开关比比较低，从而光电流和暗电流的区分度不高的问题。在前人的研究工作中，传统的红外光电探测器主要是在硅衬底上制作，无法弯折，无法满足柔性化、可穿戴和便携化的要求。因此，本领域的技术人员采用了一维的无机纳米线作为半导体层得到红外光电探测器，其开关比仅为2倍或者不到2倍，在如此低的开关比下，当实际应用场景中存在噪声等干扰、以及器件稳定性的限制时，使其在传输过程中出现误码，信息传递可靠性降低，基本无法使用。在另一研究工作中，本领域的技术人员采用了有机物制造光电探测器，但存在着工作寿命低，对制备的环境要求苛刻且易于受到环境影响，制备的光电探测器尺寸过大等问题。专利技术...
【技术保护点】
1.一种传感器，其特征在于，包括：/n晶体管(1)、光电探测器(2)、参考电阻(3)以及衬底(4)；/n所述晶体管(1)包括栅极(5)、绝缘层(6)、第一源极(7)、第一漏极(8)以及第一无机半导体纳米线(9)；所述第一源极(7)及第一漏极(8)设置于所述衬底(4)上，所述第一无机半导体纳米线(9)与所述第一源极(7)、所述第一漏极(8)连接，所述绝缘层(6)设置于所述第一源极(7)、第一漏极(8)以及第一无机半导体纳米线(9)上，所述栅极(5)设置于所述绝缘层(6)上；/n所述光电探测器(2)包括第二无机半导体纳米线(10)、第二源极(11)以及第二漏极(12)；所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种传感器，其特征在于，包括：
晶体管(1)、光电探测器(2)、参考电阻(3)以及衬底(4)；
所述晶体管(1)包括栅极(5)、绝缘层(6)、第一源极(7)、第一漏极(8)以及第一无机半导体纳米线(9)；所述第一源极(7)及第一漏极(8)设置于所述衬底(4)上，所述第一无机半导体纳米线(9)与所述第一源极(7)、所述第一漏极(8)连接，所述绝缘层(6)设置于所述第一源极(7)、第一漏极(8)以及第一无机半导体纳米线(9)上，所述栅极(5)设置于所述绝缘层(6)上；
所述光电探测器(2)包括第二无机半导体纳米线(10)、第二源极(11)以及第二漏极(12)；所述第二源极(11)以及所述第二漏极(12)设置于所述衬底(4)上，所述第二无机半导体纳米线(10)与所述第二源极(11)、所述第二漏极(12)连接；
所述参考电阻(3)包括所述第二无机半导体纳米线(10)、第三源极(13)以及第三漏极(14)；所述第三源极(13)以及所述第三漏极(14)设置于所述衬底(4)上，所述第二无机半导体纳米线(10)与所述第三源极(13)、所述第三漏极(14)连接；
所述第二漏极(12)、所述第三漏极(14)与所述栅极(5)连接；
其中，所述第一无机半导体纳米线(9)的禁带宽度大于所述第二无机半导体纳米线(10)的禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述第一无机半导体纳米线(9)的禁带宽度大于等于2.3eV；所述第二无机半导体纳米线(10)的禁带宽度小于0.26eV。
3.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述第一无机半导体纳米线(9)为氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化铟镓、以及铟镓锌氧中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述第二无机半导体纳米线(10)材料为硫硒铋。
5.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述第一无机半导体纳米线(9)...
【专利技术属性】
技术研发人员：娄正，沈国震，冉文浩，魏钟鸣，赵淑芳，王得鹏，尹瑞阳，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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