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本发明提供了一种传感器，其特征在于，包括：晶体管(1)，光电探测器(2)，参考电阻(3)以及衬底(4)；晶体管(1)包括第一源极(7)，第一漏极(8)以及第一无机半导体纳米线(9)，第一无机半导体纳米线(9)与第一源极(7)与第一漏极(8)...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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