三线态-三线态湮灭上转换光敏剂及其应用制造技术

技术编号:23187375 阅读:41 留言:0更新日期:2020-01-24 15:00
本发明专利技术公开一种三线态‑三线态湮灭上转换光敏剂,结构通式如式I或式II所示:

Triplet triplet annihilation up conversion photosensitizer and its application

【技术实现步骤摘要】
三线态-三线态湮灭上转换光敏剂及其应用
本专利技术涉及弱光致光子频率上转换
,具体涉及一类基于邻菲啰啉金属配合物的三线态-三线态湮灭上转换光敏剂及其在生物分子检测方面的应用,以及一种双组份三线态-三线态湮灭上转换体系。
技术介绍
三线态-三线态湮灭(TTA)上转换是由光敏剂和发光剂组成的双组份体系,通过Dexter能量转移实现频率上转换。具体过程如下:I)光敏剂吸收激发光能量,将其储存至三线态;II)经过三线态-三线态传输过程将能量传递至发光剂的三线态;III)两个三线态激发态发光剂分子经过三线态-三线态湮灭过程,一个发光剂分子回到单线态基态,另一个获得它们的三线态能量被激发至更高的单线态激发态;IV)单线态激发态发光剂分子通过辐射跃迁回落至基态,发出延时荧光。与传统的双光子吸收相比,TTA上转换具有泵浦能量低、激发和发射波长可调等特点,在太阳能转换利用、信息存储和生物检测等方面具有潜在应用价值。在TTA上转换体系中,光敏剂作为TTA上转换的能量吸收窗口和能量传递者,其光物理性质对TTA上转换性能具有至关重要的作用。因此,开发高效的TTA上转换光敏剂是提高能量利用率,实现其应用价值的重要保证。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种三线态-三线态湮灭上转换光敏剂及其应用,以克服现有技术中的不足。为实现上述专利技术目的,本专利技术采用了如下技术方案:本专利技术实施例提供了一种三线态-三线态湮灭上转换光敏剂,所述三线态-三线态湮灭上转换光敏剂的结构式如式I或式II所示:其中,M为过渡金属离子;R包括4-(2,2-二苯乙烯基)苯基、蒽基、萘基、芘基、芴基、咔唑基和噻吩基中的任意一种;N,N二齿配体包括2,2-联吡啶或1,10-邻菲啰啉;X,X二齿配体包括1,10-邻菲啰啉衍生物。本专利技术实施例还提供了一种双组份三线态-三线态湮灭上转换体系,包括三线态-三线态湮灭上转换光敏剂与发光剂,所述三线态-三线态湮灭上转换光敏剂为前述的三线态-三线态湮灭上转换光敏剂。本专利技术实施例还提供了所述三线态-三线态湮灭上转换光敏剂于生物分子检测中的应用。较之现有技术,本专利技术的有益效果在于:(1)本专利技术实施例提供的基于邻菲啰啉的三线态-三线态湮灭(TTA)上转换光敏剂,与发光剂可以组成双组份TTA上转换体系,具有优异的弱光上转换效率。通过与发光剂之间的三线态能量转移,将长波长的光转换为短波长的光,这一过程只需通过泵浦光源光强为6mW·cm-2的弱光场实现。(2)上转换体系泵浦光源光强低至6mW·cm-2,太阳光激发下即可实现获得上转换荧光,大大拓展了TTA上转换的应用。(3)本专利技术实施例提供的三线态-三线态湮灭(TTA)上转换光敏剂,可以与生物分子发生相互作用,从而可以应用于TTA上转换对生物分子的检测领域,对生物分子的检测分析具有潜在应用。附图说明图1是本专利技术实施例一的双组份TTA上转换体系的上转换发光光谱图;图2为实施例二的双组份TTA上转换体系的上转换发光光谱图;图3为实施例三的双组份TTA上转换体系的上转换发光光谱图;图4为实施例四的双组份TTA上转换体系的上转换发光光谱图;图5为实施例五的双组份TTA上转换体系的上转换发光光谱图;图6为实施例八的双组份TTA上转换体系的上转换发光光谱图。具体实施方式针对现有技术的诸多缺陷,本案专利技术人经长期研究和大量实践,得以提出本专利技术的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。但是,应当理解,在本专利技术范围内,本专利技术的上述各技术特征和在下文(实施例)中具体描述的各技术特征之间都可以相互结合,从而构成新的或者优选的技术方方案。限于篇幅,在此不再一一累述。作为本专利技术技术方案的一个方面,其所涉及的系一种三线态-三线态湮灭上转换光敏剂,所述三线态-三线态湮灭上转换光敏剂的结构式如式I或式II所示:其中,M为过渡金属离子;R包括4-(2,2-二苯乙烯基)苯基、蒽基、萘基、芘基、芴基、咔唑基和噻吩基中的任意一种;N,N二齿配体包括2,2-联吡啶或1,10-邻菲啰啉;X,X二齿配体包括1,10-邻菲啰啉衍生物。在一些实施方案中,当n1=2,n2=3时,M为钌离子或铱离子。在一些实施方案中,当n1=1,n2=2时,M为铜离子。在一些实施方案中,所述1,10-邻菲啰啉衍生物具有式III、式IV、式V、式VI和式VII中任意一者所示的结构:其中,R为4-(2,2-二苯乙烯基)苯基、蒽基、萘基、芘基、芴基、咔唑基和噻吩基中的任意一种。在一些实施方案中,所述三线态-三线态湮灭上转换光敏剂具有VIII、式IX、式X、和式XI和式XII中任意一者所示的结构:本专利技术实施例还提供一种双组份三线态-三线态湮灭上转换体系,所述双组份三线态-三线态湮灭上转换体系包括三线态-三线态湮灭上转换光敏剂与发光剂,所述三线态-三线态湮灭上转换光敏剂为前述的三线态-三线态湮灭上转换光敏剂。在一些实施方案中,所述三线态-三线态湮灭上转换光敏剂与发光剂的摩尔比为1∶20~200。在一些实施方案中,所述发光剂的结构式如式XIII所示:其中,R1为氢或甲基,R2为氯、氰基或羧基。在一些实施方案中,所述双组份三线态-三线态湮灭上转换体系还包括介质,所述介质包括有机溶剂、微乳液、离子液和水中的任意一种或两种以上的组合。进一步地,所述有机溶剂包括甲苯、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲亚砜中的任意一种或两种以上的组合。本专利技术实施例还提供了所述三线态-三线态湮灭上转换光敏剂于生物分子检测中的应用。下面结合若干优选实施例及附图对本专利技术的技术方案做进一步详细说明,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。以下实施例中采用的实施条件可以根据实际需要而做进一步调整,未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。实施例1光敏剂的分子结构式为:发光剂的分子结构式为:将TTA上转换光敏剂与发光剂分散在DMF中,配成摩尔比为1∶0-1∶200的双组份TTA上转换体系。经过脱气处理后,在弱光场泵浦下(激发波长:488nm,泵浦能量密度40mWcm-2)可获得462nm的蓝色上转换荧光。图1为上述双组份TTA上转换体系的上转换发光光谱。图中依箭头方向依次表示摩尔比为1∶0、1∶20、1∶40、1∶60、1∶80、1∶100、1∶140、1∶180、1∶200的上转换光敏剂与发光剂配成的双组份TTA上转换体系的上转换发光光谱。光敏剂与发光剂在最佳摩尔配比1∶200的上转换效率为6.4%。随着激光光源功率密度从6mW·cm-2~4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三线态-三线态湮灭上转换光敏剂,其特征在于:所述三线态-三线态湮灭上转换光敏剂的结构式如式I或式II所示:/n

【技术特征摘要】
1.一种三线态-三线态湮灭上转换光敏剂,其特征在于:所述三线态-三线态湮灭上转换光敏剂的结构式如式I或式II所示:



其中,M为过渡金属离子;
R包括4-(2,2-二苯乙烯基)苯基、蒽基、萘基、芘基、芴基、咔唑基和噻吩基中的任意一种;
N,N二齿配体包括2,2-联吡啶或1,10-邻菲啰啉;
X,X二齿配体包括1,10-邻菲啰啉衍生物。


2.根据权利要求1所述的三线态-三线态湮灭上转换光敏剂,其特征在于:当n1=2,n2=3时,M为钌离子或铱离子。


3.根据权利要求1所述的三线态-三线态湮灭上转换光敏剂,其特征在于:当n1=1,n2=2时,M为铜离子。


4.根据权利要求1所述的三线态-三线态湮灭上转换光敏剂,其特征在于:所述1,10-邻菲啰啉衍生物具有式III、式IV、式V、式VI和式VII中任意一者所示的结构:



其中,R为4-(2,2-二苯乙烯基)苯基、蒽基、萘基、芘基、芴基、咔唑基和噻吩基中的任意一种。


5.根据权利要求1所述的三线态-三线态湮灭上转换光敏剂,其特征在于:所述三线态-三线态湮灭上转换光敏剂具有式VIII、式IX、式X...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁作芹邹志扬吕顺王筱梅叶常青
申请(专利权)人:苏州科技大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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