一种异三核金属有机炔配合物及其制备方法和用途技术

本发明专利技术属于发光材料及有机发光二极管技术领域，具体涉及一种磷光Pt

A heterotrinuclear organoalkyne complex and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种异三核金属有机炔配合物及其制备方法和用途
本专利技术属于发光材料及有机发光二极管
，具体涉及一种磷光Pt2M(M＝Au(I),Ag(I),Cu(I))异三核金属有机炔配合物、其合成方法及其作为磷光材料在有机发光二极管中的应用。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)是一种薄膜发光器件，在其阴阳电极间一般包含发光层等多层有机薄膜夹层，能够在低驱动电压(3-12V)作用下使电能转化为光能-即电致发光，在平板显示和照明领域具有非常广阔的应用前景。有机发光二极管的核心是发光薄膜材料，发光材料的突破也是实现电致发光高效显示和照明普及应用的关键，更是电致发光技术竞争的焦点。当前OLED的商用发光材料主要是磷光环金属铱(III)配合物，其能量利用效率可达到100％，但存在价格昂贵、色度不全(蓝色磷光材料缺乏)、铱资源紧缺等挑战性问题。因此，开发结构新颖，制备方法简便，合成产率高的新型低成本发光材料具有极为重要的现实意义。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种磷光Pt2M(M＝Au(I),Ag(I),Cu(I))异三核金属有机炔配合物，其制备方法及其作为高效率磷光材料在有机发光二极管中的应用。本专利技术的目的通过如下方式实现：一种Pt2M异三核金属有机炔配合物，其结构为如下式(I)所示：[Pt2M(μ-dpmp)2(μ-C≡C-R'-C≡C)(C≡CR)2]+mAm-(I)其中，μ代表桥联；dpmp为二(二苯基膦甲基)苯基膦；M选自Au(I)、Ag(I)或Cu(I)；R相同或不同，独立地选自：烷基、芳基、杂芳基；所述的烷基、芳基、杂芳基均可被一个或多个取代基取代，所述取代基选自烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、卤素、卤代烷基、芳基、杂芳基；R'选自：亚烷基、亚芳基、亚杂芳基；所述的亚烷基、亚芳基、亚杂芳基均可被一个或多个取代基取代，所述取代基选自烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、卤素、卤代烷基、芳基、杂芳基；Am-为一价或二价阴离子，其中m为1或2。根据本专利技术的实施方案，所述一价或二价阴离子选自ClO4-、PF6-、SbF6-、BF4-、B(C6H5)4-、CF3SO3-或SiF62-等。根据本专利技术的实施方案，所述式(I)所示的异三核金属有机炔配合物的立体结构如下：根据本专利技术的实施方案，所述R优选为芳基、咔唑基、吩噻嗪基、喹唑啉基、芳基取代的咔唑基、二芳基胺基苯基；所述芳基、咔唑基、吩噻嗪基、喹唑啉基、芳基取代的咔唑基、二芳基胺基苯基可任选被一个或多个取代基取代；所述取代基选自烷基、烷氧基、氨基、卤素、卤代烷基、芳基；根据本专利技术的实施方案，所述R'优选为亚芳基、亚含氮杂芳基例如亚咔唑基、亚含氧杂芳基例如亚二苯并呋喃基、亚含硫杂芳基例如亚二苯并噻吩基、亚含硫和氮杂芳基例如亚吩噻嗪基等，所述亚芳基、亚含氮杂芳基、亚含氧杂芳基、亚含硫杂芳基、亚含硫和氮杂芳基可任选被一个或多个取代基取代；所述取代基选自烷基、烷氧基、氨基、卤素、卤代烷基、芳基；进一步优选地，所述R为苯基、烷基取代苯基、苯基取代咔唑基、或卤代烷基苯基、烷氧基取代苯基、烷基取代吩噻嗪基；所述R'为烷基取代亚咔唑基、亚二苯并呋喃基和亚二苯并噻吩基。作为实例，所述式(I)所示的异三核金属有机炔配合物选自包括但不限于如下结构：本专利技术还提供式(I)所示的异三核金属有机炔配合物的制备方法，包括如下步骤：将dpmp和含M的离子配合物在溶剂中反应，得到中间体M(dpmp)2；再将中间体与Pt2(PPh3)4(μ-C≡C-R'-C≡C)(C≡CR)2在溶剂中反应，得到式(I)所示的异三核金属有机炔配合物；其中，含M的离子络合物选自[Au(tht)2]+m(Am-)、[Ag(tht)]+m(Am-)、或[Cu(MeCN)4]+m(Am-)；所述PPh3代表三苯基膦，tht为四氢噻吩，MeCN为乙腈，所述dpmp、Am-、R、R'、M如上所定义。根据本专利技术的实施方案，所述溶剂优选为卤代烃类溶剂，例如二氯甲烷。根据本专利技术的实施方案，dpmp：含M的离子配合物：Pt2(PPh3)4(μ-C≡CR'C≡C)(C≡CR)2的摩尔比为1.5～2.5:1～1.5:1～1.5，优选摩尔比为2:1:1。根据本专利技术的实施方案，所述反应在室温下进行。根据本专利技术的实施方案，优选反应时间为12-16小时；根据本专利技术的实施方案，所述制备方法还包括反应结束后用硅胶柱色谱分离提纯得到的中间体和/或产物。本专利技术还提供式(I)所示的异三核金属有机炔配合物的用途，其用于制备有机发光二极管。本专利技术还提供了一种有机发光二极管，其包括发光层，其中所述发光层中含有如上所述式(I)所示的异三核金属有机炔配合物。根据本专利技术的实施方案，在所述发光层中，式(I)所示的异三核金属有机炔配合物占有机发光二极管发光层所有材料的3-20％(重量百分比)，优选5-10％，进一步优选为6％。根据本专利技术的实施方案，所述有机发光二极管的结构可以为现有技术中已知的各种结构。优选包括：玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层。所述阳极可为铟锡氧化物(ITO)；所述空穴注入层或空穴传输层可为PEDOT:PSS(PEDOT:PSS＝聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))、或m-PEDOT:PSS[包含PEDOT:PSS(0.8wt％):PSS-Na(15mg/mL溶解在H2O中)]；所述发光层含有式(I)所示的异三核金属有机炔配合物；以及具有空穴传输特性的TCTA(三(4-(9-咔唑)苯基)胺)、mCP(1,3-双(9-咔唑基)苯)、CBP(4,4'-二(9-咔唑)-1,1'-联苯)、或2,6-DCZPPY(2,6-二(3-(9-咔唑)苯基)吡啶)中的至少一种；和具有电子传输特性的OXD-7(1,3-双(5-(4-(叔丁基)苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)苯)；所述电子传输层可为TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯)、BmPyPb(3,3”,5,5”-四(3-吡啶基)-1,1':3',1”-三联苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲珞啉)或OXD-7中的至少一种；所述电子注入层为LiF；所述阴极为Al。根据本专利技术的实施方案，所述有机发光二极管的结构优选为：ITO/m-PEDOT:PSS(20nm)/62％mCP:32％OXD-7:6％wt式(I)所示的异三核金属有机炔配合物(50nm)/BmPyPb(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)，其中ITO为氧化铟锡导电薄膜，m-PEDOT:PSS为改进的聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，mCP(1,3-双(9-咔唑基)苯)，OXD-7为1,3-双(5-(4-(叔丁基)苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)苯，BmPyPb为3,3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Pt

【技术特征摘要】
1.一种Pt2M异三核金属有机炔配合物，其特征在于，结构为如下式(I)所示：
[Pt2M(μ-dpmp)2(μ-C≡C-R'-C≡C)(C≡CR)2]+mAm-(I)
其中，μ代表桥联；dpmp为二(二苯基膦甲基)苯基膦；
M选自Au(I)、Ag(I)或Cu(I)；
R相同或不同，独立地选自：烷基、芳基、杂芳基；所述的烷基、芳基、杂芳基均可被一个或多个取代基取代，所述取代基选自烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、卤素、卤代烷基、芳基、杂芳基；
R'选自：亚烷基、亚芳基、亚杂芳基；所述的亚烷基、亚芳基、亚杂芳基均可被一个或多个取代基取代，所述取代基选自烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、卤素、卤代烷基、芳基、杂芳基；
Am-为一价或二价阴离子，其中m为1或2。


2.根据权利要求1所述的配合物，其特征在于，所述一价或二价阴离子选自ClO4-、PF6-、SbF6-、BF4-、B(C6H5)4-、CF3SO3-或SiF62-；
优选地，所述式(I)所示的异三核金属有机炔配合物的立体结构如下：



优选地，所述R为芳基、咔唑基、吩噻嗪基、喹唑啉基、芳基取代的咔唑基、二芳基胺苯基；所述芳基、咔唑基、吩噻嗪基、喹唑啉基、芳基取代的咔唑基、二芳基胺苯基可任选被一个或多个取代基取代；所述取代基选自烷基、烷氧基、氨基、卤素、卤代烷基、芳基；
优选地，所述R'为亚芳基、亚含氮杂芳基例如亚咔唑基、亚含氧杂芳基例如亚二苯并呋喃基、亚含硫杂芳基例如亚二苯并噻吩基、亚含硫和氮杂芳基例如亚吩噻嗪基等，所述亚芳基、亚含氮杂芳基、亚含氧杂芳基、亚含硫杂芳基、亚含硫和氮杂芳基可任选被一个或多个取代基取代；所述取代基选自烷基、烷氧基、氨基、卤素、卤代烷基、芳基。


3.根据权利要求1或2所述的配合物，其特征在于，所述R为苯基、烷基取代苯基、苯基取代咔唑基、或卤代烷基苯基、烷氧基取代苯基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈忠宁，肖晖，张续，王金云，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：福建;35