【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种大尺寸单斜相硫化镓晶体及其生长方法和应用,属于单晶生长。
技术介绍
1、3-5、8-12μm波段的中远红外激光处于大气窗口和“分子指纹区”,在通讯、遥感、激光雷达、光电对抗等领域具有重大应用价值,是激光领域的研究热点。光参量振荡器(opo)激光是获得中远红外激光的成熟技术,但现有优异综合性能的中远红外非线性光学晶体的匮乏,导致了opo激光系统核心部件—非线性光学器件难以满足应用需求,是中远红外opo激光发展应用的主要瓶颈。其中,3-5μm波段非线性光学晶体主要有zngep2,是该波段少数商业化的最佳晶体之一,但它不能使用成熟的1.06μm激光泵浦,在9μm附近存在双光子吸收等缺点,阻碍了zngep2的进一步应用;而8-12μm波段,目前还没有一种能够商业化的非线性光学晶体,离实用还有一定距离。因此,可实用于3-5、8-12μm波段的新型中远红外非线性光学晶体,及其制成的非线性光学器件是迫切需要的。
2、单斜相硫化镓晶体化学式为ga2s3,属于单斜晶系,空间群为cc,前期对粉末晶体的研究显示其是一种优良的红外非线
...【技术保护点】
1.一种大尺寸单斜相硫化镓晶体,其特征在于,大尺寸单斜相硫化镓晶体至少一个维度的尺寸大于等于30mm。
2.根据权利要求1所述的大尺寸单斜相硫化镓晶体,其特征在于,所述大尺寸单斜相硫化镓晶体的透光范围0.4~14.3μm;
3.权利要求1或2所述大尺寸单斜相硫化镓晶体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述晶体生长区的温度梯度为2~30℃/cm;
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述高温区的温度调节范围为600~1150℃;
6.根据权利要求3所
...【技术特征摘要】
1.一种大尺寸单斜相硫化镓晶体,其特征在于,大尺寸单斜相硫化镓晶体至少一个维度的尺寸大于等于30mm。
2.根据权利要求1所述的大尺寸单斜相硫化镓晶体,其特征在于,所述大尺寸单斜相硫化镓晶体的透光范围0.4~14.3μm;
3.权利要求1或2所述大尺寸单斜相硫化镓晶体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述晶体生长区的温度梯度为2~30℃/cm;
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述高温区的温度调节范围为600~1150℃;
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述真空密闭容器中还装有硫化镓籽晶;
7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱昭捷,李丙轩,涂朝阳,张戈,郭国聪,刘彬文,
申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所,
类型:发明
国别省市:
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