一种高压深沟槽型超结MOSFET的结构制造技术

本实用新型专利技术属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高压深沟槽型超结MOSFET的结构，超结器件单元包括第一导电类型第一外延层及第一导电类型衬底，在第一导电类型第一外延层上设有第一导电类型第二外延层，第一导电类型第二外延层内设有第二导电类型体区，在第二导电类型体区下方设有第二导电类型柱，第二导电类型柱从第二导电类型体区底部穿过第一导电类型第二外延层延伸至第一导电类型第一外延层内，且第二导电类型柱深入到第一导电类型第一外延层内的深度不超过5μm；本实用新型专利技术通过外延工艺，生长两种不同电阻率的外延层，通过调整P型柱深入N型第一外延层的深度、调整N型第一外延层和N型第二外延层的电阻率和厚度，可以实现更高的耐压能力。

Structure of a high voltage deep groove type super junction MOSFET

【技术实现步骤摘要】
一种高压深沟槽型超结MOSFET的结构
本技术涉及一种超结MOSFET结构，具体是一种高压深沟槽型超结MOSFET的结构，属于半导体器件的制造

技术介绍
传统功率MOSFET器件的导通电阻主要由漂移区的长度和掺杂浓度决定，漂移区的长度越小，导通电阻越小，漂移区的掺杂浓度越高，导通电阻越小。然而这两方面的改变会导致器件的击穿电压降低，因此导通电阻和击穿电压是矛盾关系或者折中关系，即导通电阻的降低受击穿电压的限制。超结结构的出现打破了这种限制。超结结构是由交替排列的P型柱和N型柱代替N型漂移区，器件的耐压主要由P型柱的长度和电荷总量决定，P型柱的长度越大，击穿电压越高，然而工艺能力的限制，超结的P型柱也不能无限长，因此，耐压能力也受到限制，对于超高压功率MOSFET器件，目前难以达到。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种高压深沟槽型超结MOSFET的结构及其制作方法，通过外延工艺，生长两种不同电阻率的外延层，通过调整P型柱深入N型第一外延层的深度、调整N型第一外延层和N型第二外延层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压深沟槽型超结MOSFET的结构，包括若干个相互并联的超结器件单元，所述超结器件单元包括第一导电类型第一外延层（2）及位于第一导电类型第一外延层（2）下方的第一导电类型衬底（1），其特征在于，在所述第一导电类型第一外延层（2）上设有第一导电类型第二外延层（3），所述第一导电类型第二外延层（3）内设有第二导电类型体区（4），在所述第二导电类型体区（4）下方设有第二导电类型柱（6），所述第二导电类型柱（6）从第二导电类型体区（4）底部穿过第一导电类型第二外延层（3）延伸至第一导电类型第一外延层（2）内，且第二导电类型柱（6）深入到第一导电类型第一外延层（2）内的深度不超过5μm; 所述第...

【技术特征摘要】
1.一种高压深沟槽型超结MOSFET的结构，包括若干个相互并联的超结器件单元，所述超结器件单元包括第一导电类型第一外延层（2）及位于第一导电类型第一外延层（2）下方的第一导电类型衬底（1），其特征在于，在所述第一导电类型第一外延层（2）上设有第一导电类型第二外延层（3），所述第一导电类型第二外延层（3）内设有第二导电类型体区（4），在所述第二导电类型体区（4）下方设有第二导电类型柱（6），所述第二导电类型柱（6）从第二导电类型体区（4）底部穿过第一导电类型第二外延层（3）延伸至第一导电类型第一外延层（2）内，且第二导电类型柱（6）深入到第一导电类型第一外延层（2）内的深度不超过5μm;所述第一导电类型第一外延层（2）的电阻率大...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛璐，王颖菲，张海涛，
申请(专利权)人：无锡紫光微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32