【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿量子点发光二极管的制备方法及产品
本专利技术属于发光二极管制备领域，更具体地，涉及一种钙钛矿量子点发光二极管的制备方法及产品。
技术介绍
量子点也称半导体纳米晶，是少量原子组成的、三个维度尺寸通常是1nm～100nm的零维纳米结构，量子点具有带隙可调、窄的发射谱，近些年广泛的应用在LED器件，量子点发光二极管具有自发光、色纯度高、能耗低、图像稳定、视角范围广、色彩丰富等优点，近些年被认为是继LCD和OLED(有机发光二极管)之后的新一代显示技术，具有广阔的应用前景。但是由于钙钛矿量子点本身比表面积大、表面配体脱落而形成的不稳定悬挂键，以及器件本身的材料容易被水氧侵蚀，目前的量子点发光二极管器件由于发光效率比较低、稳定性差、工艺复杂、工艺兼容性差、不能大批量生产等缺点，限制了其在商业化应用中的进程。为解决上述问题，目前主要从量子点本身和器件结构来改善，利用配体交换的方法，使用一些比油酸油胺结合力更强的配体，使量子点具有更高的PLQY(光致发光量子产率)，不仅能改善量子点的稳定性，还可以提高器件的效率，但是，由...
【技术保护点】
1.一种钙钛矿量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1将洁净的ITO玻璃表面进行活化处理；/nS2在所述活化处理后的ITO玻璃表面依次沉积一层ZnO薄膜和Al
【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1将洁净的ITO玻璃表面进行活化处理；
S2在所述活化处理后的ITO玻璃表面依次沉积一层ZnO薄膜和Al2O3薄膜；
S3在步骤S2制备的所述Al2O3薄膜表面旋涂量子点溶液，以获取均匀涂覆在所述Al2O3薄膜表面的量子点薄膜；
S4在步骤S3制备的量子点薄膜表面沉积一层Al2O3薄膜；
S5在步骤S4制备的Al2O3薄膜表面依次制备一层TPD空穴传输层、MoO3空穴注入层和电极铝，从而制备获得钙钛矿量子点发光二极管。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S1具体包括以下子步骤：
S11将切成预定尺寸形状的ITO玻璃进行超声清洗；
S12采用氮气将所述ITO玻璃吹干，并用万用表确定所述ITO玻璃的电极；
S13将所述ITO玻璃放入等离子设备的腔体内，向所述腔体内通入氧气，并调整等离子设备的工作功率为300W～500W，以实现对所述ITO玻璃进行活化处理。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述制备所述ZnO薄膜的前驱体为二乙基锌和水；步骤S2以及步骤S4中，制备所述Al2O3薄膜的前驱体为Al(CH3)3、O2和O3。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S2具体包括以下子步骤：
S21将所述活化处理后的ITO玻璃表面放入等离子设备的腔体内，设定该腔体中的反应温度，然后向所述腔体中交替循环通入二乙基锌和水，以在所述ITO玻璃表面生成与所述ITO玻璃表面交联的ZnO薄膜；
S22抽出未吸附在所述ITO玻璃表面的二乙基锌和水及沉积反应的副产物，设定该腔体中的反应温度和压强，然后向所述腔体中交替循环通入制备所述Al2...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈蓉，耿士才，曹坤，单斌，周彬泽，刘梦佳，姜晨晨，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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