用于真空蒸发镀膜的掩膜板、利用掩膜板进行蒸镀的方法、有机发光显示装置以及利用掩膜板进行蒸镀的设备。该掩膜板包括：衬底(100)；反射层(200)，反射层(200)设置在衬底(100)上，反射层(200)上具有镂空区域；吸热层(300)，吸热层(300)设置在衬底(100)具有反射层(200)的一侧且覆盖镂空区域。
Mask plate, evaporation method, display device and evaporation equipment for vacuum evaporation
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于真空蒸镀的掩膜板、蒸镀方法、显示装置及蒸镀设备
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及用于真空蒸发镀膜的掩膜板、利用掩膜板进行蒸镀的方法、有机发光显示装置以及利用掩膜板进行蒸镀的设备。
技术介绍
目前，在有机发光显示器(OLED，Organic Light Emitting Display)的制备工艺过程中，运用较多的是真空蒸镀的方法，例如采用真空蒸镀工艺制备OLED的发光层。真空蒸镀技术作为薄膜制备的一种重要手段，在有机半导体制备工艺过程中占有重要的地位。这种技术是指在真空环境条件下，通过加热待蒸镀材料，使其受热蒸发或升华并转化为气态，最终沉积在固体表面的一种处理方法。然而，目前用于真空蒸发镀膜的掩膜板、利用掩膜板进行蒸镀的方法、有机发光显示装置以及利用掩膜板进行蒸镀的设备，仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：专利技术人发现，目前利用真空蒸镀技术制备OLED的发光层，普遍存在着生产成本高，制备工艺复杂，生产效率低、难以实现大面积、高像素分辨率(PPI，pixel per inch)蒸镀等问题。专利技术人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于目前量产线上OLED的发光层的制备，所利用的真空蒸镀技术需要在高真空环境下(10-4～10-5Pa)才能实现，因此需要配备相应的高真空设备，高真空设备不仅昂贵，而且还难以维护，由此造成生产成本高，高真空条件也意味着设备抽真空的时间会增加，降低了生产效率；且利用真空蒸镀技术制备上述发光层时，还需要搭配精细金属掩膜(FMM，Fine Metal Mask)才能实现发光层成膜，而FMM张网工艺复杂、难以适用大面积的蒸镀、难以实现超高PPI蒸镀，还存在着更换周期短(4h更换一套)、使用寿命短等问题，进一步造成整体的制备工艺复杂、生产效率低等问题。专利技术人发现，之所以需要高真空环境才能实现发光层的蒸镀，主要是因为在现有的真空蒸镀的技术条件下(需要使用FMM技术)，为了保证膜厚的均一性，蒸发源离待蒸镀衬底的距离(TS距离)不能太近，TS距离一般控制为数百毫米。上述情况一方面导致蒸发腔室需要具有一定的体积，因此导致蒸镀设备难以小型化，且抽真空需要耗费一定时间；另一方面，蒸发镀膜要求待蒸镀材料的分子平均自由程(λ)要远大于TS距离，即λ﹥﹥TS距离。而平均自由程与蒸发室的腔体压力(P)成反比，即λ∝(1/P)，因此，需要10-4～10-5Pa这样的高真空环境。因此，如果能够利用一种真空条件要求不高的蒸镀方法制备OLED的发光层，将有效的解决上述问题。本专利技术旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种用于真空蒸发镀膜的掩膜板。根据本专利技术的实施例，该掩膜板包括：衬底；反射层，所述反射层设置在所述衬底上，所述反射层上具有镂空区域；吸热层，所述吸热层设置在所述衬底具有所述反射层的一侧且覆盖所述镂空区域。由此，基于该掩膜板形成镀膜层时，无需高真空条件即可实现蒸镀，可以替代FMM技术，简化了镀膜层的制备工艺、降低了生产成本、提高了生产效率；并且适用于大尺寸、高PPI的OLED的制备要求。根据本专利技术的实施例，所述反射层包括多个所述镂空区域。由此，可以进一步提升基于该掩膜板形成镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，所述吸热层覆盖所述反射层除所述镂空区域以外的部分。由此，可以进一步提升基于该掩膜板形成镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，所述反射层对激光的反射率不低于95％。由此，可以进一步提升基于该掩膜板形成的镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，所述反射层的厚度为10纳米-800纳米。由此，可以进一步提升基于该掩膜板形成镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，所述吸热层的厚度为10纳米-800纳米。由此，可以进一步提升基于该掩膜板形成镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，所述反射层是由钯形成的。由此，可以进一步提升基于该掩膜板形成镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，所述吸热层是由铬形成的。由此，可以进一步提升基于该掩膜板形成镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，所述反射层以及所述吸热层是通过物理气相沉积形成的。由此，可以简便的形成反射层以及吸热层。根据本专利技术的实施例，所述衬底是透明的。由此，可以进一步提升基于该掩膜板形成镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，该掩膜板进一步包括：有机蒸镀层，所述有机蒸镀层设置在所述吸热层远离所述反射层的一侧。由此，有机蒸镀层可以基于该掩膜板通过真空蒸镀形成镀膜层。在本专利技术的另一个方面，本专利技术提出了一种利用前面所述的掩膜板进行真空蒸发镀膜的方法。根据本专利技术的实施例，该方法包括：(1)在所述掩膜板设置有所述吸热层的一侧设置待蒸镀衬底，所述待蒸镀衬底与所述掩模板之间预留有蒸镀空间；(2)利用激光从所述衬底远离所述吸热层的一侧对所述掩膜板进行照射，令所述激光能够透过所述掩膜板的镂空区域，照射至所述吸热层，对设置在所述吸热层远离所述反射层一侧的有机蒸镀层进行加热，以便实现所述真空蒸发镀膜。由此，该方法可以具有前面描述的掩膜板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该方法无需高真空条件即可实现蒸镀，可以替代FMM技术，简化了制备工艺、降低了生产成本、提高了生产效率；并且适用于大尺寸、高PPI的OLED的制备要求。根据本专利技术的实施例，在步骤(1)中，所述待蒸镀衬底与所述掩膜板之间的蒸镀空间的距离为1～10微米。由此，在保证该方法制备的镀膜层的膜厚均一性条件下，TS距离显著减少，蒸镀所需的真空条件显著降低。根据本专利技术的实施例，在步骤(1)中，进一步包括：利用预先设置在所述待蒸镀衬底上的对位标记，将所述待蒸镀衬底与所述掩膜板进行对位并固定。由此，进一步提升蒸镀的对位精度，提升蒸镀的镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，在步骤(1)之前，进一步包括：在所述掩膜板的所述吸热层远离所述反射层的一侧，设置所述有机蒸镀层。由此，可以进一步提升该方法制备的镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，在步骤(2)中，所述掩模板以及所述待蒸镀衬底是被设置在密闭的蒸镀空间中的。由此，可以进一步提升该方法制备的镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，在步骤(2)中，利用所述激光对所述掩膜板进行照射时，所述蒸镀空间中的压强为1～10帕斯卡。由此，该方法无需高真空条件即可实现蒸镀。根据本专利技术的实施例，在步骤(2)中，所述激光的波长为能够被所述反射层反射，且能够被所述吸热层吸收而产生热量。由此，可以利用反射层以及吸热层简便的实现蒸镀，进一步提升该方法制备的镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，所述激光的波长为800～900nm。由此，可以进一步提升该方法制备的镀膜层的性能。根据本专利技术的实施例，在步骤(2)中，所述激光为线性光源产生的，利用所述激光对所述掩膜板进行照射，是通过利用所述线性光源，对所述掩膜板进行扫描而实现的。由此，可以简便的利用激光对掩膜板进行照射，进一步提升该方法制本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于真空蒸发镀膜的掩膜板，其特征在于，包括：/n衬底；/n反射层，所述反射层设置在所述衬底上，所述反射层上具有镂空区域；/n吸热层，所述吸热层设置在所述衬底具有所述反射层的一侧且覆盖所述镂空区域。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种用于真空蒸发镀膜的掩膜板，其特征在于，包括：
衬底；
反射层，所述反射层设置在所述衬底上，所述反射层上具有镂空区域；
吸热层，所述吸热层设置在所述衬底具有所述反射层的一侧且覆盖所述镂空区域。
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述反射层包括多个所述镂空区域。
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述吸热层覆盖所述反射层除所述镂空区域以外的部分。
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述反射层对激光的反射率不低于95％。
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述反射层的厚度为10纳米-800纳米。
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述吸热层的厚度为10纳米-800纳米。
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述反射层是由钯形成的。
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述吸热层是由铬形成的。
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述反射层以及所述吸热层是通过物理气相沉积形成的。
根据权利要求1～9任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述衬底是透明的。
根据权利要求1～9任一项所述的掩膜板，其特征在于，进一步包括：
有机蒸镀层，所述有机蒸镀层设置在所述吸热层远离所述反射层的一侧。
一种利用权利要求1～11任一项所述的掩膜板进行真空蒸发镀膜的方法，其特征在于，包括：
(1)在所述掩膜板设置有所述吸热层的一侧设置待蒸镀衬底，所述待蒸镀衬底与所述掩模板之间预留有蒸镀空间；
(2)利用激光从所述衬底远离所述吸热层的一侧对所述掩膜板进行照射，令所述激光能够透过所述掩膜板的镂空区域，照射至所述吸热层，对设置在所述吸热层远离所述反射层一侧的有机蒸镀层进行加热，以便实现所述真空蒸发镀膜。
根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述待蒸镀衬底与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖志富，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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