复合导电薄膜及其图案化方法技术

本申请涉及一种复合导电薄膜及其图案化方法，属于功能性薄膜及光电技术领域。一种复合导电薄膜图案化方法，包括：搅拌放置有具有光刻胶模型的基材的银纳米线分散液，再将基材旋转预设角度，再搅拌银纳米线分散液，形成交叉结构的银纳米线层，对银纳米线层进行辐照，使交叉的银纳米线的交叉处进行熔焊。制备石墨烯层形成薄膜，对薄膜进行图案化处理。该图案化方法使银纳米线按照所需的方向有序排列，图案化未破坏银纳米线层的结构，并且该方法能保证银纳米线与石墨烯有良好的搭接结构，提高了复合薄膜的导电率，同时具有较好的透光率。

Composite conductive film and its patterning method

【技术实现步骤摘要】
复合导电薄膜及其图案化方法
本申请涉及功能性薄膜及光电
，且特别涉及一种复合导电薄膜及其图案化方法。
技术介绍
现有的石墨烯/银纳米线复合薄膜，银纳米线无序的旋涂或喷涂在基材层上，通常在制备完成之后，再对薄膜进行图案化工艺，一般采用干刻和湿刻的方法分别对石墨烯层和银纳米线层进行图案化，最终得到图案化后的复合薄膜。但经过图形化之后的复合薄膜，原有的结构遭到破坏，易失去原有的导电性能，且图形化后的银纳米线层会产生毛刺，不适合精密器件的使用。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本申请实施例的目的包括提供一种复合导电薄膜及其图案化方法，图案化后的复合薄膜能够保持原有的结构，从而保证低电阻的性能，且图案化后的复合薄膜不会产生毛刺，适用于精密器件。第一方面，本申请实施例提出了一种复合导电薄膜图案化方法，包括：搅拌放置有具有光刻胶模型的基材的银纳米线分散液，对基材进行一次银纳米线处理，使得银纳米线制备于未被光刻胶覆盖的基材。将经过一次银纳米线处理的基材旋转预设角度，再搅拌银纳米线分散液，对基材进行二次银纳米线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合导电薄膜图案化方法，其特征在于，包括：/n搅拌放置有具有光刻胶模型的基材的银纳米线分散液，对所述基材进行一次银纳米线处理，使得银纳米线制备于未被光刻胶覆盖的所述基材；/n将经过所述一次银纳米线处理的基材旋转预设角度，再搅拌所述银纳米线分散液，对所述基材进行二次银纳米线处理，使得银纳米线制备于未被光刻胶覆盖的所述基材，并形成银纳米线层，对所述银纳米线层进行辐照，使交叉的银纳米线在交叉处熔焊；/n将石墨烯层转移到所述银纳米线层和光刻胶层的表面，形成薄膜，对所述薄膜进行后处理去除所述光刻胶层及所述光刻胶层上的石墨烯。/n

【技术特征摘要】
1.一种复合导电薄膜图案化方法，其特征在于，包括：
搅拌放置有具有光刻胶模型的基材的银纳米线分散液，对所述基材进行一次银纳米线处理，使得银纳米线制备于未被光刻胶覆盖的所述基材；
将经过所述一次银纳米线处理的基材旋转预设角度，再搅拌所述银纳米线分散液，对所述基材进行二次银纳米线处理，使得银纳米线制备于未被光刻胶覆盖的所述基材，并形成银纳米线层，对所述银纳米线层进行辐照，使交叉的银纳米线在交叉处熔焊；
将石墨烯层转移到所述银纳米线层和光刻胶层的表面，形成薄膜，对所述薄膜进行后处理去除所述光刻胶层及所述光刻胶层上的石墨烯。


2.根据权利要求1所述的复合导电薄膜图案化方法，其特征在于，所述银纳米线的长度为10～150μm，直径小于150nm，长径比为500～1000。


3.根据权利要求1所述的复合导电薄膜图案化方法，其特征在于，所述银纳米线分散液的浓度为0.2mg/mL～5mg/mL，可选的，所述浓度为0.5mg/mL～1mg/mL。


4.根据权利要求1所述的复合导电薄膜图案化方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为50～500nm，所述石墨烯层的厚度为0.5～30nm。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷文翠，卢珂鑫，李伟伟，刘兆平，
申请(专利权)人：宁波石墨烯创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33