动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构技术

本发明专利技术公开一种动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构，该闪存存储器包含一基底包含一主动区域和两个电荷存储结构分别位于主动区域的两侧，其中各个电荷存储结构内包含一氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层，一埋入式栅极埋入于主动区域，其中埋入式栅极仅包含一控制栅极和一栅极介电层，栅极介电层为单一材料，两个源极/漏极掺杂区分别位于埋入式栅极的两侧的主动区域内。

The fabrication method and structure of dynamic random access memory and flash memory

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构
本专利技术涉及一种将闪存存储器和动态随机处理存储器共同制作在同一芯片的制作方法，并且是一种有关以氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层作为浅沟槽绝缘内的填充层的制作方法。
技术介绍
一般说来，存储器可分成挥发性存储器(VolatileMemory)，例如动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)及非挥发性存储器(NonvolatileMemory)，例如闪存存储器(flash)。动态随机存取存储器是以一个晶体管加上一个电容来存储一个位的数据，而且使用时需要周期性地补充电源来保持存储的内容。闪存存储器在未供电下仍可保持所存储的信息，而且还可以可编程与可抹除信息的存储能力，所以应用的层面十分广泛。随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，存储器的设计也必须符合高集成度、高密度的要求，因此半导体业界致力于降低存储器的尺寸，另一方面更需要增加存储器元件的存储容量、确保元件的可靠度。由此可知，目前仍需要一种可兼顾上述要求的闪存存储器和动态随机存取存储器及其制作方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存存储器，其特征在于，包含：/n基底，包含主动区域和两个电荷存储结构分别位于该主动区域的两侧，其中各该电荷存储结构内包含氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层；/n埋入式栅极，埋入于该主动区域，其中该埋入式栅极仅包含控制栅极和栅极介电层，该栅极介电层为单一材料；以及/n两个源极/漏极掺杂区，分别位于该埋入式栅极的两侧的该主动区域内。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪存存储器，其特征在于，包含：
基底，包含主动区域和两个电荷存储结构分别位于该主动区域的两侧，其中各该电荷存储结构内包含氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层；
埋入式栅极，埋入于该主动区域，其中该埋入式栅极仅包含控制栅极和栅极介电层，该栅极介电层为单一材料；以及
两个源极/漏极掺杂区，分别位于该埋入式栅极的两侧的该主动区域内。


2.如权利要求1所述的闪存存储器，其中当进行写入步骤时，电子由该控制栅极穿过该栅极介电层进入该两个电荷存储结构后，电子即存储在该两个电荷存储结构。


3.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包含：
基底，包含主动区域和两个浅沟槽绝缘分别位于该主动区域的两侧，其中各该浅沟槽绝缘内包含氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层；
栅极结构，埋入于该主动区域；
两个源极/漏极掺杂区，分别位于该栅极结构的两侧的该主动区域内
电容，电连接该两个源极/漏极掺杂区的其中之一。


4.如权利要求3所述的动态随机存取存储器，其中在各该浅沟槽绝缘中存入电荷以调整该动态随机存取存储器结构的启始电压。


5.一种动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法，包含：
提供基底划分为第一区和第二区，该第一区用于形成动态随机存取存储器，该第二区用于形成闪存存储器；
形成多个沟槽于该第一区和该第二区以在该第一区定义出第一主动区域并且在该第二区定义出第二主动区域；
形成氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层填入该多个沟槽以形成多个浅沟槽绝缘；
形成第一埋入式栅极和该第一主动区域交错和第二埋入式栅极和该第二主动区域交错，其中该第二埋入式栅极仅包含控制栅极和栅极介电层，该栅极介电层为单一材料；
形成电容插塞接触该第一主动区域并且位于第一埋入式栅极的一侧；以及
形成电容电连接该电容插塞。


6.如权利要求5所述的动态随机存取存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜士贵，刘立伟，戎乐天，施泓林，朱玄通，李明哲，刘冠毅，邢怀锦，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71