【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种NAND闪存及其数据更新管理方法。
技术介绍
目前,以闪存作为存储介质的嵌入式系统被广泛应用。闪存是一种非易失性存储 器,市场上主流的闪存,按工艺可分为或非闪存(NOR flash)和与非闪存(NAND flash)。两 种类型各有优势,NAND闪存的擦写速度快,容量较大,价格较低,所以越来越多地用于移动 终端中。NAND闪存中每个区块只能允许一次性写入数据,当需要对NAND闪存中区块的数 据进行更新时,需要清空原有的数据,然后再写入新的数据。当将NAND闪存中区块的数据 清空而新的数据未完全写入时,若NAND闪存发生意外终端,则NAND闪存中的嵌入式系统无 法正常启动。
技术实现思路
鉴于以上内容,有必要提供一种NAND闪存,该NAND闪存的每个存储区包括两个格 式相同的标头,所述两个标头分别存储在两个不同的区块中,当需要更新一区块中的数据 时,将更新后的数据存储至另一区块中,则若在更新操作过程中意外中断时,NAND闪存可利 用未更新区块中的数据启动嵌入系统,提高了 NAND闪存的性能。此外,还有必要提供一种NAND闪存数据更新管理方法,该NAND闪存的每个存储 区包括两个格式相同的标头,所述两个标头分别存储在两个不同的区块中,当需要更新一 区块中的数据时,将更新后的数据存储至另一区块中,则若在更新操作过程中意外中断时, NAND闪存可利用未更新区块中的数据启动嵌入系统,提高了 NAND闪存的性能。一种NAND闪存,该NAND闪存包括两个存储区,每个存储区包括两个格式相同的标 头,所述两个标头分别存储在同一存储区两个不同的区块中,每个区 ...
【技术保护点】
一种NAND闪存数据更新管理方法,该NAND闪存包括两个存储区,其特征在于,每个存储区包括两个格式相同的标头,所述两个标头分别存储在同一存储区两个不同的区块中,每个区块还存储有映像文件,该方法包括如下步骤:(a)从NAND闪存的每一个存储区中读取包含较小的标头序号的标头;(b)根据所读取的标头中的映像文件状态旗标,识别各标头所在的存储区为主要存储区还是次要存储区;(c)判断NAND闪存中是否存在主要存储区;(d)当NAND闪存中存在主要存储区时,判断是否对NAND闪存中主要存储区的数据进行更新,当需要对NAND闪存中主要存储区的数据进行更新时,对NAND闪存中主要存储区的数据进行更新,并根据主要存储区中的映像文件启动NAND闪存中嵌入式系统;(e)当NAND闪存中不存在主要存储区时,判断NAND闪存中是否存在次要存储区,当NAND闪存中存在次要存储区时,根据次要存储区中的映像文件启动NAND闪存中嵌入式系统;(f)当NAND闪存中既不存在主要存储区也不存在次要存储区时,提示用户NAND闪存中嵌入式系统启动失败。
【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存数据更新管理方法,该NAND闪存包括两个存储区,其特征在于,每 个存储区包括两个格式相同的标头,所述两个标头分别存储在同一存储区两个不同的区块 中,每个区块还存储有映像文件,该方法包括如下步骤(a)从NAND闪存的每一个存储区中读取包含较小的标头序号的标头;(b)根据所读取的标头中的映像文件状态旗标,识别各标头所在的存储区为主要存储 区还是次要存储区;(c)判断NAND闪存中是否存在主要存储区;(d)当NAND闪存中存在主要存储区时,判断是否对NAND闪存中主要存储区的数据进行 更新,当需要对NAND闪存中主要存储区的数据进行更新时,对NAND闪存中主要存储区的数 据进行更新,并根据主要存储区中的映像文件启动NAND闪存中嵌入式系统;(e)当NAND闪存中不存在主要存储区时,判断NAND闪存中是否存在次要存储区,当 NAND闪存中存在次要存储区时,根据次要存储区中的映像文件启动NAND闪存中嵌入式系 统;(f)当NAND闪存中既不存在主要存储区也不存在次要存储区时,提示用户NAND闪存中 嵌入式系统启动失败。2.如权利要求1所述的NAND闪存数据更新管理方法,其特征在于,所述步骤(a)进一 步包括分别读取同一存储区的两个标头中的检查和; 判断所读取的两个检查和是否都正确;当所读取的两个检查和都正确时,读取包含较小标头序号的标头; 当所读取的两个检查和不全都正确时,判断所读取的两个检查和是否有一个正确; 当所读取的两个检查和有一个正确时,读取包含正确检查和的标头; 当所读取的两个检查和全都不正确时,回报该存储区为无效的存储区。3.如权利要求1所述的NAND闪存数据更新管理方法,其特征在于,所述步骤(b)具体 包括当所读取的标头中的映像文件状态旗标指示映像文件为主要映像文件,识别所读取的 标头所在的区块为主要存储区;当所读取的标头中的映像文件状态旗标指示映像文件为次要映像文件,识别所读取的 标头所在的区块为次要存储区。4.如权利要求1所述的NAND闪存数据更新管理方法,其特征在于,所述步骤对NAND闪 存中主要存储区的数据进行更新具体包括读取主要存储区的两个区块中的检查和; 判断所读取的两个检查和是否都正确;当所读取的两个检查和都正确时,清空含有较大标头序号的区块中的数据,将更新的 数据和含有较小标头序号的区块中未变更的数据一起写入所清空的区块;当所读取的两个检查和不全都正确时,判断读取的两个检查和是否有一个正确,当所 读取的两个检查和有一个正确时,清空含有错误检查和的区块的数据,将更新的数据和含 有正确检查和的区块中未变更的数据一起写入所清空的区块;当所读取的两个检查和全都不正确时,清空第二区块中的数据,所述第二区块是指在存储区中位置排序第二的区块,将更新的数据和第一区块中未变更的数据一起写入所清空 的区块,所述第一区块是指在存储区中位置排序第一的区块。5.如权利要求4所述的NAND闪...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴凯平,
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司,鸿海精密工业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]
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