集成电路装置的形成方法制造方法及图纸

提供具有内连线结构的集成电路装置与其形成方法的例子。在一些例子中，方法包括接收工件，其具有内连线结构，且内连线结构包括：第一导电结构；第二导电结构，位于第一导电结构旁边；以及层间介电层，位于第一导电结构与第二导电结构之间。选择性沉积蚀刻停止层的导电材料于第一导电结构上与第二导电结构上，而不沉积蚀刻停止层的导电材料于层间介电层上；以及移除层间介电层，以形成间隙于第一导电结构与第二导电结构之间。

The forming method of integrated circuit device

【技术实现步骤摘要】
集成电路装置的形成方法
本专利技术实施例关于内连线结构，更特别关于内连线结构中的气隙。
技术介绍
半导体集成电路产业已经历快速成长。在集成电路演进中，功能密度(如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。然而尺寸缩小亦会使含有这些集成电路的装置的设计与制作的复杂性增加。制造业的同步进展，可由精确且可信的方式制作越来越复杂的设计。在制作装置与制作耦接装置的导体网络上具有进展。在此考量下，集成电路可包含内连线结构以电性耦接电路装置(比如鳍状场效晶体管、平面场效晶体管、存储装置、双极接面晶体管、发光二极管、其他主动及/或被动装置、或类似装置)。内连线结构可包括堆叠的任何数目的介电层，且导电线路水平运行于介电层中。通孔可垂直延伸，以连接一层中的导电线路至相邻层中的导电线路。类似地，接点可垂直延伸于导电线路与基板级结构之间。线路、通孔、与接点一起传输装置之间的信号、电源、与地线，并使其可操作如电路。
技术实现思路
>在一些实施例中，集本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路装置的形成方法，包括：/n接收一工件，其具有一内连线结构，且该内连线结构包括：/n一第一导电结构；/n一第二导电结构，位于该第一导电结构旁边；以及/n一层间介电层，位于该第一导电结构与该第二导电结构之间；/n选择性沉积一蚀刻停止层的导电材料于该第一导电结构上与该第二导电结构上，而不沉积该蚀刻停止层的导电材料于该层间介电层上；以及/n移除该层间介电层，以形成一间隙于该第一导电结构与该第二导电结构之间。/n

【技术特征摘要】
20180629 US 62/691,809;20190410 US 16/380,3861.一种集成电路装置的形成方法，包括：
接收一工件，其具有一内连线结构，且该内连线结构包括：
一第一导电结构；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨岱宜，苏莉玲，吴永旭，陈欣苹，庄正吉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71