移相器及液晶天线制造技术

本发明专利技术提供一种移相器及液晶天线，属于通信技术领域。本发明专利技术的移相器，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；所述第一基板包括：第一基底，以及位于所述第一基底靠近所述液晶层的一侧的第一电极；所述第二基板包括：第二基板，以及位于所述第二基底上靠近所述液晶层的一侧的第二电极；所述移相器还包括与第一电极连接的辅助电容。本发明专利技术的移相器将低通滤波器和高通滤波器结合，以改善移相器的可调范围，并在工作频段范围内改善了移相器的损耗，从而增加了单位损耗内的移相度。

Phase shifter and LCD antenna

【技术实现步骤摘要】
移相器及液晶天线
本专利技术属于通信
，具体涉及一种移相器及液晶天线。
技术介绍
移相器是一种调控电磁波相位的器件，广泛应用于各种通信系统中，如卫星通信，相控阵雷达，遥感遥测等，传统的微带线移相器的传输特性都为低通特性的周期加载结构，通过调节其中某些参数，来达到移相的效果，但这种设计方法是其损耗偏大，单位损耗内的移相度偏低，在实现大角度移相时产生的损耗大，从而降低系统的整体性能，所以提高单位损耗内器件的移相度是移相器的一个关键点。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种可以降低损耗的移相器及液晶天线。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种移相器，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；所述第一基板包括：第一基底，以及位于所述第一基底靠近所述液晶层的一侧的第一电极；所述第二基板包括：第二基板，以及位于所述第二基底上靠近所述液晶层的一侧的第二电极；所述移相器还包括与第一电极连接的辅助电容。优选的是，所述第一电极包括：微带线；所述第二电极包括：多个周期性排布的子电极；其中，所述微带线与所述子电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠。优选的是，所述微带线包括：沿其轴向依次设置多个周期性排布的传输单元；任意两相邻的所述传输单元之间限定出一个狭缝；在所述第二基底靠近所述液晶层的一侧设置有与所述狭缝位置对应的多个辅助电极；每个所述辅助电极在所述第一基底上的正投影覆盖与其对应的狭缝，以及与限定出该狭缝的两相邻的所述传输单元的部分位置；其中，每个所述辅助电极与其在所述第一基底上的正投影覆盖的所述传输单元的部分位置构成所述辅助电容。优选的是，所述辅助电极与所述子电极同层设置，且材料相同。优选的是，所述辅助电容的第一极片和第二极片均与所述微带线连接。优选的是，各个所述辅助电容的第一极片和第二极片均连接在所述微带线的同一侧。优选的是，任意两相邻的所述子电极在所述第一基底上的正投影所限定的区域中设置有一个所述辅助电容。优选的是，所述辅助电极的第一极片和第二极片与所述微带线为一体成型结构。优选的是，所述微带线包括：主体结构；所述主体结构包括：沿其轴向相对设置的第一侧和第二侧；在所述主体结构的第一侧和第二侧上连接有周期性排布的分支结构；所述第二电极包括一对子电极；每个所述子电极与之对应的连接在所述主体结构的分支结构在所述第一基底上的正投影部分重叠。优选的是，所述主体结构包括：沿所述主体结构轴向依次设置多个周期性排布的传输单元；任意两相邻的所述传输单元之间限定出一个狭缝；所述传输单元上均连接有分支结构；在所述第二基底靠近所述液晶层的一侧设置有与狭缝位置对应的多个辅助电极；每个所述辅助电极在所述第一基底上的正投影覆盖与之对应的狭缝，以及与限定出该狭缝的两相邻的所述传输单元的部分区域；其中，每个辅助电极与其在所述第一基底上的正投影覆盖的所述传输单元的部分区域构成所述辅助电容。优选的是，所述辅助电极与所述子电极同层设置，且材料相同。优选的是，在所述第一基底背离所述液晶层的一侧设置有地电极。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种液晶天线，其包括上述的移相器。附图说明图1为本专利技术的实施例2的移相器的俯视图；图2为本专利技术的实施例2的移相器的侧视图；图3为本专利技术的实施例2的移相器的等效电路模型；图4为本专利技术的实施例2的移相器中的可变电容取最小值时的传输特性曲线；图5为本专利技术的实施例2的移相器中的可变电容取最大值时的传输特性曲线；图6为现有的移相器的俯视图；图7为现有的移相器的等效电路模型；图8为现有的移相器中的可变电容取最小值时的传输特性曲线；图9为现有的移相器中的可变电容取最大值时的传输特性曲线；图10为本专利技术的实施例3的移相器的俯视图；图11为本专利技术的实施例3的移相器的第一侧视图；图12为本专利技术的实施例3的移相器的第二侧视图；图13为本专利技术的实施例3的移相器的等效电路模型；图14为本专利技术的实施例2的移相器的俯视图；图15为本专利技术的实施例2的移相器的侧视图；图16为本专利技术的实施例2的移相器的等效电路模型。其中附图标记为：10、第一基底；1、微带线；11、传输单元、12地电极、13、分支结构；20、第二基底；21、子电极；22、辅助电极；30、液晶层；31、液晶分子；C1、可变电容；C2、辅助电容；Q、狭缝。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。除非另有定义，本实施例中使用的技术术语或者科学用语应当为本专利技术所属
内具有一般技能的人士所能理解的通常意义。本实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。实施例1：本实施例提供一种液晶移相器，包括相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层；其中，第一基板包括：第一基底，以及位于该第一基底靠近液晶层的一侧的第一电极；第二基板包括：包括第二基底，以及位于该第二基底靠近液晶层一侧的第二电极；第一电极和第二电极在被施加电压后形成电场，以使液晶层中的液晶分子偏转，从而改变液晶层的介电常数，以使改变传输至液晶层中的微波信号的相位。特别的是，在本实施例中第一电极上还连接有辅助电容，以降低移相器的整体损耗，同时还可以提高移相器单位损耗内的移相度。为了更清楚上述的液晶移相器的具体结构，结合以下实施例对该移相器进行具体说明。实施例2：结合图1和2所示，本实施例提供一种液晶移相器，包括相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层30。第一基板包括：第一基底10，位于该第一基底10靠近液晶层30的一侧的第一电极，以及位于第一基底10背离液晶层30一侧的地电极12；具体的，其中，第一电极为微带线1；该微带线1包括沿其轴向依次设置的多个周期性排布的传输单元11，且在任意两相邻的传输单元11之间限定出一个狭缝Q，也即传输单元11之间是间隔设置的，且最好是间距相同的。第二基板包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种移相器，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；所述第一基板包括：第一基底，以及位于所述第一基底靠近所述液晶层的一侧的第一电极；所述第二基板包括：第二基板，以及位于所述第二基底上靠近所述液晶层的一侧的第二电极；其特征在于，所述移相器还包括与第一电极连接的辅助电容。/n

【技术特征摘要】
1.一种移相器，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；所述第一基板包括：第一基底，以及位于所述第一基底靠近所述液晶层的一侧的第一电极；所述第二基板包括：第二基板，以及位于所述第二基底上靠近所述液晶层的一侧的第二电极；其特征在于，所述移相器还包括与第一电极连接的辅助电容。


2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极包括：微带线；所述第二电极包括：多个周期性排布的子电极；其中，所述微带线与所述子电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠。


3.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述微带线包括：沿其轴向依次设置多个周期性排布的传输单元；任意两相邻的所述传输单元之间限定出一个狭缝；
在所述第二基底靠近所述液晶层的一侧设置有与所述狭缝位置对应的多个辅助电极；
每个所述辅助电极在所述第一基底上的正投影覆盖与其对应的狭缝，以及与限定出该狭缝的两相邻的所述传输单元的部分位置；其中，
每个所述辅助电极与其在所述第一基底上的正投影覆盖的所述传输单元的部分位置构成所述辅助电容。


4.根据权利要求3所述的移相器，其特征在于，所述辅助电极与所述子电极同层设置，且材料相同。


5.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述辅助电容的第一极片和第二极片均与所述微带线连接。


6.根据权利要求5所述移相器，其特征在于，各个所述辅助电容的第一极片和第二极片均连接在所述微带线的同一侧。


7.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：武杰，丁天伦，王瑛，曹雪，李亮，贾皓程，唐粹伟，蔡佩芝，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11