一种纳米晶体的制备方法技术

一种纳米晶体的制备方法，本发明专利技术涉及纳米晶体加工技术领域；采用再沉淀法制备颗粒较大的且粒径较不均匀的有机纳米晶体，备用；将颗粒较不均匀的有机纳米晶体加入到具有预定温度的溶有供电子基化合物的有机溶剂中，并根据需要控制该有机溶剂的温度，不同的温度分别得到不同粒径的均匀的有机纳米晶体；选择不同的有机纳米晶体，与修饰剂一同溶解在有机溶剂中，并且搅拌均匀，再将该搅拌均匀的溶液添加到加热基板上蒸发，通过控制该加热基板的不同温度值，来得到粒径不同的均匀的有机纳米晶体。其能够得到粒径较均匀的纳米晶体，且能够根据需要控制纳米晶体的粒径大小，实用性和通用性均得到增强。

A preparation method of nanocrystals

【技术实现步骤摘要】
一种纳米晶体的制备方法
本专利技术涉及纳米晶体加工
，具体涉及一种纳米晶体的制备方法。
技术介绍
纳米晶体指纳米尺寸上的晶体材料，或具有晶体结构的纳米颗粒。纳米晶体具有很重要的研究价值。纳米晶体的电学和热力学性质显现出很强的尺寸依赖性，从而可以通过细致的制造过程来控制这些性质。纳米晶体能够提供单体的晶体结构，通过研究这些单体的晶体结构可以提供信息来解释相似材料的宏观样品的行为，而不用考虑复杂的晶界和其他晶体缺陷。尺寸小于10纳米的半导体纳米晶体通常被称为量子点。目前对于有机纳米晶体的制备方法有再沉淀法、微乳液法、自组装法；上述方法均存在这各自的优缺点，且其纳米晶体的粒径不易控制，亟待改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种结构简单，设计合理、加工方便的纳米晶体的制备方法，其能够得到粒径较均匀的纳米晶体，且能够根据需要控制纳米晶体的粒径大小，实用性和通用性均得到增强。为实现上述目的，本专利技术所述的纳米晶体的制备方法，其操作步骤如下：1、采用再沉淀法制备颗粒较大的且粒径较不均匀的有机纳米晶体，备用；2、将步骤1中颗粒较不均匀的有机纳米晶体加入到具有预定温度的溶有供电子基化合物的有机溶剂中，并根据需要控制该有机溶剂的温度，不同的温度分别得到不同粒径的均匀的有机纳米晶体；3、根据所需的粒径要求，选择步骤2中的不同的有机纳米晶体，与修饰剂一同溶解在有机溶剂中，并且搅拌均匀，再将该搅拌均匀的溶液添加到加热基板上蒸发，通过控制该加热基板的不同温度值，来得到粒径不同的均匀的有机纳米晶体。进一步地，所述的加热基板分为多个加热区，每个加热区的温度控制范围均不相同，将同一批粒径均匀的有机纳米晶体的混合滴加到该加热基板上后，能够同一时间得到大小不同粒径的且均匀的有机纳米晶体。进一步地，所述的步骤3中的有机溶剂为甲醇、无水乙醇、二乙二醇乙醚、四氯化碳、烯烃中的一种或者两种混合。进一步地，所述的步骤2中的供电子基化合物为强给电子基团的供电子基化合物。进一步地，所述的步骤2中的有机溶剂为长链烷烃、长链烷基胺、长链烷基脂肪酸中的一种或者两种混合。进一步地，所述的长链烷烃为1-十六烷、1-十四烷、石蜡中的一种或者两种混合物；所述的长链烷基胺为十二烷基胺、油胺、1,14-二氨基十四烷胺中的一种或者两种混合物；所述的长链烷基脂肪酸为十二烷酸、十六烷酸、十七烷酸中的一种或者两种混合物。采用上述工艺后，本专利技术有益效果为：本专利技术所述的一种纳米晶体的制备方法，其能够得到粒径较均匀的纳米晶体，且能够根据需要控制纳米晶体的粒径大小，实用性和通用性均得到增强，本专利技术具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。具体实施方式本具体实施方式(实施例一)所述的纳米晶体的制备方法，其操作步骤如下：1、采用再沉淀法制备颗粒较大的且粒径较不均匀的有机纳米晶体，备用；2、将步骤1中颗粒较不均匀的有机纳米晶体加入到具有预定温度的溶有供电子基化合物的有机溶剂中，并根据需要控制该有机溶剂的温度，不同的温度分别得到不同粒径的均匀的有机纳米晶体，温度控制为230℃、240℃和250℃，得到三种不同粒径的有机纳米晶体；3、根据所需的粒径要求，选择步骤2中的不同的有机纳米晶体(240℃下的有机纳米晶体)，与修饰剂一同溶解在有机溶剂中，并且搅拌均匀，再将该搅拌均匀的溶液添加到加热基板上蒸发，通过控制该加热基板的不同温度值，来得到粒径不同的均匀的有机纳米晶体。进一步地，所述的加热基板分为多个加热区(300℃、320℃和350℃)，每个加热区的温度控制范围均不相同，将同一批粒径均匀的有机纳米晶体的混合滴加到该加热基板上后，能够同一时间得到三种不同粒径的且均匀的有机纳米晶体。进一步地，所述的步骤3中的有机溶剂为甲醇和无水乙醇的混合物。进一步地，所述的步骤2中的供电子基化合物为强给电子基团的供电子基化合物。进一步地，所述的步骤2中的有机溶剂为1-十六烷和十二烷基胺的混合物。采用上述工艺后，本具体实施方式有益效果为：本具体实施方式所述的一种纳米晶体的制备方法，其能够得到粒径较均匀的纳米晶体，且能够根据需要控制纳米晶体的粒径大小，实用性和通用性均得到增强，本专利技术具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。实施例二：本实施例所述的纳米晶体的制备方法，其操作步骤如下：1、采用再沉淀法制备颗粒较大的且粒径较不均匀的有机纳米晶体，备用；2、将步骤1中颗粒较不均匀的有机纳米晶体加入到具有预定温度的溶有供电子基化合物的有机溶剂中，并根据需要控制该有机溶剂的温度，不同的温度分别得到不同粒径的均匀的有机纳米晶体，温度控制为235℃、245℃和255℃，得到三种不同粒径的有机纳米晶体；3、根据所需的粒径要求，选择步骤2中的不同的有机纳米晶体(245℃下的有机纳米晶体)，与修饰剂一同溶解在有机溶剂中，并且搅拌均匀，再将该搅拌均匀的溶液添加到加热基板上蒸发，通过控制该加热基板的不同温度值，来得到粒径不同的均匀的有机纳米晶体。进一步地，所述的加热基板分为多个加热区，每个加热区的温度控制范围均不相同(300℃、320℃和350℃)，将同一批粒径均匀的有机纳米晶体的混合滴加到该加热基板上后，能够同一时间得到三种不同粒径的且均匀的有机纳米晶体。进一步地，所述的步骤3中的有机溶剂为二乙二醇乙醚和四氯化碳的混合物。进一步地，所述的步骤2中的供电子基化合物为强给电子基团的供电子基化合物。进一步地，所述的步骤2中的有机溶剂为十二烷基胺和十六烷酸的混合物。实施例三：本实施例所述的纳米晶体的制备方法，其操作步骤如下：1、采用再沉淀法制备颗粒较大的且粒径较不均匀的有机纳米晶体，备用；2、将步骤1中颗粒较不均匀的有机纳米晶体加入到具有预定温度的溶有供电子基化合物的有机溶剂中，并根据需要控制该有机溶剂的温度，不同的温度分别得到不同粒径的均匀的有机纳米晶体，温度控制为255℃、260℃和265℃，得到三种不同粒径的有机纳米晶体；3、根据所需的粒径要求，选择步骤2中的不同的有机纳米晶体(260℃下的有机纳米晶体)，与修饰剂一同溶解在有机溶剂中，并且搅拌均匀，再将该搅拌均匀的溶液添加到加热基板上蒸发，通过控制该加热基板的不同温度值，来得到粒径不同的均匀的有机纳米晶体。进一步地，所述的加热基板分为多个加热区(300℃、320℃和350℃)，每个加热区的温度控制范围均不相同，将同一批粒径均匀的有机纳米晶体的混合滴加到该加热基板上后，能够同一时间得到三种不同粒径的且均匀的有机纳米晶体。进一步地，所述的步骤3中的有机溶剂为四氯化碳和烯烃的混合物。进一步地，所述的步骤2中的供电子基化合物为强给电子基团的供电子基化合物。进一步地，所述的步骤2中的有机溶剂为石蜡和十七烷酸中的混合物。以上所述，仅用以说明本专利技术的技术方案而非限本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米晶体的制备方法，其特征在于：其操作步骤如下：/n(1)、采用再沉淀法制备颗粒较大的且粒径较不均匀的有机纳米晶体，备用；/n(2)、将步骤(1)中颗粒较不均匀的有机纳米晶体加入到具有预定温度的溶有供电子基化合物的有机溶剂中，并根据需要控制该有机溶剂的温度，不同的温度分别得到不同粒径的均匀的有机纳米晶体；/n(3)、根据所需的粒径要求，选择步骤(2)中的不同的有机纳米晶体，与修饰剂一同溶解在有机溶剂中，并且搅拌均匀，再将该搅拌均匀的溶液添加到加热基板上蒸发，通过控制该加热基板的不同温度值，来得到粒径不同的均匀的有机纳米晶体。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米晶体的制备方法，其特征在于：其操作步骤如下：
(1)、采用再沉淀法制备颗粒较大的且粒径较不均匀的有机纳米晶体，备用；
(2)、将步骤(1)中颗粒较不均匀的有机纳米晶体加入到具有预定温度的溶有供电子基化合物的有机溶剂中，并根据需要控制该有机溶剂的温度，不同的温度分别得到不同粒径的均匀的有机纳米晶体；
(3)、根据所需的粒径要求，选择步骤(2)中的不同的有机纳米晶体，与修饰剂一同溶解在有机溶剂中，并且搅拌均匀，再将该搅拌均匀的溶液添加到加热基板上蒸发，通过控制该加热基板的不同温度值，来得到粒径不同的均匀的有机纳米晶体。


2.根据权利要求1所述的一种纳米晶体的制备方法，其特征在于：所述的加热基板分为多个加热区，每个加热区的温度控制范围均不相同，将同一批粒径均匀的有机纳米晶体的混合滴加到该加热基板上后，能够同一时间得到大小不同粒径的且均匀的有机纳米晶体。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖殿胜，
申请(专利权)人：深圳市晟诚世纪科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44