日照遮蔽构件制造技术

本发明专利技术的日照遮蔽构件的特征在于，其在透明基材上具有低辐射膜，所述低辐射膜依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜和第4电介质膜，该第1电介质膜含有：位于该透明基材的正上方且包含硅和氮的电介质层A、位于该电介质层A上且包含钛和氧的电介质层B，该电介质层A的光学膜厚为12～86nm，该第1电介质膜、该第2电介质膜和第3电介质膜在最上层具有结晶性电介质层，该结晶性电介质层的光学膜厚为5～54nm，该第1金属膜、该第2金属膜和该第3金属膜为在正下方具有该结晶性电介质层的Ag膜。

Sun shading component

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】日照遮蔽构件
本专利技术涉及透明基材上形成有具有3层Ag膜的低辐射膜的日照遮蔽构件，特别是涉及改善了耐热性的日照遮蔽构件。
技术介绍
在设置于建筑物、车辆的开口部的窗中，为了减少室内空调的使用，能遮蔽入射至室内的日照的日照遮蔽构件被广泛利用。作为上述日照遮蔽构件，广泛已知有在玻璃板表面形成有低辐射膜的低辐射玻璃。前述低辐射膜广泛使用层叠膜，所述层叠膜层叠有Ag膜与夹持该Ag膜的透明电介质膜。特别是使用2层Ag膜的低辐射膜(例如在玻璃板上依次形成有第1透明电介质膜、Ag膜、第2透明电介质膜、Ag膜和第3透明电介质膜的低辐射膜)具有高的日照遮蔽功能，因此，研究了使用该低辐射膜的各种日照遮蔽构件。前述日照遮蔽构件有Ag膜的总膜厚越增加，日照遮蔽功能越改善的倾向。迄今为止，从成本与所要求的性能的兼顾的方面出发，具有2个前述Ag膜的低辐射膜是妥当的，但近年来，对日照遮蔽功能进一步的改善的要求提高，对具有3个Ag膜的低辐射膜进行了研究(例如参照专利文献1)。此处，用于建筑用、车辆用的玻璃板除使用单板的玻璃板之外，还使用有如夹层玻璃、弯曲玻璃、强化玻璃等那样经加工的加工玻璃。该加工玻璃在制作的过程中具备加热工序。例如，在制作夹层玻璃时的加热工序中，通常以90～150℃左右进行加热。另外，在用于得到弯曲玻璃的弯曲加工处理、用于得到强化玻璃的风冷强化处理等物理强化处理中，一般在大气中、以550～720℃左右进行加热。例如，专利文献2中提出了使用前述具有3个Ag膜的低辐射膜的夹层玻璃。该文献的实施例中，公开了一种夹层玻璃，所述夹层玻璃使用有日照遮蔽构件和玻璃板，所述日照遮蔽构件具有位于玻璃基材上且依次层叠有Sn掺杂ZnO(以下有时也记作“ZnSnO”)/ZnO/Ag/Ti/ZnO/ZnSnO/ZnO/Ag/Ti/ZnO/ZnSnO/ZnO/Ag/Ti/ZnO/ZnSnO的低辐射膜。另外，专利文献3中提出了，使用了具有3个Ag膜的低辐射膜的弯曲玻璃。该文献的实施例中公开了一种将日照遮蔽构件以640℃经弯曲加工而成的弯曲玻璃，所述日照遮蔽构件具有低辐射膜，所述低辐射膜位于玻璃基材上且依次层叠有Si3N4/ZnSnO/ZnO/Ag/NiCr/ZnO/Si3N4/ZnO/Ag/NiCr/ZnO/Si3N4/ZnSnO/ZnO/Ag/NiCr/ZnO/Si3N4。另外，专利文献4中提出了，使用了具有3个Ag膜的低辐射膜的强化玻璃。该文献的实施例中公开了一种将日照遮蔽构件以620℃经热处理而成的强化玻璃，所述日照遮蔽构件具有低辐射膜，所述低辐射膜位于玻璃基材上且依次层叠有Si3N4/ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4/ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4/ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2005-516818号公报专利文献2：日本特表2010-536707号公报专利文献3：日本特表2013-502366号公报专利文献4：日本特表2007-512218号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题如前述，用于建筑用、车辆用的玻璃板使用有前述那样的加工玻璃。另外，近年来，研究了将前述那样的具有低辐射膜的日照遮蔽构件用于加工玻璃。然而，该加工玻璃在制作过程中经历加热工序。低辐射膜内的Ag膜由于热而容易氧化、聚集，因此，如果经过加热工序，则容易引起微小的缺陷的产生所导致的雾度的增加、外观品质的降低等。另外，产生随着Ag膜的劣化导致表面电阻的增加、日照遮蔽性能的降低等，因此，存在由于加热工序而Ag膜大幅劣化的问题。由以上，本专利技术中，其目的在于，能用于制作过程中伴有加热工序的加工玻璃的、具有耐热性的低辐射膜。用于解决问题的方案针对上述课题，本专利技术人等进行了深入研究，结果可知：如果为如下低辐射膜则能大幅改善耐热性，所述低辐射膜在玻璃板的正上方形成有Al掺杂Si3N4(以下有时也记作“SiAlN”)层、在该SiAlN层上形成有TiO2层、且具有Ag膜。即，本专利技术为一种日照遮蔽构件，其在透明基材上具有低辐射膜，所述低辐射膜依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜和第4电介质膜，其特征在于，该第1电介质膜含有：位于该透明基材的正上方且包含硅和氮的电介质层A、位于该电介质层A上且包含钛和氧的电介质层B，该电介质层A的光学膜厚为12～86nm，该第1电介质膜、该第2电介质膜和第3电介质膜在最上层具有结晶性电介质层，该结晶性电介质层的光学膜厚为5～54nm，该第1金属膜、该第2金属膜和该第3金属膜为在正下方具有该结晶性电介质层的Ag膜。专利技术的效果由以上，根据本专利技术，可以得到：能用于实施了伴有加热工序的加工处理的加工玻璃的具有耐热性的低辐射膜。附图说明图1为示出本专利技术的一实施方式的日照遮蔽构件的剖面示意图。图2为示出使用了日照遮蔽构件的夹层玻璃的简图。具体实施方式1：术语的说明以下对本说明书的术语进行说明。(各种波长光)本说明书中的“可见光线”是指波长380nm～780nm的范围的光。另外，本说明书中的“日照遮蔽”是指，抑制波长300nm～2500nm的范围的光的能量的透过。(可见光透射率和各种色调)关于可见光透射率、可见光线的透过色调和反射色调，采用的是，用自记录分光光度计(日立制作所制、U-4000)测定得到的值。另外，关于反射色调，对于未形成低辐射膜的透明基材面侧(使用玻璃板作为透明基材时，有时也记作“玻璃面侧”)和形成有低辐射膜的膜面侧，分别算出的值。可见光透射率以依据JISR3106(1998)的方法算出。另外，透过色调和反射色调以依据JISZ8781-4的方法、算出CIEL*a*b*颜色空间的a*和b*。(雾度)关于雾度，采用的是，用雾度计(Suga试验机、HZ-V3)测定得到的值。另外，雾度依据JISK7136(2000)中记载的方法而算出。(几何膜厚)几何膜厚与一般使用的膜厚为相同的含义，表示单纯的膜、层的厚度。几何膜厚采用的是如下值：由在与低辐射膜同样的成膜条件下制成的单层的膜厚与基材的输送速度之积求出制作该单层时的成膜速度，使用该成膜速度，算出相当的层或膜的膜厚的值。(折射率)本说明书中的“折射率”是指，波长550nm下的值。而且，折射率采用的是：首先在与低辐射膜同样的条件下制成单层，用自记录分光光度计(日立制作所制、U-4000)测定所得可见光透射率和可见光反射率(膜面)，由得到的值以光学模拟(Reflectance-transmittance法)算出的值。(光学膜厚)光学膜厚是指，几何膜厚与折射率之积所示的值，采用的是：在与低辐射膜同样的成膜条件下制成的单层的、由波长550nm下的折射率与膜厚之积算出的值。(低辐射膜)本说明书中的“低辐射膜”是指，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种日照遮蔽构件，其在透明基材上具有低辐射膜，所述低辐射膜依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜和第4电介质膜，其特征在于，/n该第1电介质膜含有：位于该透明基材的正上方且包含硅和氮的电介质层A、位于该电介质层A上且包含钛和氧的电介质层B，该电介质层A的光学膜厚为12～86nm，/n该第1电介质膜、该第2电介质膜和第3电介质膜在最上层具有结晶性电介质层，/n该结晶性电介质层的光学膜厚为5～54nm，/n该第1金属膜、该第2金属膜和该第3金属膜为在正下方具有该结晶性电介质层的Ag膜。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170512 JP 2017-0953421.一种日照遮蔽构件，其在透明基材上具有低辐射膜，所述低辐射膜依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜和第4电介质膜，其特征在于，
该第1电介质膜含有：位于该透明基材的正上方且包含硅和氮的电介质层A、位于该电介质层A上且包含钛和氧的电介质层B，该电介质层A的光学膜厚为12～86nm，
该第1电介质膜、该第2电介质膜和第3电介质膜在最上层具有结晶性电介质层，
该结晶性电介质层的光学膜厚为5～54nm，
该第1金属膜、该第2金属膜和该第3金属膜为在正下方具有该结晶性电介质层的Ag膜。


2.根据权利要求1所述的日照遮蔽构件，其特征在于，所述电介质层A为包含硅的氮化物层、或包含硅的氮氧化物层。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的日照遮蔽构件，其特征在于，所述电介质层B的光学膜厚为2～100nm。


4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的日照遮蔽构件，其特征在于，所述第4电介质膜为含有包含钛和氧的电介质层和包含锌和氧的非晶性电介质层的2层以上的膜。


5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的日照遮蔽构件，其特征在于，所述第1金属膜、所述第2金属膜和所述第3金属膜的几何膜厚总计为30～50n...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀江裕树，加藤和广，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP