一种具有反接保护的电压调整电路制造技术

一种具有反接保护的电压调整电路，包括启动电路、自偏置电路和电压调整主体电路；所述电压调整主体电路由二极管D0、误差放大器I0、P型场效应管MP0、N型场效应管MN5、一个电流源和同类型比例电阻R1、R2组成，所述二极管D0的阳极连接于芯片供电端口VDD，阴极连接P型场效应管MP0的源极，所述误差放大器I0反相输入端连接于所述自偏置电路中的P型场效应管MP2和N型场效应管MN3之间，同相输入端连接于电阻R1、R2之间，输出端连接P型场效应管MP0的栅极，本实用新型专利技术将二极管集成在芯片内部，实现了电源反接保护，同时本实用新型专利技术采用了自偏置结构的参考电压产生电路，与带隙基准电路相比，节省了芯片面积，具有较高的性价比。

A voltage adjusting circuit with reverse protection

【技术实现步骤摘要】
一种具有反接保护的电压调整电路
本技术涉及电压调整电路，特别提供一种具有反接保护的电压调整电路。
技术介绍
一般的集成电路芯片，在使用不当将芯片的接地端和电源端混淆反接时，易损坏芯片。传统的做法是在芯片的电源端外接保护二极管，防止外部电源反接时造成芯片烧毁。另外传统的电压调整电路一般会提供一个由带隙基准电路产生的基准电压，作为参考电压，以稳定电压调整电路的输出，该基准电压的产生电路需要占据较大的芯片面积，成本较高。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术的目的是提供一种将二极管集成在芯片内部的具有反接保护的电压调整电路。为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种具有反接保护的电压调整电路，包括启动电路、自偏置电路和电压调整主体电路；所述启动电路由N型场效应管MN1、MN2和P型场效应管MP1组成，所述P型场效应管MP1漏极与栅极短接后连接N型场效应管MN1的漏极，所述N型场效应管MN1的栅极与漏极短接后连接N型场效应管MN2的栅极，所述N型场效应管MN1、MN2的源极均接地；所述自偏置电路由电阻R0，P型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有反接保护的电压调整电路，其特征在于：包括启动电路、自偏置电路和电压调整主体电路；/n所述启动电路由N型场效应管MN1、MN2 和P型场效应管MP1组成，所述P型场效应管MP1漏极与栅极短接后连接N型场效应管MN1的漏极，所述N型场效应管MN1的栅极与漏极短接后连接N型场效应管MN2的栅极，所述N型场效应管MN1、MN2的源极均接地；/n所述自偏置电路由电阻R0，P型场效应管MP2、MP3和N型场效应管MN3、MN4组成，所述电阻R0的同一端分别连接P型场效应管MP2的源极和P型场效应管MP3的栅极，所述P型场效应管MP3的漏极连接N型场效应管MN4的漏极，所述N型场效应管MN3、M...

【技术特征摘要】
1.一种具有反接保护的电压调整电路，其特征在于：包括启动电路、自偏置电路和电压调整主体电路；
所述启动电路由N型场效应管MN1、MN2和P型场效应管MP1组成，所述P型场效应管MP1漏极与栅极短接后连接N型场效应管MN1的漏极，所述N型场效应管MN1的栅极与漏极短接后连接N型场效应管MN2的栅极，所述N型场效应管MN1、MN2的源极均接地；
所述自偏置电路由电阻R0，P型场效应管MP2、MP3和N型场效应管MN3、MN4组成，所述电阻R0的同一端分别连接P型场效应管MP2的源极和P型场效应管MP3的栅极，所述P型场效应管MP3的漏极连接N型场效应管MN4的漏极，所述N型场效应管MN3、MN4的源极均接地，所述N型场效应管MN3的栅极与漏极短接后连接N型场效应管MN4的栅极，所述N型场效应管MN3的漏极连接所述P型场效应管MP2的漏极，所述P型场效应管MP2的栅极和所述启动电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉山，张梁堂，刘玉龙，
申请(专利权)人：厦门顺福芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35