一种具有反接保护的电压调整电路制造技术

一种具有反接保护的电压调整电路，包括启动电路、自偏置电路和电压调整主体电路；所述电压调整主体电路由二极管D0、误差放大器I0、P型场效应管MP0、N型场效应管MN5、一个电流源和同类型比例电阻R1、R2组成，所述二极管D0的阳极连接于芯片供电端口VDD，阴极连接P型场效应管MP0的源极，所述误差放大器I0反相输入端连接于所述自偏置电路中的P型场效应管MP2和N型场效应管MN3之间，同相输入端连接于电阻R1、R2之间，输出端连接P型场效应管MP0的栅极，本发明专利技术将二极管集成在芯片内部，实现了电源反接保护，同时本发明专利技术采用了自偏置结构的参考电压产生电路，与带隙基准电路相比，节省了芯片面积，具有较高的性价比。

【技术实现步骤摘要】
一种具有反接保护的电压调整电路
本专利技术涉及电压调整电路，特别提供一种具有反接保护的电压调整电路。
技术介绍
一般的集成电路芯片，在使用不当将芯片的接地端和电源端混淆反接时，易损坏芯片。传统的做法是在芯片的电源端外接保护二极管，防止外部电源反接时造成芯片烧毁。另外传统的电压调整电路一般会提供一个由带隙基准电路产生的基准电压，作为参考电压，以稳定电压调整电路的输出，该基准电压的产生电路需要占据较大的芯片面积，成本较高。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种将二极管集成在芯片内部的具有反接保护的电压调整电路。为达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种具有反接保护的电压调整电路，包括启动电路、自偏置电路和电压调整主体电路；所述启动电路由N型场效应管MN1、MN2和P型场效应管MP1组成，所述P型场效应管MP1漏极与栅极短接后连接N型场效应管MN1的漏极，所述N型场效应管MN1的栅极与漏极短接后连接N型场效应管MN2的栅极，所述N型场效应管MN1、MN2的源极均接地；所述自偏置电路由电阻R0，P型场效应管MP2、MP3和N型场效应管MN3、MN4组成，所述电阻R0的同一端分别连接P型场效应管MP2的源极和P型场效应管MP3的栅极，所述P型场效应管MP3的漏极连接N型场效应管MN4的漏极，所述N型场效应管MN3、MN4的源极均接地，所述N型场效应管MN3的栅极与漏极短接后连接N型场效应管MN4的栅极，所述N型场效应管MN3的漏极连接所述P型场效应管MP2的漏极，所述P型场效应管MP2的栅极和所述启动电路中的N型场效应管MN2的漏极均连接于所述P型场效应管MP3和N型场效应管MN4之间；所述电压调整主体电路由二极管D0、误差放大器I0、P型场效应管MP0、N型场效应管MN5、一个电流源和同类型比例电阻R1、R2组成，所述二极管D0的阳极连接于芯片供电端口VDD，阴极连接P型场效应管MP0的源极，所述P型场效应管MP0的漏极依次串接电阻R1、R2后接地，所述P型场效应管MP0与电阻R1之间为电压调整电路的输出端，所述误差放大器I0反相输入端连接于所述自偏置电路中的P型场效应管MP2和N型场效应管MN3之间，同相输入端连接于电阻R1、R2之间，输出端连接P型场效应管MP0的栅极，所述N型场效应管MN5的栅极连接于所述自偏置电路中的N型场效应管MN3、MN4之间，源极接地，漏极连接电流源，所述P型场效应管MP1、MP3的源极和电阻R0的另一端均连接于二极管D0与P型场效应管MP0之间本专利技术的有益效果是：将二极管集成在芯片内部，实现了电源反接保护，简化用户的应用方案，节省用户的应用成本；同时本专利技术采用了自偏置结构的参考电压产生电路，与带隙基准电路相比，节省了芯片面积，具有较高的性价比。附图说明图1为本专利技术具有反接保护的电压调整电路结构示意图。具体实施方式下面结合附图详细描述本专利技术的具体实施方式。如图1所示，一种具有反接保护的电压调整电路包括启动电路、自偏置电路和电压调整主体电路；所述启动电路由N型场效应管MN1、MN2和P型场效应管MP1组成，在电路的上电过程中，实现偏置电路的启动。P型场效应管MP1沟道长度远大于沟道宽度，为倒比管，上电时候的启动电流很小，减小电路的静态电流消耗。N型场效应管MN1、MN2构成电流镜结构，在上电过程中，N型场效应管MN2的漏极给出一个低电平信号给P型场效应管MP2，使得P型场效应管MP2导通，产生从芯片供电端口VDD、二极管D0、电阻R0、P型场效应管MP2、N型场效应管MN3、GND通路的启动电流，实现后续自偏置电路的启动。所述自偏置电路由电阻R0，P型场效应管MP2、MP3和N型场效应管MN3、MN4组成，以P型场效应管MP3的阈值电压Vth为基准。N型场效应管MN3、MN4、MN5构成电流镜结构，其中N型场效应管MN3的栅源极电压VGS作为误差放大器I0的反相输入端的参考电压，N型场效应管MN5的漏极电流作为后续误差放大器I0的差分对管的尾电流。P型场效应管MP0为电压调整电路的调整管，同类型比例电阻R1和R2对电压调整电路的输出Vo进行采样分压，反馈至误差放大器I0的同相输入端，跟N型场效应管MN3的栅源极电压VGS进行误差放大，误差放大器I0的输出端连接至P型场效应管MP0的栅极，控制电压调整电路的输出Vo为一稳定值：Vo=[(R1+R2)/R2]*VGS。一种具有反接保护的电压调整电路中，二极管D0的阳极连接于芯片供电端口VDD，阴极连接于电压调整电路的供电端。当VDD端和GND端的连接正常时，二极管D0正向导通，VDD通过该二极管正常供电给电压调整电路；而当VDD端和GND端错误反接时，二极管D0反向截止，VDD到电压调整电路的供电线路被切断，防止大电流通过电压调整电路而烧毁，从而实现反接保护。以上是对本专利技术的较佳实施进行了具体说明，但本专利技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本专利技术精神的前提下还可作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有反接保护的电压调整电路，其特征在于：包括启动电路、自偏置电路和电压调整主体电路；/n所述启动电路由N型场效应管MN1、MN2 和P型场效应管MP1组成，所述P型场效应管MP1漏极与栅极短接后连接N型场效应管MN1的漏极，所述N型场效应管MN1的栅极与漏极短接后连接N型场效应管MN2的栅极，所述N型场效应管MN1、MN2的源极均接地；/n所述自偏置电路由电阻R0，P型场效应管MP2、MP3和N型场效应管MN3、MN4组成，所述电阻R0的同一端分别连接P型场效应管MP2的源极和P型场效应管MP3的栅极，所述P型场效应管MP3的漏极连接N型场效应管MN4的漏极，所述N型场效应管MN3、MN4的源极均接地，所述N型场效应管MN3的栅极与漏极短接后连接N型场效应管MN4的栅极，所述N型场效应管MN3的漏极连接所述P型场效应管MP2的漏极，所述P型场效应管MP2的栅极和所述启动电路中的N型场效应管MN2的漏极均连接于所述P型场效应管MP3和N型场效应管MN4之间；/n所述电压调整主体电路由二极管D0、误差放大器I0、P型场效应管MP0、N型场效应管MN5、一个电流源和同类型比例电阻R1、R2组成，所述二极管D0的阳极连接于芯片供电端口VDD，阴极连接P型场效应管MP0的源极，所述P型场效应管MP0的漏极依次串接电阻R1、R2后接地，所述P型场效应管MP0与电阻R1之间为电压调整电路的输出端，所述误差放大器I0反相输入端连接于所述自偏置电路中的P型场效应管MP2和N型场效应管MN3之间，同相输入端连接于电阻R1、R2之间，输出端连接P型场效应管MP0的栅极，所述N型场效应管MN5的栅极连接于所述自偏置电路中的N型场效应管MN3、MN4之间，源极接地，漏极连接电流源，所述P型场效应管MP1、MP3的源极和电阻R0的另一端均连接于二极管D0与P型场效应管MP0之间。/n...

【技术特征摘要】
1.一种具有反接保护的电压调整电路，其特征在于：包括启动电路、自偏置电路和电压调整主体电路；
所述启动电路由N型场效应管MN1、MN2和P型场效应管MP1组成，所述P型场效应管MP1漏极与栅极短接后连接N型场效应管MN1的漏极，所述N型场效应管MN1的栅极与漏极短接后连接N型场效应管MN2的栅极，所述N型场效应管MN1、MN2的源极均接地；
所述自偏置电路由电阻R0，P型场效应管MP2、MP3和N型场效应管MN3、MN4组成，所述电阻R0的同一端分别连接P型场效应管MP2的源极和P型场效应管MP3的栅极，所述P型场效应管MP3的漏极连接N型场效应管MN4的漏极，所述N型场效应管MN3、MN4的源极均接地，所述N型场效应管MN3的栅极与漏极短接后连接N型场效应管MN4的栅极，所述N型场效应管MN3的漏极连接所述P型场效应管MP2的漏极，所述P型场效应管MP2的栅极和所述启动电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉山，张梁堂，刘玉龙，
申请(专利权)人：厦门顺福芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35