【技术实现步骤摘要】
一种用于LDO抗干扰并带有逻辑控制的误差比较器
本专利技术涉及一种低功耗、高电源抑制比的误差放大器在LDO中的使用，其中涉及了误差放大器的低噪声电路结构，高电源抑制比电路结构，并且在LDO中加入逻辑控制开关来控制负载驱动的工作状态，极大的增加了电路抗干扰能力属于模拟集成电路设计与集成电路系统领域。
技术介绍
当今现代社会电子产业发展日新月异，集成电路产品也深入影响人们的生活，在满足人们对于各类电子信息相关的需求的同时，各类电路的设计中也面临着各式各样的困难和瓶颈，为了使IC产品能更有效的满足市场需求，能有更良好的性能和质量，低功耗、高电源抑制比的IC产品设计也是广大模拟IC设计者所追求的目标，改善一种新型误差放大器在LDO中的使用，具有低功耗，低噪声，高纹波抑制的能力，从而使输出不受干扰更稳定更准确可靠，这一点在绝大多数的电子产品中都是不可或缺的。
技术实现思路
本专利技术的创新目的在于可以有效的克服当前技术瓶颈，提供了一种强抗干扰能力，低噪声，极高电源抑制比以及低功耗的，并且拥有多种条件选择模式的误差放...
【技术保护点】
1.一种用于LDO抗干扰并带有逻辑控制的误差比较器，其主要结构包括；高精度基准电路模块（1）、带有三个子模块的误差比较器模块（2），子模块低噪声处理电路模块（4）、频率补偿电路模块（3），逻辑控制开关模块（5），其中：高精度基准电路模块（1）：具有高精度特性、以及较小的温漂系数提供稳定的不受温度影响的基准电压；误差比较器模块（2）：放大参考基准电压Vref与反馈电压Vfb的差值来调节输出电压，并控制整个系统的输出电压稳定在参考基准电压；频率补偿电路模块（3）：此电路模块利用零极点对消补偿方法和电容补偿方式，构造一条噪声前反馈电路，极大的提高了误差比较器抗电源干扰能力；噪声处...
【技术特征摘要】
1.一种用于LDO抗干扰并带有逻辑控制的误差比较器，其主要结构包括；高精度基准电路模块（1）、带有三个子模块的误差比较器模块（2），子模块低噪声处理电路模块（4）、频率补偿电路模块（3），逻辑控制开关模块（5），其中：高精度基准电路模块（1）：具有高精度特性、以及较小的温漂系数提供稳定的不受温度影响的基准电压；误差比较器模块（2）：放大参考基准电压Vref与反馈电压Vfb的差值来调节输出电压，并控制整个系统的输出电压稳定在参考基准电压；频率补偿电路模块（3）：此电路模块利用零极点对消补偿方法和电容补偿方式，构造一条噪声前反馈电路，极大的提高了误差比较器抗电源干扰能力；噪声处理电路模块（4）：使用共源共栅结构提高增益，用跨导放大器结构在消除一部分噪声，同时也减小了电路因为沟道调制效应而引起对电源的依赖性；逻辑控制开关模块（5）：频率补偿电路模块（3）与低噪声处理电路模块（4）联级后得到纯净的低噪声的信号，并转换成数字信号，根据条件选择输出适合电压的同时在一定条件下降低开关频率，从而最大限度的降低功耗。
2.根据权利要求1所述的.一种用于LDO抗干扰并带有逻辑控制的误差比较器，其特征在于所述的使用共源共栅电路结构提高增益，提高误差比较器的电源抑制比，电路结构包括PMOS管M1、M2、M4、M5、M3；NMOS管M16、M17、M14、M15；其中PMOS管M1源级与Vin相连，栅极与M4的源级和漏级相连，漏级与M2的源级相连；PMOS管M2栅极与M12的基级相连，漏级与M3的漏级相连，与M3、M15、M17的基级相连；PMOS管M4的源级与Vin相连，漏级与M6的漏级相连；PMOS管M5的源级与Vin相连，栅极与M11的栅极以及电阻R1相连，漏级与M14的漏级相连；PMOS管M3的源级与地相连，栅极与M15、N8的栅极相连；NMOS管M16的栅极与M14的栅极相连，漏级与M13的源级...
【专利技术属性】
技术研发人员：任明远，高天航，刘驰，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：黑龙;23
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