半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具备：半导体基板，具有上表面和下表面；上表面电极，设置在半导体基板的上表面；及下表面电极，设置在半导体基板的下表面。在俯视观察时，半导体基板具有包含半导体基板的中心的第一范围和位于第一范围与半导体基板的外周缘之间的第二范围。在第一范围和第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构。MOSFET结构在第一范围与第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的体二极管的正向电压在第一范围中比在第二范围中高。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本说明书中公开的技术涉及半导体装置，特别是涉及用于改善半导体装置的温度分布的技术。
技术介绍
日本特开2011-134950号公报公开了一体地形成有IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极晶体管)和续流二极管的半导体装置。这种半导体装置也称为RC(ReverseConducting，逆导)-IGBT，具有沿着半导体基板的下表面交替地设有IGBT的集电极区和续流二极管的阴极区的结构。在该半导体装置中，集电极区相对于阴极区之比在半导体基板的中央部大，在半导体基板的周缘部小。根据这样的结构，在散热性差的中央部，能抑制半导体基板的发热量，因此能改善半导体装置的温度分布(即，均匀化)。
技术实现思路
作为具有与RC-IGBT同样的功能的其他的半导体装置，已知具有内置有体二极管(也称为寄生二极管)的MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金氧半场效晶体管)结构的半导体装置。在这种半导体装置中，MOSFET结构的体二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n半导体基板，具有上表面和下表面；/n上表面电极，设置在所述半导体基板的上表面；及/n下表面电极，设置在所述半导体基板的下表面，/n在俯视观察时，所述半导体基板具有包含所述半导体基板的中心的第一范围和位于所述第一范围与所述半导体基板的外周缘之间的第二范围，/n在所述第一范围和所述第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构，/n所述MOSFET结构在所述第一范围与所述第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的所述体二极管的正向电压在所述第一范围中比在所述第二范围中高。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170322 JP 2017-0553441.一种半导体装置，具备：
半导体基板，具有上表面和下表面；
上表面电极，设置在所述半导体基板的上表面；及
下表面电极，设置在所述半导体基板的下表面，
在俯视观察时，所述半导体基板具有包含所述半导体基板的中心的第一范围和位于所述第一范围与所述半导体基板的外周缘之间的第二范围，
在所述第一范围和所述第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构，
所述MOSFET结构在所述第一范围与所述第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的所述体二极管的正向电压在所述第一范围中比在所述第二范围中高。


2.一种半导体装置，具备：
半导体基板，具有上表面和下表面；
上表面电极，设置在所述半导体基板的上表面；
下表面电极，设置在所述半导体基板的下表面；及
绝缘性的保护膜，覆盖所述上表面电极的一部分，
在俯视观察时，所述半导体基板具有由所述保护膜覆盖的第一范围和未由所述保护膜覆盖的第二范围，
在所述第一范围和所述第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构，该体二极管允许从所述上表面电极向所述下表面电极的通电，
所述MOSFET结构在所述第一范围与所述第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的所述体二极管的正向电压在所述第一范围中比在所述第二范围中高。


3.一种半导体装置，具备：
半导体基板，具有上表面和下表面；
上表面电极，设置在所述半导体基板的上表面；及
下表面电极，设置在所述半导体基板的下表面，
在所述上表面电极的上表面的至少一部分的范围接合有导电性构件，其中，
在俯视观察时，所述半导体基板具有未由所述导电性构件覆盖的第一范围和由所述导电性构件覆盖的第二范围，
在所述第一范围和所述第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构，该体二极管允许从所述上表面电极向所述下表面电极的通电，
所述MOSFET结构在所述第一范围与所述第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的所述体二极管的正向电压在所述第一范围中比在所述第二范围中高。...

【专利技术属性】
技术研发人员：永冈达司，山下侑佑，浦上泰，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本;JP