【技术实现步骤摘要】
以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺
本专利技术涉及材料领域,具体涉及一种以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺。
技术介绍
有机场效应晶体管作为柔性电子的最基本构成单元,近年来得到飞速的发展。区别于传统硅基半导体利用参杂技术来实现P型及N型区域的技术,有机半导体材料利用分子的结构设计来获得P型及N型材料。然而,虽然分子的结构设计带来无数不同种类的半导体材料,由于有机半导体固有的能级原因,材料以P型有机半导体为主。同时由于现阶段对于N型分子的材料设计手段主要以加入拉电子基团来实现有机半导体材料的HOMO以及LUMO的降低,从而实现从P型有机半导体材料到N型有机半导体材料的转换。但由于材料的LUMO过低,N型有机半导体材料极易在空气中氧化。所以在有机半导体领域极其缺乏在空气中稳定的N型有机半导体材料。同时,由于分子的结构设计及合成会应用大量的有机溶剂及其他化学物质,导致三废处理成本极大。而对于有机半导体的实际应用来说,又急需与P型能级相匹配的N型材料。所以扩大N型有机半导体的种类以及数量是当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺,使P型有机场效应晶体管材料转换成N型材料,大大拓宽了P型材料的范围,极大的丰富有机半导体的N型材料种类。为达到上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺,包括如下步骤:(1)提供一衬底,所述衬底具有绝缘层;(2)在步骤(1)提供的衬底的 ...
【技术保护点】
1.一种以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:/n(1)提供一衬底,所述衬底具有绝缘层;/n(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层;/n(3)在步骤(2)得到的衬底的修饰层上制备P型有机半导体材料层;/n(4)以羰基硫作为N型掺杂剂对步骤(3)得到的衬底的P型有机半导体材料层掺杂形成N型半导体材料层;/n(5)在步骤(4)得到的衬底的N型半导体材料层上制备源电极和漏电极。/n
【技术特征摘要】
1.一种以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:
(1)提供一衬底,所述衬底具有绝缘层;
(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层;
(3)在步骤(2)得到的衬底的修饰层上制备P型有机半导体材料层;
(4)以羰基硫作为N型掺杂剂对步骤(3)得到的衬底的P型有机半导体材料层掺杂形成N型半导体材料层;
(5)在步骤(4)得到的衬底的N型半导体材料层上制备源电极和漏电极。
2.如权利要求1所述的制备工艺,其特征在于,步骤(4)中,将硅片置于羰基硫气氛中退火1h,制得所述N型半导体材料层。
3.如权利要求1所述的制备工艺,其特征在于,步骤(1)中,所述衬底采用硅片、玻璃片、PI片或PMMA片,所述绝缘层为二氧化硅材料层、三氧化二铝材料层或五氧化二钽材料层。
4.如权利要求3所述的制备工艺,其特征在于,所述衬底为具有二氧化硅薄膜的硅片,所述硅片为100晶面P型重掺杂,其厚度为300mm。
5.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:金向华,高如天,王新喜,孙猛,
申请(专利权)人:苏州金宏气体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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