基于二维层状半导体材料的偏振光探测器及其制备方法技术

一种基于二维层状半导体材料的偏振光探测器、其制备方法及应用，该偏振光探测器包括基底和均设置在基底上的源电极、漏电极以及有源层；所述有源层设置在源电极和漏电极之间。本发明专利技术通过使用二维层状半导体材料作为有源层，而源电极、漏电极均为金属材料，选择合适的金属材料金，使半导体和金属的交界面为欧姆接触，保留材料本身的光电性质；本发明专利技术使用的二硫化铅锡具有高的光电响应率及偏振性，且光吸收区域覆盖紫外到近红外波段，在偏振光探测中有广泛的应用。

Polarized light detector based on two-dimensional layered semiconductor material and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
基于二维层状半导体材料的偏振光探测器及其制备方法
本专利技术涉及光探测器的制备
，尤其涉及一种基于二维层状半导体材料的偏振光探测器及其制备方法。
技术介绍
二维材料光电探测器在过去的十几年引起了广泛的关注。过渡金属硫族化合物是一类重要的二维材料，优异的光电性能使其在光电探测器领域具有很大的潜力。随着科学技术的迅猛发展，对光电探测器的要求也越来越高，拓宽光电探测器的探测光谱范围是一个重要的方向，同时，偏振光探测能提供更高的探测精度，在未来的光电探测领域有广阔的应用前景。光电探测器的原理是光激发载流子从而引起被照射材料的电导率发生改变，从而将光信号转化为电信号。自从2004年石墨烯的成功制备以来，二维材料迅速发展。二维光电探测器因其体积小，功耗低，响应快等特点而备受关注。光电探测在红外成像、环境监测和光通信等方面都扮演着十分重要的角色。目前，许多二维半导体材料已被应用到光电探测领域，如二硫化钼，二硫化锡，二硒化铼，碲化镓等。然而，这些材料的探测光谱范围都比较单一，如限制在可见光或近红外区域。因此，寻找对宽光谱范围响应的材料是一个重要的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于二维层状半导体材料的偏振光探测器，包括：基底和均设置在基底上的源电极、漏电极以及有源层；/n所述有源层设置在源电极和漏电极之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于二维层状半导体材料的偏振光探测器，包括：基底和均设置在基底上的源电极、漏电极以及有源层；
所述有源层设置在源电极和漏电极之间。


2.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，
所述基底包括硅层和设置在硅层上的二氧化硅层；所述源电极、漏电极以及有源层均设置在二氧化硅层上。


3.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，
所述有源层采用的材料包括二维层状半导体材料；
所述有源层的厚度为1～50nm。


4.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，
所述二维层状半导体材料具有各向异性；
所述二维层状半导体材料包括P型二维层状半导体材料；
作为优选，所述二维层状半导体材料包括二硫化铅锡。


5.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，
所述源电极和漏电极采用的材料均为金；
所述有源层与源电极、漏电极的交界面均为欧姆接触；
所述源电极材料和漏电极材料的功函数与有源层材料的费米能级相互匹配；
所述源电极和漏电极的厚度均为20～100nm。


6.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，
所述线偏振光探测器的探测波段为紫...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄皖，魏钟鸣，文宏玉，李京波，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，中国科学院大学，
类型：发明
国别省市：北京;11