一种无定形锗基纳米线的制备方法技术

本发明专利技术公开一种无定形锗基纳米线的制备方法，以CaGe2作为锗源分散于去离子水中，或加入有机溶剂乙腈或DMF作为混合溶剂，在室温下快速搅拌反应。然后离心，取上层液体分别用甲醇(或异丙醇)、去离子水洗涤三次后，80℃下在真空干燥箱中干燥，得到水化的Ca5Ge2O9纳米线，再经退火即可得到无定形的Ca5Ge2O9纳米线。本发明专利技术不同于传统的化学气相沉积，模板法、分子束外延、电子束蒸发，其合成温度低，工艺简单，成本低廉。

A preparation method of amorphous germanium based nanowires

【技术实现步骤摘要】
一种无定形锗基纳米线的制备方法
本专利技术属于纳米线的制备领域，更加具体地说，涉及一种无定形锗基纳米线的简单制备方法。
技术介绍
一维(1D)纳米结构的三元锗酸盐由于具有良好的光电、光化学性能，以及催化和储能等特性，而受到广泛关注。如Ca2GeO4、Ca2Ge7O16、Cd2Ge2O6、Mn2Ge2O7等结晶性纳米线的制备和应用已有大量报道。Ca5Ge2O9纳米线作为一种无定形纳米线材料，其相关制备方法和应用较少。2008年，Tsong-PyngPerng等人先通过气相沉积法制备了锗纳米颗粒，然后将其投入到Ca(OH)2溶液中反应，得到了水化的Ca5Ge2O9纳米线，再经400℃脱水处理，得到无定形的Ca5Ge2O9纳米线。光致发光测试结果表明，无定形Ca5Ge2O9纳米线，具有很好的光致发光性能，在波长300～550nm范围内具有强烈的蓝紫外光发射现象(SynthesisandPhotoluminescenceofAmorphousCa5Ge2O9Nanowires，JournalofNanoscienceandNanotechnologyV本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无定形锗基纳米线的制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行制备：以CaGe

【技术特征摘要】
1.一种无定形锗基纳米线的制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行制备：以CaGe2作为锗源分散于水或者水和有机溶剂的混合溶剂中，在室温常压且持续搅拌条件下进行反应，离心后取上层液体经洗涤干燥后，得到水化的Ca5Ge2O9纳米线，将水化的Ca5Ge2O9纳米线在惰性保护气氛中进行退火处理，即可得到无定形的Ca5Ge2O9纳米线。


2.根据权利要求1所述的一种无定形锗基纳米线的制备方法，其特征在于，水为去离子水，有机溶剂为乙腈、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)或者N,N-二甲基乙酰胺。


3.根据权利要求1所述的一种无定形锗基纳米线的制备方法，其特征在于，水和有机溶剂的体积比为1：(1—20)，优选1：(10—20)。


4.根据权利要求1所述的一种无定形锗基纳米线的制备方法，其特征在于，CaGe2与水的摩尔比为1：(50—1000)，优选1：(100—800)。


5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：封伟，赵付来，王宇，张鑫，李瑀，冯奕钰，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12