可挠性线路基板及薄膜覆晶封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种可挠性线路基板，包括可挠性基材及线路结构。可挠性基材包括芯片接合区、布线区以及贯穿孔，布线区包围芯片接合区，且贯穿孔位于布线区内。线路结构配置于可挠性基材上并位于布线区内，线路结构的一部分环绕贯穿孔而形成结构强化区段。本发明专利技术还提供一种具有上述的可挠性线路基板的薄膜覆晶封装结构。

Flexible circuit substrate and film cladding packaging structure

【技术实现步骤摘要】
可挠性线路基板及薄膜覆晶封装结构
本专利技术涉及一种线路基板及封装结构，尤其涉及一种可挠性线路基板及薄膜覆晶封装结构。
技术介绍
受限于产品的机构设计，设计者可能需要在配置于产品内的薄膜覆晶封装结构上设计贯穿孔来使机构通过或固定。例如在薄膜覆晶封装结构的可挠性线路基板的布线区处设计配合机构形状的贯穿孔。然而，在可挠性线路基板上冲切出贯穿孔时，可挠性线路基板在贯穿孔附近的部位很容易受到冲切时的剪力而破裂或变形，进一步造成贯穿孔周边的引脚损伤，导致薄膜覆晶封装结构功能异常或失效。
技术实现思路
本专利技术提供一种可挠性线路基板，其具有环绕贯穿孔的结构强化区段。本专利技术提供一种薄膜覆晶封装结构，其具有上述的可挠性线路基板。本专利技术的一种可挠性线路基板，包括一可挠性基材及一线路结构。可挠性基材包括一芯片接合区、一布线区以及一贯穿孔，布线区包围芯片接合区，且贯穿孔位于布线区内。线路结构配置于可挠性基材上并位于布线区内，线路结构的一部分环绕贯穿孔而形成一结构强化区段。在本专利技术的一实施例中，上述的可挠性基材在布线区内具有一贯穿孔偏差上限区，贯穿孔位于贯穿孔偏差上限区内，结构强化区段自贯穿孔偏差上限区以外开始环绕贯穿孔。在本专利技术的一实施例中，上述的线路结构包括多条功能引脚，这些功能引脚自芯片接合区内向外延伸至可挠性基材的一边缘，贯穿孔位于这些功能引脚之间。在本专利技术的一实施例中，上述的一部分的这些功能引脚分别绕过贯穿孔的两个半边，结构强化区段包括部分的这些功能引脚在贯穿孔的两个半边旁的部位。在本专利技术的一实施例中，分别绕过贯穿孔的两个半边的部分的这些功能引脚完全环绕贯穿孔。在本专利技术的一实施例中，上述的线路结构还包括至少一虚设导线，至少一虚设导线位于贯穿孔未被部分的这些功能引脚所环绕的位置，并连接分别绕过贯穿孔的两个半边的部分的这些功能引脚，至少一虚设导线与部分的这些功能引脚绕过贯穿孔的两个半边的部位共同形成结构强化区段。在本专利技术的一实施例中，上述的线路结构还包括一环状虚设导线，环绕贯穿孔，部分的这些功能引脚分别绕过环状虚设导线的两个半边，环状虚设导线与部分的这些功能引脚绕过环状虚设导线的两个半边的部位共同形成结构强化区段。在本专利技术的一实施例中，上述的线路结构包括多个环状虚设导线，环绕贯穿孔，这些环状虚设导线形成结构强化区段。在本专利技术的一实施例中，上述的线路结构包括一环状虚设图案，环绕贯穿孔，环状虚设图案形成结构强化区段。在本专利技术的一实施例中，上述的环状虚设图案具有多个镂空部。本专利技术的一种薄膜覆晶封装结构，包括上述的可挠性线路基板；以及芯片，配置在可挠性基材的芯片接合区上且电性连接于线路结构。基于上述，本专利技术的可挠性线路基板通过将线路结构的一部分环绕可挠性基材在布线区上的贯穿孔而形成结构强化区段。如此一来，可挠性基材在靠近贯穿孔附近的部位的结构强度提高，而可有效降低可挠性基材在靠近贯穿孔附近的部位受到冲切贯穿孔时的剪切力影响，而发生破裂或变形的机率，进而避免位于贯穿孔周边的引脚受损，导致薄膜覆晶封装结构功能异常或失效的情况发生。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1A是依照本专利技术的一实施例的一种薄膜覆晶封装结构的俯视示意图。图1B是图1A的局部放大示意图。图2是依照本专利技术的另一实施例的一种局部线路结构与贯穿孔的放大示意图。图3是依照本专利技术的另一实施例的一种局部线路结构与贯穿孔的放大示意图。图4是依照本专利技术的另一实施例的一种局部线路结构与贯穿孔的放大示意图。图5是依照本专利技术的另一实施例的一种局部线路结构与贯穿孔的放大示意图。图6是依照本专利技术的另一实施例的一种局部线路结构与贯穿孔的放大示意图。【符号说明】10：薄膜覆晶封装结构12：芯片100：可挠性线路基板110：可挠性基材111：输出侧112：芯片接合区113：输入侧114：布线区116：贯穿孔偏差上限区118：贯穿孔120：线路结构122、122c、123、124、125、126：功能引脚130、130a、130b、130c、130d、130e：结构强化区段140：虚设引脚142：虚设导线145、145d：环状虚设导线150：环状虚设图案152：镂空部160：线路空白区具体实施方式图1A是依照本专利技术的一实施例的一种薄膜覆晶封装结构的俯视示意图。图1B是图1A的局部放大示意图。请参阅图1A与图1B，本实施例的薄膜覆晶封装结构10包括一可挠性线路基板100及一芯片12。更详细地说，在本实施例中，可挠性线路基板100包括一可挠性基材110及配置于可挠性基材110上的一线路结构120。由图1A可见，在本实施例中，可挠性线路基板100具有一输出侧111与一输入侧113，输出侧111与输入侧113例如是位于可挠性线路基板100的相对两侧，但输出侧111与输入侧113的相对位置不以此为限制。可挠性基材110包括一芯片接合区112、一布线区114以及一贯穿孔118。布线区114包围芯片接合区112，且贯穿孔118位于布线区114内。芯片12配置在可挠性基材110的芯片接合区112上且电性连接于线路结构120。在本实施例中，贯穿孔118例如是位于芯片12的长边旁，且位于芯片接合区112与输出侧111之间。当然，在其他实施例中，贯穿孔118也可以位于芯片接合区112与输入侧113之间。或者，在其他实施例中，贯穿孔118也可以是位于芯片12的短边旁。贯穿孔118的位置不以上述为限制，只要位于布线区114内即可。线路结构120配置于可挠性基材110上并位于布线区114内。在本实施例中，线路结构120包括多条功能引脚122、124、126，这些功能引脚122、124、126自芯片接合区112内向外延伸至可挠性基材110的一边缘。更清楚地说，这些功能引脚126自芯片接合区112内向外延伸至可挠性线路基板100的输入侧113，这些功能引脚122、124自芯片接合区112内向外延伸至可挠性线路基板100的输出侧111，而贯穿孔118位于这些功能引脚122之间。由图1A可见，在本实施例中，线路结构120的一部分环绕贯穿孔118而形成一结构强化区段130。更明确地说，线路结构120的这些功能引脚122环绕贯穿孔118而局部形成结构强化区段130。在本实施例中，这些功能引脚122分别绕过贯穿孔118的两个半边。结构强化区段130包括这些功能引脚122在贯穿孔118的两个半边旁的部位。此外，线路结构120还包括至少一虚设导线142，至少一虚设导线142位于贯穿孔118未被这些功能引脚122所环绕的位置，并连接分别绕过贯穿孔118的两个半边的部分的这些功能引脚122，至少一虚设导线142与这些功能引脚122绕本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可挠性线路基板，其特征在于，包括：/n可挠性基材，包括芯片接合区、布线区以及贯穿孔，所述布线区包围所述芯片接合区，且所述贯穿孔位于所述布线区内；以及/n线路结构，配置于所述可挠性基材上并位于所述布线区内，所述线路结构的一部分环绕所述贯穿孔而形成结构强化区段。/n

【技术特征摘要】
20180612 TW 1071201761.一种可挠性线路基板，其特征在于，包括：
可挠性基材，包括芯片接合区、布线区以及贯穿孔，所述布线区包围所述芯片接合区，且所述贯穿孔位于所述布线区内；以及
线路结构，配置于所述可挠性基材上并位于所述布线区内，所述线路结构的一部分环绕所述贯穿孔而形成结构强化区段。


2.根据权利要求1所述的可挠性线路基板，其特征在于，所述可挠性基材在所述布线区内具有贯穿孔偏差上限区，所述贯穿孔位于所述贯穿孔偏差上限区内，所述结构强化区段自所述贯穿孔偏差上限区以外开始环绕所述贯穿孔。


3.根据权利要求1所述的可挠性线路基板，其特征在于，所述线路结构包括多条功能引脚，所述多条功能引脚自所述芯片接合区内向外延伸至所述可挠性基材的边缘，所述贯穿孔位于所述多条功能引脚之间。


4.根据权利要求3所述的可挠性线路基板，其特征在于，一部分的所述多条功能引脚分别绕过所述贯穿孔的两个半边，所述结构强化区段包括所述部分的所述多条功能引脚在所述贯穿孔的所述两个半边旁的部位。


5.根据权利要求4所述的可挠性线路基板，其特征在于，分别绕过所述贯穿孔的所述两个半边的所述部分的所述多条功能引脚完全环绕所述贯穿孔。


6.根据权利要求4所述的可挠性线路基板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈崇龙，黄建勋，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW