光束弯折器制造技术

本发明专利技术提供一种光束弯折器，能够提高由光束弯折器弯曲后的电子射线的集束性。在沿着通过光束弯折器(12)的内侧曲面(17)与外侧曲面(19)之间的电子射线的行进方向的第一剖面中，设定成内侧曲面的曲率和外侧曲面的曲率分别恒定，内侧曲面的曲率中心与外侧曲面的曲率中心一致。在与电子射线的行进方向垂直的第二剖面中，设定成内侧曲面的曲率和外侧曲面的曲率分别恒定，内侧曲面的曲率中心与外侧曲面的曲率中心一致。第二剖面中的内侧曲面的曲率半径被设定得比第一剖面中的内侧曲面的曲率半径大，第二剖面中的外侧曲面的曲率半径被设定得比第一剖面中的外侧曲面的曲率半径大。

Beam bender

【技术实现步骤摘要】
光束弯折器关联申请的相互参照本申请要求保护的范围基于在2018年6月11日申请的日本优先权专利申请JP2018-110915的权益，本申请引用其全部内容。
本专利技术涉及用于弯曲电子射线的轨道的光束弯折器。
技术介绍
以往，在电子显微镜等中，使用用于弯曲电子射线的光束弯折器。例如，在多光束扫描方式的电子显微镜中，提出弯曲多个电子射线(多光束)的轨道的光束弯折器(例如参照专利文献1)。在电子显微镜等电子射线装置中，需要将一次光学系统(用于将从电子枪射出的电子射线向试料W照射的光学系统)和二次光学系统(用于将从试料W放出的二次电子向检测器引导的光学系统)配置在壳体内的有限的空间内。例如，在多光束SEM中，在试料附近一次电子的轨道与二次电子的轨道几乎重叠的情况较多，为了将这些轨道分离，使用维恩过滤器和利用了磁场的光束弯折器的情况较多。但是，关于这些光学要素，轨道的弯曲角越大则产生越大的像差和分散，因此在扫描显微镜中尤其希望使重视分辨率的一次电子束的弯曲角最小。但是，若一次光学系统的电子射线的轨道与二次光学系统的二次电子的轨道接近，则构成一次光学系统的机器与构成二次光学系统的机器会干扰，有时配置在壳体内的有限的空间是很难的或者是不可能的。在这样的情况下，通过使用光束弯折器而主要将二次光学系统的二次电子的轨道弯曲得大，能够将一次光学系统和二次光学系统配置在壳体内。例如，像这样在电子显微镜等中使用光束弯折器。然而，在以往的光束弯折器中，存在由光束弯折器弯曲后的电子射线的集束性不高这样的问题。更具体而言，存在相对于电子射线的中心轨道离开规定的距离而平行地入射的电子射线在通过了光束弯折器之后与中心轨道交叉的位置的偏移较大这样的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述的课题，目的在于，提供一种光束弯折器，能够提高由光束弯折器弯曲后的电子射线的集束性。本专利技术的一实施方式的光束弯折器包括具有内侧曲面的内电极和具有外侧曲面的外电极，用于借助于电场使通过所述内侧曲面与所述外侧曲面之间的电子射线弯曲，所述电场通过对所述内电极和所述外电极分别施加不同的电位而产生，其中，设定成：在沿着通过所述内侧曲面与所述外侧曲面之间的所述电子射线的行进方向的第一剖面中，所述内侧曲面的曲率和所述外侧曲面的曲率分别恒定，所述内侧曲面的曲率中心与所述外侧曲面的曲率中心一致，设定成：在与所述电子射线的行进方向垂直的第二剖面中，所述内侧曲面的曲率和所述外侧曲面的曲率分别恒定，所述内侧曲面的曲率中心与所述外侧曲面的曲率中心一致，所述第二剖面中的所述内侧曲面的曲率半径被设定得比所述第一剖面中的所述内侧曲面的曲率半径大，所述第二剖面中的所述外侧曲面的曲率半径被设定得比所述第一剖面中的所述外侧曲面的曲率半径大。附图说明图1是应用本专利技术的实施方式的光束弯折器的电子射线装置(多光束扫描式的电子显微镜)的说明图。图2是本专利技术的实施方式的光束弯折器的剖视图(图3的A-A剖视图)。图3是本专利技术的实施方式的光束弯折器的剖视图(图2的B-B剖视图)。图4是本专利技术的实施方式的光束弯折器的电子射线的集束性的说明图。图5是示出本专利技术的实施方式的光束弯折器的电压调整的流程的流程图。图6是示出本专利技术的实施方式的光束弯折器的集束性的图表。符号说明1电子射线装置2一次光学系统3二次光学系统4工作台5电子枪6聚光透镜7多开口板8聚光透镜9偏转器10维恩过滤器11物镜12光束弯折器13投影透镜14多开口检测板15检测器16电压控制部17内侧曲面18内电极19外侧曲面20外电极21接地电极具体实施方式以下，对实施方式的基板干燥装置进行说明。另外，以下说明的实施方式示出实施本技术的情况的一例，本技术不限于以下说明的具体的结构。在本技术的实施中，可以适当地采用与实施方式对应的具体的结构。本专利技术的一实施方式的光束弯折器包括具有内侧曲面的内电极和具有外侧曲面的外电极，用于借助于通过对所述内电极和所述外电极分别施加不同的电位而产生的电场，使通过所述内侧曲面与所述外侧曲面之间的电子射线弯曲，在沿着通过所述内侧曲面与所述外侧曲面之间的所述电子射线的行进方向的第一剖面中，设定成所述内侧曲面的曲率和所述外侧曲面的曲率分别恒定，所述内侧曲面的曲率中心与所述外侧曲面的曲率中心一致，在与所述电子射线的行进方向垂直的第二剖面中，设定成所述内侧曲面的曲率和所述外侧曲面的曲率分别恒定，所述内侧曲面的曲率中心与所述外侧曲面的曲率中心一致，所述第二剖面中的所述内侧曲面的曲率半径被设定得比所述第一剖面中的所述内侧曲面的曲率半径大，所述第二剖面中的所述外侧曲面的曲率半径被设定得比所述第一剖面中的所述外侧曲面的曲率半径大。根据该结构，能够提高由光束弯折器弯曲后的电子射线的集束性。更具体而言，相对于入射到内侧曲面与外侧曲面之间的电子射线的中心轨道离开规定的距离而平行地入射的电子射线在通过了内侧曲面与外侧曲面之间后与中心轨道交叉的位置的偏移能够变小。另外，在本专利技术的一实施方式的光束弯折器中，也可以是，在所述第二剖面中，通过所述内侧曲面的中心位置的所述内侧曲面的法线与通过所述外侧曲面的中心位置的所述外侧曲面的法线一致，所述电子射线通过的位置被设定在所述法线上，所述内侧曲面的曲面形状具有以所述法线为中心的对称形状，所述外侧曲面的曲面形状具有以所述法线为中心的对称形状。根据该结构，内侧曲面和外侧曲面具有对称形状，因此能够提高由光束弯折器弯曲后的电子射线的对称性。另外，在本专利技术的一实施方式的光束弯折器中，也可以是，设定所述第二剖面中的所述内侧曲面的曲率半径和所述外侧曲面的曲率半径，以使得：在所述第一剖面中，相对于通过上述内侧曲面与上述外侧曲面之间的中点的电子射线的中心轨道，离开规定的距离而平行地入射的电子射线在通过了上述内侧曲面与上述外侧曲面之间后与上述中心轨道交叉的位置的偏移变小。根据该结构，通过适当地设定第二剖面中的内侧曲面的曲率半径和外侧曲面的曲率半径，能够提高由光束弯折器弯曲后的电子射线的集束性。另外，在本专利技术的一实施方式的光束弯折器中，也可以是，所述第二剖面中的所述内侧曲面的曲率半径被设定得比所述第一剖面中的所述内侧曲面的曲率半径的1倍大、且为所述第一剖面中的所述内侧曲面的曲率半径的3倍以下，所述第二剖面中的所述外侧曲面的曲率半径被设定得比所述第一剖面中的所述外侧曲面的曲率半径的1倍大、且为所述第一剖面中的所述外侧曲面的曲率半径的3倍以下。根据该结构，通过适当地设定第二剖面中的内侧曲面的曲率半径和外侧曲面的曲率半径，能够提高由光束弯折器弯曲后的电子射线的集束性。根据本专利技术，能够提高由光束弯折器弯曲后的电子射线的集束性。另外，通过将本专利技术的光束弯折器作为分光器来使用，能够期待电子射线的分光特性的提高。...

【技术保护点】
1.一种光束弯折器，包括具有内侧曲面的内电极和具有外侧曲面的外电极，用于借助于电场使通过所述内侧曲面与所述外侧曲面之间的电子射线弯曲，所述电场通过对所述内电极和所述外电极分别施加不同的电位而产生，该光束弯折器的特征在于，/n设定成：在沿着通过所述内侧曲面与所述外侧曲面之间的所述电子射线的行进方向的第一剖面中，所述内侧曲面的曲率和所述外侧曲面的曲率分别恒定，所述内侧曲面的曲率中心与所述外侧曲面的曲率中心一致，/n设定成：在与所述电子射线的行进方向垂直的第二剖面中，所述内侧曲面的曲率和所述外侧曲面的曲率分别恒定，所述内侧曲面的曲率中心与所述外侧曲面的曲率中心一致，/n所述第二剖面中的所述内侧曲面的曲率半径被设定得比所述第一剖面中的所述内侧曲面的曲率半径大，/n所述第二剖面中的所述外侧曲面的曲率半径被设定得比所述第一剖面中的所述外侧曲面的曲率半径大。/n

【技术特征摘要】
20180611 JP 2018-1109151.一种光束弯折器，包括具有内侧曲面的内电极和具有外侧曲面的外电极，用于借助于电场使通过所述内侧曲面与所述外侧曲面之间的电子射线弯曲，所述电场通过对所述内电极和所述外电极分别施加不同的电位而产生，该光束弯折器的特征在于，
设定成：在沿着通过所述内侧曲面与所述外侧曲面之间的所述电子射线的行进方向的第一剖面中，所述内侧曲面的曲率和所述外侧曲面的曲率分别恒定，所述内侧曲面的曲率中心与所述外侧曲面的曲率中心一致，
设定成：在与所述电子射线的行进方向垂直的第二剖面中，所述内侧曲面的曲率和所述外侧曲面的曲率分别恒定，所述内侧曲面的曲率中心与所述外侧曲面的曲率中心一致，
所述第二剖面中的所述内侧曲面的曲率半径被设定得比所述第一剖面中的所述内侧曲面的曲率半径大，
所述第二剖面中的所述外侧曲面的曲率半径被设定得比所述第一剖面中的所述外侧曲面的曲率半径大。


2.根据权利要求1所述的光束弯折器，其特征在于，
在所述第二剖面中，通过所述内侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上武司，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP