一种锁相环电路制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种锁相环电路。包括：鉴频鉴相器、电荷泵、滤波电路、电压电流转换电路、第一电容、电压缓冲单元、第二电容、电流镜像单元、电流控制振荡器及分频器；所述鉴频鉴相器、所述电荷泵、所述电压电流转换电路、所述电流控制振荡器及所述分频器依次连接；所述滤波电路连接于第一节点和接地端之间；所述第一电容连接于第二节点与接地端之间；所述电压缓冲单元的输入端与所述第二节点相连，电压缓冲单元的输入端与所述第二电容的一端连接；所述第二电容的另一端与电流镜像单元的输入端相连，所述电流镜像单元输出单元的输出端与所述第二节点相连。可以降低振荡器带来的电压波动，从而减小锁相环电路输出时钟的抖动。

A PLL circuit

【技术实现步骤摘要】
一种锁相环电路
本专利技术实施例涉及电路
，尤其涉及一种锁相环电路。
技术介绍
随着无线通信技术和集成电路工艺的发展，越来越多的无线通信系统集成到芯片上。锁相环可产生精准的时钟信号或者频率信号，所以广泛应用于时钟产生器，在无线通信收发系统、时钟/数据恢复电路等电子系统中，基于锁相环的频率合成器广泛的应用于射频收发系统中。这些需求都促进了锁相环电路的研究和发展。现有技术中，锁相环中的振荡器会引起电压的波动，使得锁相环电路输出的时钟抖动较大，因而减小锁相环输出抖动显得尤为重要。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种锁相环电路，可以降低振荡器带来的电压波动，从而较小锁相环电路输出时钟的抖动。第一方面，本专利技术实施例提供了一种锁相环电路，包括：鉴频鉴相器、电荷泵、滤波电路、电压电流转换电路、第一电容、电压缓冲单元、第二电容、电流镜像单元、电流控制振荡器及分频器；所述鉴频鉴相器设置有参考信号输入端和连接于所述分频器的反馈信号输入端；所述鉴频鉴相器、所述电荷泵、所述电压电流转换电路、所述电流控制振荡器及所述分频器依次连接；所述滤波电路连接于第一节点和接地端之间；其中，第一节点位于所述电荷泵和所述电压电流转换电路之间；所述第一电容连接于第二节点与接地端之间；其中，第二节点位于所述电压电流转换电路和所述电流控制振荡器之间；所述电压缓冲单元的输入端与所述第二节点相连，电压缓冲单元的输入端与所述第二电容的一端连接；所述第二电容的另一端与电流镜像单元的输入端相连，所述电流镜像单元输出单元的输出端与所述第二节点相连。进一步地，所述电压电流转换电路包括第一PMOS管；所述电流控制振荡器包括三个反相器；所述第一PMOS管的栅极与所述电荷泵的输出端相连，源极与电源相连，漏极分别与三个反相器的输入级相连；三个反相器按照中间级与输出级相连的方式串联；所述第二节点位于所述第一PMOS管的漏极和三个反相器的输入级之间。进一步地，所述反相器包括一个PMOS管和一个NMOS管。进一步地，所述滤波电路包括第一电阻和第三电容；所述第一电阻的一端与所述第一节点相连，另一端与所述第三电容的一端相连；所述第三电容的另一端与接地端相连。进一步地，所述电压缓冲单元包括两个PMOS管，分别为第二PMOS管和第三PMOS管；所述第二PMOS管的栅极与所述第一节点相连，源极与电源相连，漏极分别与所述第三PMOS管的源极和所述第二电容的一端相连；所述第三PMOS管的栅极与所述第二节点相连，漏极与接地端相连。进一步地，所述电流镜像单元包括两个PMOS管和两个NMOS管；分别为第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述第四PMOS管和第五PMOS管的栅极均与所述第一节点相连，源极均与电源相连；所述第四PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连；所述第五PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极相连；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极均与接地端相连；所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的栅极相连。进一步地，所述第二电容的另一端与所述第四PMOS管的漏极相连。本专利技术实施例提供的锁相环电路，包括鉴频鉴相器、电荷泵、滤波电路、电压电流转换电路、第一电容、电压缓冲单元、第二电容、电流镜像单元、电流控制振荡器及分频器；第一电容连接于第二节点与接地端之间；其中，第二节点位于电压电流转换电路和电流控制振荡器之间；电压缓冲单元的输入端与第二节点相连，电压缓冲单元的输入端与第二电容的一端连接；第二电容的另一端与电流镜像单元的输入端相连，电流镜像单元输出单元的输出端与第二节点相连。可以降低振荡器带来的电压波动，从而减小锁相环电路输出时钟的抖动。附图说明图1是本专利技术实施例一中的一种锁相环电路的结构示意图；图2是本专利技术实施例一中的一种电流控制振荡器的结构示意图；图3是本专利技术实施例一中的一种锁相环电路的局部结构示意图；图4是本专利技术实施例一中的锁相环电路中的各个节点的电压及电流示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种锁相环电路的结构示意图，如图1所示，该电路包括：鉴频鉴相器、电荷泵、滤波电路、电压电流转换电路、第一电容、电压缓冲单元、第二电容、电流镜像单元、电流控制振荡器及分频器。鉴频鉴相器设置有参考信号输入端和连接于分频器的反馈信号输入端；鉴频鉴相器、电荷泵、电压电流转换电路、电流控制振荡器及分频器依次连接。滤波电路连接于第一节点和接地端之间；其中，第一节点位于电荷泵和电压电流转换电路之间。第一电容连接于第二节点与接地端之间；其中，第二节点位于电压电流转换电路和电流控制振荡器之间。电压缓冲单元的输入端与第二节点相连，电压缓冲单元的输入端与第二电容的一端连接；第二电容的另一端与电流镜像单元的输入端相连，电流镜像单元输出单元的输出端与第二节点相连。如图1所示，滤波电路包括第一电阻和第三电容；第一电阻的一端与第一节点相连，另一端与第三电容的一端相连；第三电容的另一端与接地端相连。图2是本专利技术实施例中的一种电流控制振荡器的结构示意图。如图2所示，电压电流转换电路包括第一PMOS管；电流控制振荡器包括三个反相器。其中，第一PMOS管的栅极与电荷泵的输出端相连，源极与电源相连，漏极分别与三个反相器的输入级相连。三个反相器按照中间级与输出级相连的方式串联。第二节点位于第一PMOS管的漏极和三个反相器的输入级之间。本实施例中，反相器包括一个PMOS管和一个NMOS管。图3是本专利技术实施例中的一种锁相环电路的局部结构示意图，如图3所示，电压缓冲单元包括两个PMOS管，分别为第二PMOS管和第三PMOS管。第二PMOS管的栅极与第一节点相连，源极与电源相连，漏极分别与第三PMOS管的源极和第二电容的一端相连；第三PMOS管的栅极与第二节点相连，漏极与接地端相连。电流镜像单元包括两个PMOS管和两个NMOS管；分别为第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；第四PMOS管和第五PMOS管的栅极均与第一节点相连，源极均与电源相连；第四PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连；第五PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连；第一NMOS管和第二NMOS管的源极均与接地端相连；第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的栅极相连。第二电容的另一端与第四PMOS管的漏极相连。本实施例中，第一节点为电压控制，由电荷泵、第一电阻和第三电容实现，第一电阻和第三电容共同形成了环路的一个零点和极点，其零点位于其中，R1为第一电阻的电阻值，C3为第三电容的电容值。极点则位于原点。第一PMOS管实现电压到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锁相环电路，其特征在于，包括：鉴频鉴相器、电荷泵、滤波电路、电压电流转换电路、第一电容、电压缓冲单元、第二电容、电流镜像单元、电流控制振荡器及分频器；/n所述鉴频鉴相器设置有参考信号输入端和连接于所述分频器的反馈信号输入端；所述鉴频鉴相器、所述电荷泵、所述电压电流转换电路、所述电流控制振荡器及所述分频器依次连接；/n所述滤波电路连接于第一节点和接地端之间；其中，第一节点位于所述电荷泵和所述电压电流转换电路之间；/n所述第一电容连接于第二节点与接地端之间；其中，第二节点位于所述电压电流转换电路和所述电流控制振荡器之间；/n所述电压缓冲单元的输入端与所述第二节点相连，电压缓冲单元的输入端与所述第二电容的一端连接；所述第二电容的另一端与电流镜像单元的输入端相连，所述电流镜像单元输出单元的输出端与所述第二节点相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种锁相环电路，其特征在于，包括：鉴频鉴相器、电荷泵、滤波电路、电压电流转换电路、第一电容、电压缓冲单元、第二电容、电流镜像单元、电流控制振荡器及分频器；
所述鉴频鉴相器设置有参考信号输入端和连接于所述分频器的反馈信号输入端；所述鉴频鉴相器、所述电荷泵、所述电压电流转换电路、所述电流控制振荡器及所述分频器依次连接；
所述滤波电路连接于第一节点和接地端之间；其中，第一节点位于所述电荷泵和所述电压电流转换电路之间；
所述第一电容连接于第二节点与接地端之间；其中，第二节点位于所述电压电流转换电路和所述电流控制振荡器之间；
所述电压缓冲单元的输入端与所述第二节点相连，电压缓冲单元的输入端与所述第二电容的一端连接；所述第二电容的另一端与电流镜像单元的输入端相连，所述电流镜像单元输出单元的输出端与所述第二节点相连。


2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压电流转换电路包括第一PMOS管；所述电流控制振荡器包括三个反相器；
所述第一PMOS管的栅极与所述电荷泵的输出端相连，源极与电源相连，漏极分别与三个反相器的输入级相连；三个反相器按照中间级与输出级相连的方式串联；所述第二节点位于所述第一PMOS管的漏极和三个反相器的输入级之间。


3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述反相器包括一个PMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙杰，
申请(专利权)人：辰芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31