一种液口距定位装置、方法及单晶炉制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种液口距定位装置、方法及单晶炉，所述液口距定位装置，设置于单晶炉内，通过发射器发出的光束经过反射器反射与定位孔重合时，定位重锤至初始位置，控制重锤下降预设距离，以使重锤到达目标位置，调节坩埚的位置，以使硅液液面与定位件下沿接触，此时硅液液面到热屏下沿的距离为预设液口距，从而达到定位液口距的目的，本发明专利技术实施例提供的液口距定位装置，通过控制重锤下降的距离来确定液口距，液口距定位的精度高，减少拉晶过程中晶体断线的概率。

A device, method and single crystal furnace for locating liquid port distance

The invention provides a liquid port distance positioning device, a method and a single crystal furnace. The liquid port distance positioning device is arranged in the single crystal furnace. When the light beam emitted by the transmitter is reflected by the reflector and coincides with the positioning hole, the positioning weight is positioned to the initial position, the preset distance is controlled to drop the weight, so as to make the weight reach the target position, and the position of the crucible is adjusted, so as to make the liquid level of silicon and the positioning piece When the lower edge contacts, the distance between the liquid silicon liquid level and the lower edge of the hot screen is the preset liquid port distance, so as to achieve the purpose of positioning the liquid port distance. The liquid port distance positioning device provided by the embodiment of the invention determines the liquid port distance by controlling the falling distance of the heavy hammer. The liquid port distance positioning accuracy is high, reducing the probability of crystal disconnection in the process of crystal drawing.

【技术实现步骤摘要】
一种液口距定位装置、方法及单晶炉
本专利技术涉及单晶炉
，特别是涉及一种液口距定位装置、方法及单晶炉。
技术介绍
随着光伏技术的不断提高，作为光伏发电基础材料的单晶硅得到快速发展，直拉法是目前生长单晶硅的主要技术，通过在单晶炉内加热多晶硅，拉制出单晶硅。液口距是单晶炉中热屏下沿距坩埚中硅液的液面的距离，在直拉生产单晶硅的过程中，无论是调温、引晶、放肩、转肩、等径，还是收尾等工序，都需要对液口距进行定位，以获得精确的液口距，从而保证拉晶过程中热场温度恒定，提高拉晶的精度。然而，现有技术中，液口距的定位主要是凭借肉眼观察，精度低，差异性大，容易导致液口距精度不够，造成拉晶的精度较差，甚至晶体断线的情况发生。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种液口距定位装置、方法及单晶炉。为了解决上述问题，一方面，本专利技术公开了一种液口距定位装置，设置于单晶炉内，所述单晶炉包括：壳体、热屏和盛有硅液的坩埚，所述热屏位于所述硅液的上方，所述液口距定位装置包括：固定块、发射器、牵引绳、重锤、反射器和处理器；其中，所述固定块固定在所述壳体上，所述发射器固定在所述固定块的一侧，所述牵引绳的一端与所述固定块可伸缩连接，所述牵引绳的另一端与所述重锤连接，所述重锤的下端设置有定位件；所述反射器设置在所述重锤上，所述反射器的反射面与所述发射器发射的光束承预设夹角；所述热屏上设置有定位孔；所述处理器用于，调节所述重锤至初始位置，其中，所述初始位置指的是，所述发射器发出的光束经过所述反射器反射与所述定位孔重合时的位置；所述处理器还用于，控制所述重锤下降预设距离，以使所述重锤到达目标位置，其中，所述目标位置指的是，所述定位件下沿低于所述热屏下沿预设液口距的距离；所述处理器还用于，调节所述坩埚的位置，以使所述硅液液面与所述定位件下沿接触。可选的，所述定位件为籽晶。可选的，所述重锤的下端设置有夹头，所述夹头用于夹持所述籽晶。可选的，所述预设距离为：所述重锤在所述初始位置时所述定位件下沿距所述热屏下沿的距离，与所述预设液口距的和。可选的，所述预设夹角为45°。可选的，所述液口距定位装置还包括：检测器，所述检测器设置在所述热屏外且与所述定位孔相对，所述检测器与所述处理器连接。可选的，所述牵引绳为钢丝绳。可选的，所述发射器为激光发射器，所述反射器为石英激光反射器。另一方面，本专利技术实施例还提供一种液口距定位方法，应用于上述的液口距定位装置，所述液口距定位方法包括：调节所述重锤至初始位置，其中，所述初始位置指的是，所述发射器发出的光束经过所述反射器反射与所述定位孔重合时的位置；控制所述重锤下降预设距离，以使所述重锤到达目标位置，其中，所述目标位置指的是，所述定位件下沿低于所述热屏下沿预设液口距的距离；调节所述坩埚的位置，以使所述硅液液面与所述定位件下沿接触。另一方面，本专利技术实施例还提供一种单晶炉，所述单晶炉包括：上述的液口距定位装置。本专利技术包括以下优点：本专利技术实施例所述的液口距定位装置，设置于单晶炉内，通过将固定块固定在单晶炉的壳体上，发射器固定在固定块的一侧，牵引绳的一端与固定块可伸缩连接，另一端与重锤连接，通过调节牵引绳吊拉重锤的长度，从而可以调节重锤的位置，反射器设置在重锤上，反射器的反射面与发射器发射的光束承预设夹角，从发射器发出的光束可以在反射面上发生反射，热屏上设置有定位孔，用于标定重锤的位置。重锤下端设置有定位件，处理器用于，调节重锤至初始位置，其中，初始位置指的是，发射器发出的光束经过反射器反射与定位孔重合时的位置；处理器还用于，控制重锤下降预设距离，以使重锤到达目标位置，其中，目标位置是定位件下沿低于热屏下沿预设液口距的距离；处理器还用于，调节坩埚的位置，以使硅液液面与定位件下沿接触，由于定位件下沿低于热屏下沿距热屏下沿的距离为预设液口距，则硅液液面到热屏下沿的距离也为预设液口距，从而达到定位液口距的目的，本专利技术实施例提供的液口距定位装置，通过控制重锤下降的距离来确定液口距，液口距定位的精度高，减少拉晶过程中晶体断线的概率。附图说明图1是本专利技术的一种液口距定位装置的结构示意图之一；图2是本专利技术的一种液口距定位装置的结构示意图之二；图3是本专利技术的一种液口距定位装置的结构示意图之三；图4是本专利技术的一种液口距定位方法的步骤流程图。附图标记说明：10-液口距定位装置，101-固定块，102-发射器，103-牵引绳，104-重锤，105-反射器，106-定位件，20-热屏，201-定位孔，30-坩埚。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参照图1，示出了本专利技术的一种液口距定位装置的结构示意图之一；如图1所示，液口距定位装置10设置于单晶炉内，且单晶炉包括：壳体、热屏20和盛有硅液的坩埚30，热屏20位于硅液的上方，热屏20的存在能够引导氩气呈定向流动，保证硅液及晶体周围总是充满氩气，使硅单晶在周围气氛保护下生长。本专利技术实施例中，液口距定位装置10具体可以包括：固定块101、发射器102、牵引绳103、重锤104、反射器105和处理器，其中，固定块101固定在壳体上，发射器102固定在固定块101的一侧，牵引绳103的一端与固定块可伸缩连接，牵引绳103的另一端与重锤104连接，重锤104的下端设置有定位件106，牵引绳103吊拉重锤104的长度可发生变化，从而可以改变重锤104的位置，即定位件106的位置，从而对液口距进行定位。具体地，反射器105设置在重锤104上，反射器105的反射面与发射器102发射的光束承预设夹角，从发射器102发射出来的光束，可以经反射面反射；热屏20上设置有定位孔201，当重锤104运动到相应位置时，从发射器102发射的光束，经过反射器105的反射面反射后，可以与定位孔201重合，从而可以标定重锤104的位置。在实际应用中，液口距定位装置10还包括处理器，处理器用于，调节重锤104至初始位置，其中，所述初始位置指的是，发射器102发出的光束经过反射器105反射与定位孔201重合时的位置；处理器还用于，控制重锤104下降预设距离，以使重锤104到达目标位置，其中，所述目标位置指的是，定位件106下沿低于热屏20下沿预设液口距的距离；处理器还用于，调节坩埚30的位置，以使所述硅液液面与定位件106下沿接触。具体地，本专利技术实施例中，液口距定位装置10还可以包括检测器，检测器设置在热屏20外且与定位孔201相对，检测器与处理器连接，当检测器检测到从定位孔201穿过的被反射器105反射的光束时，说明重锤104正好运动到反射器105反射的光束与定位孔201重合时的位置，处理器会将该位置标定为初始位置，在初始位置的基础上，控制重锤104本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液口距定位装置，设置于单晶炉内，所述单晶炉包括：壳体、热屏和盛有硅液的坩埚，所述热屏位于所述硅液的上方，其特征在于，所述液口距定位装置包括：固定块、发射器、牵引绳、重锤、反射器和处理器；其中，/n所述固定块固定在所述壳体上，所述发射器固定在所述固定块的一侧，所述牵引绳的一端与所述固定块可伸缩连接，所述牵引绳的另一端与所述重锤连接，所述重锤的下端设置有定位件；/n所述反射器设置在所述重锤上，所述反射器的反射面与所述发射器发射的光束承预设夹角；/n所述热屏上设置有定位孔；/n所述处理器用于，调节所述重锤至初始位置，其中，所述初始位置指的是，所述发射器发出的光束经过所述反射器反射与所述定位孔重合时的位置；所述处理器还用于，控制所述重锤下降预设距离，以使所述重锤到达目标位置，其中，所述目标位置指的是，所述定位件下沿低于所述热屏下沿预设液口距的距离；所述处理器还用于，调节所述坩埚的位置，以使所述硅液液面与所述定位件下沿接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种液口距定位装置，设置于单晶炉内，所述单晶炉包括：壳体、热屏和盛有硅液的坩埚，所述热屏位于所述硅液的上方，其特征在于，所述液口距定位装置包括：固定块、发射器、牵引绳、重锤、反射器和处理器；其中，
所述固定块固定在所述壳体上，所述发射器固定在所述固定块的一侧，所述牵引绳的一端与所述固定块可伸缩连接，所述牵引绳的另一端与所述重锤连接，所述重锤的下端设置有定位件；
所述反射器设置在所述重锤上，所述反射器的反射面与所述发射器发射的光束承预设夹角；
所述热屏上设置有定位孔；
所述处理器用于，调节所述重锤至初始位置，其中，所述初始位置指的是，所述发射器发出的光束经过所述反射器反射与所述定位孔重合时的位置；所述处理器还用于，控制所述重锤下降预设距离，以使所述重锤到达目标位置，其中，所述目标位置指的是，所述定位件下沿低于所述热屏下沿预设液口距的距离；所述处理器还用于，调节所述坩埚的位置，以使所述硅液液面与所述定位件下沿接触。


2.根据权利要求1所述的液口距定位装置，其特征在于，所述定位件为籽晶。


3.根据权利要求2所述的液口距定位装置，其特征在于，所述重锤的下端设置有夹头，所述夹头用于夹持所述籽晶。


4.根据权利要求1所述的液口距定位装置，其特征在于，所述预设距离...

【专利技术属性】
技术研发人员：李小龙，李强，涂准，
申请(专利权)人：宁夏隆基硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：宁夏;64