具有可编程缓冲器及高速缓冲存储器大小的存储器协议制造技术

本发明专利技术包含与具有可编程缓冲器及高速缓冲存储器大小的存储器协议有关的设备及方法。一种实例性设备可：编程电阻器以界定存储器中的缓冲器的大小；将数据存储于所述存储器的第一部分中的所述缓冲器中，所述缓冲器由所述寄存器界定；及将数据存储于所述存储器的第二部分中的高速缓冲存储器中。

Memory protocol with programmable buffer and cache size

The invention includes devices and methods related to a memory protocol having a programmable buffer and a cache memory size. An exemplary device may program a resistor to define the size of a buffer in the memory, store data in the buffer in the first part of the memory, defined by the register, and store data in the cache memory in the second part of the memory.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有可编程缓冲器及高速缓冲存储器大小的存储器协议
本专利技术一般来说涉及存储器装置，且更特定来说，涉及用于具有可编程缓冲器及高速缓冲存储器大小的存储器协议的设备及方法。
技术介绍
存储器装置通常经提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)以及其它易失性存储器。非易失性存储器可通过在未被供电时保留所存储数据而提供持久的数据，且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁阻式随机存取存储器(MRAM)以及其它非易失性存储器。存储器还作为易失性及非易失性数据存储装置以用于宽广范围的电子应用。举例来说，非易失性存储器可用于个人计算机、便携式记忆棒、数码相机、蜂窝式电话、例如MP3播放器的便携式音乐播放器、电影播放器及其它电子设备中。存储器单元可被布置成若干阵列，其中所述阵列用于存储器装置中。存储器可为用于计算装置中的存储器模块(例如，双列直插式存储器模块(DIMM))的一部分。存储器模块可包含易失性存储器(举例来说，例如DRAM)及/或非易失性存储器(举例来说，例如快闪存储器或RRAM)。DIMM可在计算系统中使用主要存储器。<br>附图说明图1A是根据本专利技术的若干个实施例的呈包含存储器系统的计算系统的形式的设备的框图。图1B到1D是根据本专利技术的若干个实施例的呈双列直插式存储器模块(DIMM)的形式的设备的框图。图2A到2B是根据本专利技术的若干个实施例的缓冲器/高速缓冲存储器的图式。图3是根据本专利技术的若干个实施例的一定数目个寄存器的图式。具体实施方式本专利技术包含与具有可编程缓冲器及高速缓冲存储器大小的存储器协议有关的设备及方法。实例性设备可：编程寄存器以界定存储器中的缓冲器的大小；将数据存储于所述存储器的第一部分中的所述缓冲器中，所述缓冲器由所述寄存器界定；及将数据存储于所述存储器的第二部分中的高速缓冲存储器中。在若干个实施例中，存储器的一部分可实施为非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)装置的缓冲器/高速缓冲存储器。实施为缓冲器/高速缓冲存储器的存储器可位于控制器上及/或可位于耦合到所述控制器的存储器装置中。NVDIMM装置的存储器装置可包含易失性存储器阵列(例如，DRAM)及/或非易失性存储器阵列(例如，NAND快闪存储器)。举例来说，位于控制器上的实施为缓冲器/高速缓冲存储器的存储器可为SRAM。举例来说，位于存储器装置中的实施为缓冲器/高速缓冲存储器的存储器可为DRAM存储器阵列。SRAM的一部分可为用于DRAM存储器阵列及/或非易失性存储器阵列的缓冲器/高速缓冲存储器，且DRAM的一部分可为缓冲器/高速缓冲存储器或非易失性存储器阵列。缓冲器/高速缓冲存储器可包含用作NVDIMM装置的缓冲器的一部分及用作NVDIMM装置的高速缓冲存储器的一部分。存储器的用作缓冲器的部分的大小可由寄存器界定。存储器的用作高速缓冲存储器的部分的大小还可由寄存器及/或由存储器的未用作缓冲器的其余部分界定。寄存器可由主机编程。寄存器还可由NVDIMM控制器编程。寄存器还可经编程以界定用于缓冲器/高速缓冲存储器的存储器密度。界定存储器密度的寄存器可用于确定缓冲器/高速缓冲存储器的总大小。缓冲器/高速缓冲存储器的用作缓冲器的部分可经配置以存储信号、地址信号(例如，读取及/或写入命令)及/或数据(例如，写入数据)。缓冲器可在执行命令的同时暂时存储信号及/或数据。缓冲器/高速缓冲存储器的用作高速缓冲存储器的部分可经配置以存储数据，所述数据还存储于存储器装置中。存储于高速缓冲存储器及存储器装置中的数据由控制器寻址且可在命令的执行期间位于高速缓冲存储器及/或存储器装置中。在若干个实施例中，存储器的实施为缓冲器的部分的大小及存储器的实施为高速缓冲存储器的部分的大小可基于如何使用NVDIMM装置。举例来说，如果NVDIMM装置正执行使用缓冲器的较多命令，那么缓冲器的大小可比高速缓冲存储器大。如果存在对如何使用NVDIMM装置的改变，那么可通过编程寄存器以反映所述改变而修改缓冲器及高速缓冲存储器的相对大小。举例来说，如果主机正执行比使用高速缓冲存储器的存储器加载/存储(例如，读取)操作多的使用缓冲器的块/写入操作，那么缓冲器可经配置以在大小上比高速缓冲存储器大。一旦主机装置已将数据写入到NVDIMM装置的存储器阵列，所述主机装置便可接收较多读取命令以存取数据，所述读取命令将使用高速缓冲存储器。可接着通过重新编程寄存器使得高速缓冲存储器可经配置以在大小上比缓冲器大而增加高速缓冲存储器的大小。在本专利技术的以下详细说明中，参考形成本专利技术的一部分的随附图式，且图式中以图解说明的方式展示可如何实践本专利技术的若干个实施例。充分详细地描述这些实施例以使所属领域的技术人员能够实践本专利技术的实施例，且应理解，可利用其它实施例且可在不背离本专利技术的范围的情况下做出过程、电及/或结构改变。如本文中所使用，指定符“N”指示，如此指定的特定特征中的一定数目个特征可与本专利技术的若干个实施例包含在一起。如本文中所使用，“一定数目个”某物可能是指此类事物中的一或多者。举例来说，一定数目个存储器装置可能是指存储器装置中的一或多者。另外，如本文中所使用的例如“N”的指定符(尤其相对于图式中的元件符号)指示如此指定的特定特征中的一定数目个特征可与本专利技术的若干个实施例包含在一起。本文中的各图遵循其中第一个数字或前几个数字对应于图式的图编号且其余数字识别图式中的元件或组件的编号惯例。可通过使用类似数字来识别不同图之间的类似元件或组件。如将了解，可添加、交换及/或消除本文中的各种实施例中所展示的元件以便提供本专利技术的若干个额外实施例。另外，各图中所提供的元件的比例及相对标度打算图解说明本专利技术的各种实施例且并不在限制意义上使用。图1A是根据本专利技术的一或多个实施例的包含呈一定数目个存储器系统104-1…104-N的形式的设备的计算系统100的功能框图。如本文中所使用，“设备”可能是指但不限于各种结构或结构组合中的任一者，举例来说，例如电路或电路系统、一或若干裸片、一或若干模块、一或若干装置或者一或若干系统。在图1A中所图解说明的实施例中，存储器系统104-1…104-N可包含一或多个模块，例如双列直插式存储器模块(DIMM)110-1、…、110-X、110-Y。DIMM110-1、…、110-X、110-Y可包含易失性存储器及/或非易失性存储器。在若干个实施例中，存储器系统104-1、…、104-N可包含多芯片装置。多芯片装置可包含一定数目个不同存储器类型及/或存储器模块。举例来说，存储器系统可包含一定数目个芯片，所述一定数目个芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n存储器装置；及/n控制器，其耦合到所述存储器装置，经配置以：/n编程寄存器以界定存储器中的缓冲器的大小；/n将数据存储于所述存储器的第一部分中的所述缓冲器中，所述缓冲器由所述寄存器界定；及/n将数据存储于所述存储器的第二部分中的高速缓冲存储器中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170411 US 15/484,7931.一种设备，其包括：
存储器装置；及
控制器，其耦合到所述存储器装置，经配置以：
编程寄存器以界定存储器中的缓冲器的大小；
将数据存储于所述存储器的第一部分中的所述缓冲器中，所述缓冲器由所述寄存器界定；及
将数据存储于所述存储器的第二部分中的高速缓冲存储器中。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器由所述存储器的所述第一部分及所述存储器的所述第二部分组成。


3.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的设备，其中所述控制器经配置以编程指示所述存储器的密度的另一寄存器。


4.根据权利要求3所述的设备，其中所述缓冲器及所述高速缓冲存储器位于所述控制器上。


5.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的设备，其中所述缓冲器及所述高速缓冲存储器位于所述存储器装置的存储器阵列上。


6.一种设备，其包括：
控制器，其位于存储器模块上；
第一存储器阵列，其位于所述存储器模块上，所述第一存储器阵列包含多个非易失性存储器单元；及
第二存储器阵列，其位于所述存储器模块上，所述第二存储器模块包含多个易失性存储器单元；
其中所述控制器包括寄存器，所述寄存器经配置以确定所述第二存储器阵列的所述多个易失性存储器单元的量以存储所述第一存储器阵列的缓冲器数据及高速缓冲存储器数据中的至少一者。


7.根据权利要求6所述的设备，其中所述缓冲器数据包含将在所述第一存储器阵列上执行的命令数据且所述高速缓冲存储器数据包含存储于所述第一存储器阵列中的数据。


8.根据权利要求6到7中任一权利要求所述的设备，其中所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列布置于第一芯片中且所述控制器布置于第二芯片中。


9.根据权利要求6到7中任一权利要求所述的设备，其进一步包括：
第三存储器阵列，其位于所述存储器模块上，所述第三存储器阵列包含多个非易失性存储器单元；及
第四存储器阵列，其位于所述存储器模块上，所述第四存储器阵列包含多个易失性存储器单元；
其中所述寄存器进一步经配置以确定所述第四存储器阵列的所述多个易失性存储器单元的量以存储所述第三存储器阵列的缓冲器数据及高速缓冲存储器数据中的至少一者；且
其中所述第三存储器阵列及所述第四存储器阵列布置于第三芯片中。


10.根据权利要求6到7中任一权利要求所述的设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·M·沃克，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US