一种提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种提高钝化发射极和背面太阳电池长波响应的背面三层氮化硅(SiN

A silicon nitride thin film for improving long wave response of solar cells and its preparation method

The invention discloses a back three-layer silicon nitride (SIN) for improving the long wave response of passive emitter and back solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜及其制备方法
本专利技术涉及PERC(PassivatedEmitterandRearCell)，即钝化发射极和背面太阳电池
，尤其涉及一种提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜及其制备方法。
技术介绍
用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备氮化硅SiNx:H薄膜已经成为传统晶硅太阳电池的标准工艺之一。PERC背面沉积SiNx:H薄膜有以下三点作用：1.叠在钝化膜(如SiOx或Al2O3)上辅助钝化，为Si/Al2O3界面和Si衬底提供H钝化。2.保护Al2O3钝化膜免受丝网印刷铝浆的渗透和损坏。3.增加长波光子的反射率。因此，利用PECVD技术沉积SiNx:H是PERC制备过程必不可少的工艺。在实际应用中，SiNx:H膜层中Si的含量增高，折射率和消光系数均相应增高，因此折射率更高的SiNx:H薄膜具有更高的Si-H键密度，具有更好的钝化效果，但SiNx:H薄膜的折射率过大会导致严重的吸收损失。所以为了兼顾SiNx:H的钝化和减吸收效果，目前工业上采用背面双层SiNx:H本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜，包括第一层、第二层以及第三层，其特征在于，所述第一层沉积于硅片上、所述第二层沉积于所述第一层上、所述第三层沉积于所述第二层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜，包括第一层、第二层以及第三层，其特征在于，所述第一层沉积于硅片上、所述第二层沉积于所述第一层上、所述第三层沉积于所述第二层上。


2.如权利要求1所述的提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜，其特征在于，所述第一层、所述第二层以及所述第三层是通过等离子增强化学气相沉积工艺制成的。


3.如权利要求2所述的提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜，其特征在于，所述第一层的厚度为30nm，在632nm光波长下的折射率为2.37。


4.如权利要求3所述的提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜，其特征在于，所述第二层的厚度为40nm，在632nm光波长下的折射率为2.15。


5.如权利要求4所述的提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜，其特征在于，所述第三层的厚度为50nm，在632nm光波长下的折射率为1.92。


6.一种提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：
步骤1、将硅片进行清洗和制绒，并进行POCl3扩散；
步骤2、将所述硅片进行背面抛光和去结，再经过热氧处理，并沉积Al2O3薄膜，在太阳电池的正面沉积SiNx:H减反膜，形成第一样片；
步骤3、在所述第一样片的背面，沉积第一层SiNx:H薄膜，形成第二样片；
步骤4、在所述第一SiNx:H薄膜上，沉积第二层SiNx:H薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文忠，吕镱，李正平，唐海碧，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31