一种基于共振腔的光发射--四象限光探测集成芯片制造技术

一种基于共振腔的光发射‑‑四象限光探测集成芯片，属于半导体光电子领域。包括四象限光探测区域,光发射区,四象限光探测区的接触电极,光发射区的接触电极,四象限光探测区的压焊电极，光发射区的压焊电极，将光发射区以及各四象限光探测区之间相互隔离的隔离层。本发明专利技术是将光发射区和光探测区集成在一块芯片上，模块体积小；光发射区和探测区具有相同的谐振腔和有源区，提高了对光的探测效率和抗干扰能力；由于芯片采用了共振腔结构，四象限光探测区的有源区厚度远小于传统PIN结构有源区的厚度，光生载流子渡越有源区的时间大为降低，提高了探测器的响应速度。

A kind of light emission based on resonant cavity

The invention relates to a light emission \u2011 four image limit light detection integrated chip based on a resonant cavity, which belongs to the field of semiconductor optoelectronics. It includes four image limited light detection area, light emission area, contact electrode of four image limited light detection area, contact electrode of light emission area, pressure welding electrode of four image limited light detection area, pressure welding electrode of light emission area, isolation layer separating light emission area and each four image limited light detection area from each other. The invention integrates the optical emission area and the optical detection area on one chip, and the module volume is small; the optical emission area and the detection area have the same resonant cavity and active area, which improves the detection efficiency and anti-interference ability of the light; because the chip adopts the resonant cavity structure, the thickness of the active area of the four quadrant optical detection area is far less than the thickness of the active area of the traditional pin structure, and the optical carriers cross over The time in the source region is greatly reduced, and the response speed of the detector is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种基于共振腔的光发射--四象限光探测集成芯片
本专利技术涉及一种基于共振腔的光发射与四象限光探测集成芯片，属于半导体光电子领域。
技术介绍
传统的四象限探测器是市场中应用较广的一种探测器，在军事和国民经济中各个领域均有应用。其利用光刻技术将完整的光敏面分割成四个大小一致、位置对称的区域，构成类似直角坐标系的四个象限区域，每个区域可看成是一个独立的光电探测器。其工作过程是将有一定方向性的光投射到待测目标上，光从待测目标上反射到四象限探测器上，利用光生伏特效应，在四象限区域产生光信号对应的电信号，根据四象限区域电信号的相对大小可确定待测目标的位置及其位置的变化。传统的四象限探测系统存在如下缺点：1.光发射和光探测部分是两个分立的独立器件，组装到一起时不但体积大而且成本高；2.四象限探测区域通常采用APD或PIN结构，光谱响应范围宽，光探测电流会受到环境杂散光的影响，导致探测抗干扰能力低。为了让探测器只对系统发射的光有响应，就需要在探测器前端增加滤波器，这不但会增加系统的成本，而且会增加系统的体积和复杂度。专利技术内容本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于共振腔的光发射--四象限光探测集成芯片，其特征在于，包括四象限光探测区域(103)、(203)、(303)和(403),中间位置是光发射区(503)，二者集成于一块芯片上，四象限区域的接触电极(102)、(202)、(302)和(402),光发射区的接触电极(502),四象限区域的压焊电极(101)、(201)、(301)和(401)，光发射区的压焊电极(501)和(504)，将光发射区以及各四象限光探测区之间相互隔离的隔离层(600)；光发射区(503)和四象限光探测区域(103)、(203)、(303)和(403)用隔离层(600)分开；/n从垂直剖面来看，包括上布拉格反射镜(...

【技术特征摘要】
1.一种基于共振腔的光发射--四象限光探测集成芯片，其特征在于，包括四象限光探测区域(103)、(203)、(303)和(403),中间位置是光发射区(503)，二者集成于一块芯片上，四象限区域的接触电极(102)、(202)、(302)和(402),光发射区的接触电极(502),四象限区域的压焊电极(101)、(201)、(301)和(401)，光发射区的压焊电极(501)和(504)，将光发射区以及各四象限光探测区之间相互隔离的隔离层(600)；光发射区(503)和四象限光探测区域(103)、(203)、(303)和(403)用隔离层(600)分开；
从垂直剖面来看，包括上布拉格反射镜(700)，谐振腔(800)，下布拉格反射镜(900)，衬底(002)，下电极(001)；所述谐振腔(800)中含有光辐射或光吸收的有源区(801)；所述上布拉格反射镜(700)由厚度为1/4光学波长的低折射率材料层(701)和高折射率材料层(702)组成，下布拉格反射镜(900)由厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建军，周晓倩，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11